首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   1415篇
  免费   96篇
  国内免费   234篇
化学   272篇
晶体学   15篇
力学   21篇
综合类   10篇
数学   134篇
物理学   248篇
综合类   1045篇
  2024年   9篇
  2023年   44篇
  2022年   35篇
  2021年   26篇
  2020年   37篇
  2019年   40篇
  2018年   26篇
  2017年   21篇
  2016年   23篇
  2015年   30篇
  2014年   77篇
  2013年   67篇
  2012年   87篇
  2011年   87篇
  2010年   90篇
  2009年   91篇
  2008年   115篇
  2007年   85篇
  2006年   73篇
  2005年   65篇
  2004年   59篇
  2003年   52篇
  2002年   41篇
  2001年   45篇
  2000年   47篇
  1999年   35篇
  1998年   42篇
  1997年   37篇
  1996年   26篇
  1995年   29篇
  1994年   29篇
  1993年   16篇
  1992年   12篇
  1991年   15篇
  1990年   20篇
  1989年   10篇
  1988年   9篇
  1987年   10篇
  1986年   10篇
  1985年   17篇
  1984年   7篇
  1983年   5篇
  1982年   7篇
  1981年   6篇
  1980年   9篇
  1977年   3篇
  1975年   2篇
  1964年   2篇
  1955年   3篇
  1940年   2篇
排序方式: 共有1745条查询结果,搜索用时 281 毫秒
201.
We numerically investigate the effects of the exciton generation rate G, temperature T, the active layer thickness d and the position of LUMO level EL related to the cathode work function Wc at a given energy gap on the opencircuit voltage Voc of single layer organic solar cells with Schottky contact. It is demonstrated that open-circuit voltage increases concomitantly with the decreasing cathode work function Wc for given anode work functions and exciton generation rates. In the case of given cathode and anode work functions, the open-circuit voltage first increases with the exciton generation rate and then reaches a saturation value, which equals to the builtin voltage. Additionally, it is worth noting that a significant improvement to Voc could be made by selecting an organic material which has a relative high LUMO level (low |EL| value). However, Voc decreases as the temperature increases, and the decreasing rate reduces with the enhancement of exeiton generation rate. Our study also shows that it is of no benefit to improve the open-circuit voltage by increasing the device thickness because of an enhanced charge recombination in thicker devices.  相似文献   
202.
半线性抛物方程各向异性最低阶R-T混合元超收敛分析   总被引:4,自引:2,他引:2  
利用各向异性判别定理验证了最低阶数R-T混合元具有各向异性特征.利用积分恒等式技巧,得到了R-T元对半线性抛物方程的超逼近性质.通过构造新的插值后处理格式,导出了超收敛结果及后验误差估计.  相似文献   
203.
通过溶胶-凝胶法制备出不同Tb3+掺杂浓度和不同二次煅烧温度下的ZnAl2O4:Tb3+荧光粉, 并利用X射线衍射(XRD)和荧光光谱等对样品进行了表征。由XRD结果可知,当Tb3+掺杂的摩尔分数不大于9%,二次煅烧温度在600℃以上时,所得粉体为结晶性良好的尖晶石相。在紫外光激发下,ZnAl2O4:Tb3+荧光粉的发射光谱由位于488 nm(5D47F6)、542 nm(5D47F5)、587 nm(5D47F4 )和621.5 nm(5D47F3)的4个发射峰组成。研究发现,Tb3+的掺杂浓度和二次煅烧温度对样品发光强度有着重要影响,当Tb3+的摩尔分数为5%,二次煅烧温度为900℃时,ZnAl2O4:Tb3+荧光粉的发光最强,继续增加Tb3+掺杂浓度或提高煅烧温度,分别会出现浓度猝灭和温度猝灭现象。  相似文献   
204.
在以邻苯二甲酸氢钾配制的水样作为测定COD水样,以及硫酸铁代替硫酸汞的条件下,通过对水样体积、重铬酸钾溶液的体积、浓硫酸用量以及加热回流时间等几方面因素的讨论,设计出适合COD测定教学实验的实验方案。采用该实验方案不仅能够很好地达到实验教学的目的,而且可以减少有毒有害废液的产生和排放。该实验方案可以作为COD测定的绿色化教学实验推广应用。  相似文献   
205.
针对高超深井油管悬挂器设计计算及选材的问题,分别对油管悬挂器本体为75K 12Cr13和120K 718ALLOY的材料的连接强度和悬挂器本体的拉伸强度进行计算,以及油管自身承载能力的计算。结果表明:120K 718ALLOY油管悬挂器在同压力等级下具有更高的载荷能力,可以满足如高超深井等工况更苛刻的井口使用要求。  相似文献   
206.
<正>宿州国家农业科技园自2009年5月被正式评为国家级科技园以来,根据《国家农业科技园区指南》的要求,按照园区的总体规划与实施方案,以自行研发的新品种、新技术为支撑,以引进的优新品种与技术为突破,密切结合安徽省特别是皖北地区农业主导产业的发展情况,按照"政府引导、企业运作、中介参与、农民受益"的原则,建立了以企业为主体,产、学、研相结合的技术创新和技术推广示范基地,有效地推进了以农产品精深加工为重点的产业化经营,全  相似文献   
207.
208.
在大口径纹影系统中,主反射镜通常采用球面反射镜,球面反射镜虽然加工成本低但像质差一些.我们设计的纹影系统主反射镜采用抛物面反射镜,对由两个抛物面反射镜组成的纹影系统和两个球面反射镜组成的纹影系统的像质和像面照度均匀性进行了对比,对环境如气压和温度对窗口的影响进行了有限元分析.设计结果表明:主反射镜采用抛物面反射镜像面上的光斑均匀性优于主反射镜采用球面反射镜的纹影系统.  相似文献   
209.
从激发学生数学学习兴趣,活跃课堂气氛;促进概念、公式、定理的学习;帮助学生掌握数学思想等方面论述了数学史的教育价值.并基于此提出了加强数学专业师范生的数学史素养;提高教师对数学史的熟悉程度等几点相关建议.  相似文献   
210.
采用溶剂热技术合成了一种新型手性配位聚合物[Zn2(C7H8O6)2(bipy)2(H2O)2]·4H2O(C7H8O6=2,3-氧-异丙叉基-L-酒石酸根, bipy=4,4'-联吡啶), 并通过单晶X射线衍射结构分析、元素分析、热重分析以及红外光谱进行了表征. 结构分析数据表明, 该化合物属单斜晶系, C2空间群, 晶胞参数a=2.02334(14) nm, b=1.13896(4) nm, c=1.01094(6) nm, β=117.366(3)°, V=2.0689(2) nm3. 两个晶体学独立的Zn原子均为八面体构型, 其中Zn1原子赤道配位点被2个酒石酸根中的4个羧酸根氧螯合配位, 2个酒石酸根中剩下的4个羧酸根氧中的2个分别与2个Zn2原子连接形成无限一维链, Zn2原子的另外2个反式赤道配位点被2个水分子氧占据, 同时这两种Zn原子的轴向配位点均被4,4'-联吡啶的氮原子占据, 形成具有矩形格子[0.51165(3) nm×1.13896(5) nm]的二维层状结构, 游离的2个水分子通过氢键作用形成二聚体, 并与酒石酸根中未与Zn配位的羧酸氧连接, 把二维层状结构连接成三维网状的超分子结构.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号