单针电极放电的发光特性

采用单针电极放电装置在氩气中产生了稳定的均匀等离子体。利用光学方法对单针放电特性进行了研究,结果表明单针放电等离子体的长度随外加电压峰值、气压的增大而增大,随空气含量的增大而减小。利用光电倍增管对单针电极放电等离子体羽的发光信号进行了空间分辨测量,发现靠近单针电极的羽头和等离子体羽其余部分放电行为不同。其中羽头源于针尖附近的电晕放电,它仅在外加电压负半周期的发光较强,正半周期发光几乎探测不到。而等离子体羽其余部分的放电在外加电压正、负半周期均存在,且正半周期强于负半周期。研究表明,外加电压正半周期的等离子体羽是源于发光光层(等离子体子弹)的传播,而负半周期等离子体羽的不同位置几乎同时放电。     

考虑约束组合梁与组合节点相互作用的结构火灾反应分析

提出了考虑组合节点与约束组合梁相互作用的实用抗火计算方法.此方法考虑了由结构整体性产生的悬链线效应对组合梁临界温度的影响,考虑了非线性变化的端部约束对组合梁高温行为的约束和影响.最后利用试验结果对这种考虑约束组合梁与组合节点相互作用的结构火灾反应分析方法进行了验证.此方法为多层、高层建筑钢结构抗火反应分析及结构抗火设计...     

破片撞击下YAG透明陶瓷复合靶的破坏特性

YAG透明陶瓷兼具有优秀的透光性能和抗冲击破坏性能,是武器装备透明部分的优秀防护材料,在军事装备、航天等国防领域具有良好的应用前景。冲击载荷下材料的加载响应特性对掌握材料破坏机制至关重要,能为透明复合靶设计提供依据。为获得YAG透明陶瓷多层复合靶的冲击破坏特性,利用内径9 mm的气体驱动发射平台进行了碳化钨球形破片在20～310 m/s速度下撞击YAG透明陶瓷复合靶的实验,通过高速摄影捕捉的陶瓷表面损伤演化过程,计算了典型径向、环向裂纹扩展速度。通过观测回收的靶体和YAG碎片的宏细观破坏特征,分析了撞击速度与靶体破坏特征之间的联系。结果表明,YAG陶瓷层径向裂纹和环向裂纹扩展速度均随着时间的延长线性降低,且裂纹扩展速度几乎不受撞击速度影响。陶瓷层中心粉碎区面积随撞击速度的提高而增大,且中间玻璃层破坏区域面积与陶瓷锥底面积相关联,陶瓷锥角与撞击速度关联性不强。同时,观察到陶瓷层在冲击破坏过程中出现了裂纹簇,获得了裂纹簇数量与破片撞击速度之间的关系,分析了裂纹簇的特征及其成因。裂纹变向、应力波作用会显著影响细观断面破坏特征。径向、环向和锥裂纹中沿晶断裂的比例均随着裂纹扩展距离的增大而增加,且穿晶比例随着撞击速度的提高而增加。     

长杆弹撞击装甲陶瓷界面击溃/侵彻特性

界面击溃/驻留效应可以有效提高装甲陶瓷的抗侵彻能力。为研究长杆弹撞击装甲陶瓷界面击溃及侵彻特性,开展了长杆弹撞击装甲陶瓷实验研究。同时,基于裂纹扩展理论建立了考虑界面击溃/驻留效应的长杆弹侵彻装甲陶瓷计算模型,以定量描述界面击溃/驻留效应对装甲陶瓷抗侵彻性能的影响。不同弹靶条件下的界面击溃/侵彻转变速度、界面驻留时间、侵彻速度与侵彻深度的理论计算值与实验结果具有较好的一致性,表明计算模型可靠。在此基础上,分析了弹体及陶瓷材料对界面击溃/驻留及侵彻过程的影响规律。研究结果表明:随着弹体撞击速度的提高,陶瓷表面由界面击溃向侵彻转变。考虑界面击溃/驻留效应的长杆弹侵彻装甲陶瓷理论模型,可以较好地反映不同弹体撞击速度对应的弹靶作用模式。弹体材料的屈服强度和密度越高,界面驻留时间越短,弹体侵彻靶体的能力越强;陶瓷的屈服强度越高,界面击溃/驻留效应越显著,靶体的抗侵彻能力越强。考虑界面击溃/驻留效应的长杆弹侵彻装甲陶瓷理论模型揭示了部分界面击溃作用机理,可为陶瓷复合靶的设计提供参考。     

