Si4X(X=C,N,O,Si,P,S)原子簇结构的理论研究

在密度泛函B3LYP/6-311G*水平上, 对具有C3v对称的Si4X (X = C, N, O, P, S)原子簇进行了几何构型优化计算, 并讨论它们的热力学稳定性、动力学活性、Mulliken布居、SiX键长、占据价轨道的对称性以及HOMO能级位置等周期递变规律。     

稀有气体化合物HRgX(Rg=He、Ne、Ar、Kr,X=Cl、Br)结构的理论研究

利用密度泛函方法,在不同基组水平上,对HRgX(Rg=He、Ne、Ar、Kr,X=Cl、Br)8种化合物分子的几何结构进行了优化计算．得到的最稳定结构均为直线型结构．采用自然键轨道方法和AIM方法做了电荷计算和Laplaclan电子密度分析,结果表明．符合分子内部电荷转移的性质特征．并确定了价键的性质．同时还优化计算了HArF分子的几何结构,并将各种方法水平上计算所得HArF分子的参数值与实验值进行了比较,发现采用B3PW91／cc—PVTZ方法的HRgCl和HRgBr的8种化合物分子的参数值来讨论、比较两类化合物的结构参数、偶极矩、振动频率等性质更为适宜．     

Theoretical Studies of PCl3/H2 Gas Chromatography Mechanism

Density functional theory B3LYP method was firstly applied to fully optimize the geometrical configuration of each stable point on PCl3/H2 gas chromatography reaction potential energy surface on the 6-311G** basis set, and single point energy was computed at the QCISD(T)/ 6-311G** level, then the transition state was validated by analyzing the unique imaginary vibration modes of each transition state and calculating intrinsic reaction coordinate (IRC), and the major reaction and competing reaction paths of PCl3/H2 gas chromatography reaction were presented through comparing active energy barrier, and phosphor was finally gained from the reaction of PH and PCl.     

Si5-mXm(m=1～4,X=B,C,N,P)原子簇结构的理论研究

采用密度泛函理论B3LYP／6—311G^＊方法,以Si5原子簇的最稳定构型为基本,分别用1～4个B,C,N,P原子来取代Si5原子簇中的Si原子,对原子簇Si（5-m）X（m=1～4,X=B、C、N、P）的几何构型进行优化及振动频率计算,并集中对每种含杂原子簇的能量以及键长等变化规律,进行了系统的讨论．     

Theoretical Study on the Reaction Mechanism of SiCl_4 with H in the Gas Phase

1 INTRODUCTION Semiconductor silicon materials are vital for mi- croelectronic and information industry. Silicon has many advantages, for example, rich resource, out- standing quality and sophisticated processing tech- nology. So it has been widely used in semiconduc- tor industry. One of the key techniques of mo- dern microelectronic industry is epitaxial growth of single crystal thin film on single crystal silicon and its ba- cking materials. In the chemical vapour deposition of Si, g…     

H+H_2交换反应的一点探讨

应用HMO理论,在确定一组基函数后,Hamilton算子表示为一个矩阵。它所对应行列式数值有无具体的物理意义是值得讨论的。本文采用HMO方法,对Halllilton算子的矩阵元做了近似表示。通过初步探讨指出,对于H+H_2交换反应,其直线性进攻路线(经由过渡态)恰好对应Hamilton矩阵行列式的极值线。所得结果有待进一步研究。     

Theoretical Study on the Reaction of PCl_3/H_2 on Silicon Substrate Surface

The reaction mechanism of PCl3/H2 on silicon substrate surface （simulated by Si4 cluster） was investigated with Density Functional Theory （DFT） at the B3LYP/6-311G^＊＊ level. On silicon substrate, PCl3 firstly undergoes dissociative adsorption, and then the adsorption product reacts with H2 via a four-step multi-channel mode to give the final product PSi4 cluster. The geometries at each stationary point were fully optimized. The possible transition states were determined by vibrational mode analysis and IRC verification. And finally, the main reaction channel was given.     

MCO和MCONa^＋中CO催化活化的成键能研究（Ⅱ）

使用相对论赝势从头计算方法和成键能判据研究了模型化合物ＭＣＯ和ＭＣＯＮａ＋（Ｍ＝Ｒｕ，Ｐｄ）的电子结构，讨论了其中的化学键及Ｎａ＋的助催化作用．得出在单独Ｒｕ、Ｐｄ情况下ＣＯ不被活化，其原因在于金属与ＣＯ的主要作用是ＣＯ的弱反键占据轨道５σ电子到金属空ｄ轨道的配位，ＣＯ的弱反键轨道上减少电子的占据不仅不能使ＣＯ的键削弱反而有少许增强；当有Ｎａ＋参与时增强了金属ｄ电子到ＣＯ反键轨道２π的反馈能力，从而使ＣＯ键被削弱而得到活化．计算还表明Ｎａ＋的作用相当于空间电荷     

原子簇模型晶体带隙的计算

本文以金刚石的原子簇模型化合物MC_4H_(12)为例,使用CNDO、INDO、MNDO(对M=C)和ab initio(对M=C,B,N)方法,对原子簇模型晶体带隙和电子结构进行了计算。将原子簇模型的晶体带隙定义为原子簇体系的激发能,其结果普遍地比基态的前线轨道处理法要好得多。另外,还对C_5H_(12)分子的光电子能谱以及N杂质引起的晶格畸变和顺磁共振实验结果作了合理解释。     

四面体型含碳簇合物MC4H12的电子结构计算

用四面体含碳原子簇模型MC₄H₁₂(M=C,B)和量子化学的Gaussian76从头计算方法,对金刚石晶体及其代位硼体系的电子结构进行了无调节参数计算。提出了以激发能概念确定原子簇模型的晶体带隙和以原子内层电子能量校正含杂原子簇杂质能级的观点。所得金刚石晶体带隙值以及硼杂质能级在带隙中的位置与实验值及其他有关计算值都符合得很好。