Yb∶YAl3(BO3)4晶体形貌与生长速度的关系

观察测量了不同生长速度(相应于不同降温速度)自发成核生长的Yb∶YAl3(BO3)4晶体形貌。粒度较大(>2mm)的晶体不管降温速度快慢形态都很简单,只发育六方柱｛1120｝和菱面体｛1011｝;粒度较小(<2mm)的晶体形态随降温速度增快而变复杂,发育一些罕见的高指数晶面。说明在生长速度较快的条件下,在晶体生长早期,一些高能面发育,在晶体生长后期已尖灭了,晶体生长的大部分时间是在低能面｛1120｝和｛1011｝上进行的。对比了不同生长条件下晶面的粗糙度,随着降温速度的增快,六方柱面｛1120｝和菱面体面｛1011｝由光滑变粗糙,顶面｛0001｝永远是粗糙的。从晶体结构上定性地探讨了3种晶面的杰克逊因子α及生长机理     

SBN晶体中Eu~(3+)激发态~5D_0的无辐射跃迁

通过测量~5D_0→~7F_2发射带的荧光寿命与晶体温度的依赖关系,研究了Eu~(3+)激发态~5D_0的无辐射跃迁.结果表明,~5D_0→~7F_2带的温度淬灭效应主要是由于电荷转移态的最低能量太低,~5D_0态易被热激活至电荷转移,然后通过电荷转移无辐射弛豫至~7F_2态.     

铌酸钡铅晶体的生长和光折变性质

报道了Pb_(0.4)Ba_(0.6)Nb_2O_6晶体的Czochralski生长条件,晶体结构分析,及晶体的二波混合及四波混合响应特性.当双束夹角2■在22°~52°范围之间变化时,二波混合系数??在6~9cm~(-1)之间:四波混合反射率η=10%.     

KDP晶体台阶生长动力学的激光干涉实验研究

采用迈克尔逊干涉技术 ,通过测量KDP晶体生长的法向速率和台阶斜率来研究其台阶生长的动力学系数、台阶自由能、溶质在边界层内的扩散特征以及激发晶体生长台阶的位错活性 .实验表明 ,KDP中不同活性位错的台阶动力学系数差异较大 ,例如高活性和低活性台阶动力学系数分别为 10 .3× 10 -2 和 5 .2 1× 10 -2 cm/s,位错源在晶体表面的形状、面积的变化 ,以及Burgers矢量的变化是造成晶体生长动力学测量数据重复性差的主要原因     

光折变晶体(K_(0.1)Na_(0.1)Sr_(0.54)Ba_(0.36))Nb_2O_6的电光系数

(K_(0.1)Na_(0.1)Sr_(0.54)Ba_(0.36)Nb_2O_6晶体属4mm 点群,有三个电光系数γ_(33)γ_(13)=γ_(23),γ_(51)=γ_(42)和三个压电系数 d_(33),d_(31)=d_(32),d_(15)=d_(24).对6328(?)波长,折射率 n_0=2.307,n_(?)=2.249.我们加工了一块 X×Y×Z=5.08×4.88×6.55mm~3的长方体样品用来测量 d_(33),d_(31)和γ_(33),γ_(23).又加工了另一块 YZw45°切的样品用来测量 d_(15)和γ_(51)尺寸为4.46×6.70×5.10mm~3.用干涉法测量晶体的压电系数,在 X×Y×Z 长方体样品的 Z 方向加电场,应变方向     

一水甲酸锂单晶生长和(110)面边界层的全息研究

本文合成一水甲酸锂原料,选择适宜生长条件,用水溶液法培育出完美一水甲酸锂单晶(LFM).利用全息相衬干涉显微术对(110)面边界层特性进行实时观测和研究.实验表明,在自然对流情况下,边界层内折射率梯度分布函数Δn(x)和浓度分布函数Cx(x)为指数形式;另外,体过饱和度与晶面过饱和度之间呈指数关系.     

光折变材料KNSBN:Cu

本文系统报道了KNSBN:Cu晶体的生长和光折变性能,分析了铜离子影响光折变性能的机制。研究表明:由于铜离子在能隙中形成深能级,电子迁移率下降;同时,光折变有效电荷复合中心浓度增加,两波耦合增益系数增大到纯KNSBN晶体的两倍,光折变灵敏度达 10^-3cm²/J的数量级,而光折变性能受直流电场的影响减弱.KNSBSN:Cu晶体的自泵浦位相共轭反射率达65%,响应时间小于8s。