一种用于荧光检测痕量Cu2+的锌基金属有机骨架

采用水-溶剂热法制备了一种针对Cu²⁺的新型高效荧光锌基金属有机骨架(Zn-MOF)探针：[Zn₆(L)₃(2,2''-bpy)₄]·2H₂O}_n,其中 H₄L=1,4-双(3,5-二羧基苯氧基)苯,2,2''-bpy=2,2''-联吡啶。本文介绍了它的合成、结构、热稳定性和荧光传感性能。该Zn-MOF表现出良好的稳定性并且可以通过荧光猝灭法高效检测Cu²⁺。在0~1.2 μmol·L^-1的浓度范围内,该Zn-MOF荧光强度与 Cu²⁺浓度呈现出很强的线性相关性,检测限(LOD)低至 67.1 nmol·L^-1。更重要的是,通过系统分析红外光谱、粉末 X 射线衍射、紫外可见吸收光谱、电感耦合等离子体质谱和 X射线光电子能谱,验证了所获得的结果：该 Zn-MOF可通过弱相互作用特异性识别Cu²⁺。此外,该Zn-MOF在连续5个循环中表现出良好的再生性能。     

锌钡白生产转窑控制系统的实现

为了改变某立德粉厂手工控制造成产品质量偏差且不稳定的状况 ,对生产中的关键设备———干燥煅烧转窑引入计算机控制系统 .在充分分析现场实际情况的基础上 ,采取了两级控制方案 :第一级 ,采用抗饱和PID算法控制窑头温度以确保系统供热稳定 ;第二级 ,基于能量的思想控制消色力指标以确保产品质量提升和质量稳定 .经过 8个月现场应用和测试 ,窑头温度控制在给定值的± 5℃的范围内 ;高质量产品出品率提高了近30 % .     

Ga的分析研究进展

本综合介绍了近年来镓的分析研究成果及应用，并展望其发展前景。     

用锁模激光控制的GaAs光电子开关

利用Cr掺杂的GaAs材料构成同轴型开关.用1.06μm和0.53μm超短光脉冲控制开关,观察开关的输出特性,得到了激光能量与开关效率的关系曲线.并分析了高功率激励下的光电导特性.     

在Laser光中原子能级的移动

原子能级的移动是由于真空场(即虚光子)与电子的相互作用所引起的,而Laser光(即实光子)与电子的相互作用是否也同样可以引起能级的移动呢?这就是我们所要分析的问题。 虚光子与电子的相互作用是通过电子由初态e放出一个虚光子hv到达中间状态e′+hv,然后又吸收这个光子回到初态e来实现,这是H.A.Bethe计算能级移动所采用     

铈掺杂ATO（Ce-ATO）纳米粉体的制备及表征

采用自蔓延燃烧法制备出Ce掺杂的ATO (Ce-ATO)纳米粉体.利用XRD、SEM对粉体的结构及粒径进行了表征.研究了Ce掺杂量、滴定终点pH值、煅烧温度与煅烧时间对粉体晶型结构与粉体粒度及性能的影响,发现当Ce掺杂量为4%,滴定终点pH为7,在600℃下煅烧2h得到的粉体性能最好.此条件下制备的Ce-ATO粉体晶粒尺寸分布为18~22nm,且Ce-ATO粉体的电阻率为9.72?cm