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孙仁安 《高等学校化学学报》1987,8(5):449
本文讨论了I群-D2群V系数,给出在I群单值表示下的计算值。将以I群为出发点的群分解链延伸到其D2子群。还列出了D2群V系数的计算结果。 相似文献
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在密度泛函理论B3LYP/6-31G*基组下,研究ClONO2+H→HONO2+Cl和ClONO2+H→OH+ClONO(cis)及ClONO2+H→OH+ClONO(trans)的反应机理.计算得到各可能反应途径的过渡态,并经过内禀反应坐标(IRC)分析加以证实.三个反应的活化能垒(分别为19.5,20.0和23.2kJ·mol-1)相差不大,可认为同时发生.但第一个反应放出的热量较多,可以看成是反应的主通道. 相似文献
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CO在Ru, Rh, Pd等金属催化剂表面上的吸附与活化研究, 是C1化学领域研究的重要理论基础, 对于开发能源和化工产品新路线具有重要的经济价值和应用背景. 近年来, 在过渡金属催化剂化学吸附CO的领域进行了不少理论研究[1~3]. 尽管这一领域受到一定程度的理论关注, 但由于涉及到含d电子较多的过渡金属, 计算中大多采用半经验方法, 即使采用非经验方法, 也都是小基组[4,5]或较少考虑电子间的相关作用. 对于过渡金属体系, 用包括电子相关作用的计算方法是必要的, 它可获得更可靠的总能量和几何构型[6], 因此本文采用了DFT计算方法[7], 并在LANL1DZ基组[8,9]下进行计算. 相似文献
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用Gaussian98程序、HF方法和LANL2DZ基组,以MCOM1^n (M=Ru,Rh,Pd;M1^n =Na^ ,Mg^2 ,K^ )为模型,探讨在主族金属阳离子助剂M1^n 作用下,过渡金属催化剂M化学吸附CO后对C-O锓的影响及其机理,并进一步推测最终对CO氢化反应产物的影响。结果表明,主族金属阳离子助剂M1^n 以不同方式与MCO相作用及选用不同的助剂作用时,催化剂具有不同的催化活性和选择性,且对C-O键的削弱程度不同,导致生成不同的产物。当主族金属阳离子助剂M1^n 与CO中的O作用时,C-O键被削弱程度比无助剂时大,更有利于生成烃类化合物;当与过渡金属M作用时,C-O键被削弱程度减小,有利于含氧化合物的生成;当助剂与CO以侧基作用时,无助催化活性;当用不同的主族金属阳离子作助剂时,C-O键被削弱程度也不同,得电子能力强的主族金属阳离子助剂有更强的更强的助催化作用。 相似文献
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采用密度泛函理论(DFT),在B3LYP/6—311G^*水平下,对杂原子X(X—Na、Mg、Al、Si、P、S、Cl)置于垂直于具有D2h对称的Si4原子簇平面的C2轴上时,所得到的含杂Si4X(X—Na、Mg、Al、Si、P、S、Cl)原子簇,进行了理论计算,得到一系列稳定的Si4X原子簇的几何构型,并对其中具有C2v对称的三角双锥结构的Si4X原子簇,系统地讨论了原子簇的稳定性、Si—X键强弱、电荷分布等的递变规律,以及由于第三周期元素的加入,对硅原子簇结构的影响。 相似文献
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合成了分子式为[Ln2(phen)2L],phen=C12H8N2[A Ln=Nd,L=(CH3COO)4(ONO2)2,B Ln=Sm,L=(C6H5COO)6,C Ln=Eu,L=(C6H5COO)6]3种同双核配合物.用X射线四圆衍射仪测定了3种化合物的结构.在化合物A分子中,2个Nd(Ⅲ)原子由4个CH3COO-基团桥联,以phen和ONO2-为端基,构成了一个具有C2对称性的双核分子.配合物B和C具有完全相同的结构,它们是以4个苯甲酸根为桥,2个phen和2个C6H5COO-为端基的中心对称双核分子,其中6个苯甲酸根的成键状态可分为3种状况.在3种化合物中,每个Ln均为9配位,呈不规则多面体.Ln-Ln距离,A为0.397nm,B和C均为0.405nm.测定了各配合物的变温磁化率,通过对磁性质研究,发现化合物A在低温下具有反铁磁物质行为.并由理论拟合,求得了磁参数g,J值. 相似文献
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系列双核Ln(III)配合物的晶体结构和磁性 总被引:1,自引:0,他引:1
合成了分子式为[Ln~2(phen)~2L],phen=C~1~2H~8N~2[ALn=Nd,L=(CH~3COO)~4(ONO~2)~2,BLn=Sm,L=(C~6H~5COO)~6,CLn=Eu,L=(C~6H~5COO)~6]3种同双核配合物。用X射线四圆衍射仪测定了3种化合物的结构。在化合物A分子中,2个Nd(III)原子由4个CH~3COO^-基团桥联,以phen和ONO~2^-为端基,构成了一个具有C~2对称性的双核分子。配合物B和C具有完全相同的结构,它们是以4个苯甲酸根为桥,2个phen和2个C~6H~5COO^-为端基的中心对称双核分子,其中6个苯甲酸根的成键状态可分为3种状况。在3种化合物中,每个Ln均为9配位,呈不规则多面体。Ln-Ln距离,A为0.397nm,B和C均为0.405nm。测定了各配合物的变温磁化率,通过对磁性质研究,发现化合物A在低温下具有反铁磁物质行为,并由理论拟合,求得了磁参数g,J值。 相似文献
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1 INTRODUCTION In the later 60s of last century, silicon substituted for germanium to present as mainstream in semicon- ductor. The semi-conductive devices made by silicon have many advantages, for example, refractory pro- perty, high radioresistance, simple and stable process- ing technic, high machinability and low cost. So it was widely used to manufacture large power appara- tuses, for instance, digit and linear integrated circuit, large scale integrated circuit (LSI), etc. Thus, th… 相似文献
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确定大分子体系电荷分布的新方法 总被引:1,自引:1,他引:0
近年来,应用密度泛函理论探求电负性和硬度与体系中电荷分布之间的关系,成为令人关注的课题[1~5].Mortier[1,2]的电负性均衡方法(EEM)没有考虑化学键电荷.Ghosh[4]的半经验电负性均衡方法考虑了化学键电荷,但键电荷取值假设太简单.本文同时考虑了分子中的原子电荷和键电荷的作用,给出了分子中原子和化学键有效电负性的精密公式,这些公式为发展一个系统的精密电负性均衡方法及应用奠定了基础.1理论方法以密度泛函理论[6]为基础,将分子的单电子密度ρmol(r)按式(1)分割:式中ρα(r)是分子中α原子区域的单电子密度,ρα… 相似文献