山丹丹皂苷提取工艺初探

用正交试验方法对山丹丹总皂苷提取工艺中的温度、乙醇浓度、料液比和提取时间4个因素进行研究比较,使用AB-8大孔吸附树脂进行分离,冷冻干燥得到纯山丹丹皂苷。以三七总皂苷为标准,用紫外可见分光光度计在270 nm出对山丹丹总皂苷的含量进行测定,筛选出简单可靠,并且适合工厂化生产的山丹丹总皂苷的提取工艺。最佳的提取工艺条件是:提取温度为70℃,料液比为1∶10,回流提取时间为3 h,提取液浓度为80%。     

纽结多项式和整系数多项式

基于纽结多项式性质研究了整系数多项式及其性质,讨论了常系数项为0的6次和7次整系数多项式和纽结多项式的关系,给出了整系数多项式是纽结多项式的充分必要条件,进而给出了整系数多项式是交错纽结的多项式的充分必要条件.根据这些性质进一步给出了某些纽结的Arf不变量的性质.     

从石砭峪水库工程探讨定向爆破筑坝技术的若干问题

本文在概括了石砭峪水库定向爆破筑坝及我国其它同类工程经验的基础上,着重研究讨论了定向爆破筑坝技术中一些没有很好解决的问题。这些问题主要有爆破与地质条件的关系问题、爆破对已成水工建筑物的影响问题,爆堆体渗洪问题、绕坝渗漏问题及定向爆破堆石坝斜墙型式等。本文还根据工程经验与科研试验成果,提出如何解决这些问题的一些技术方案与措施。     

导电聚合物PEDOT:PSS-APEG水分散体的制备及性能研究

以烯丙基聚乙二醇(APEG)、苯乙烯磺酸钠(SSNa)为原料,过硫酸铵[(NH4)2S2O8]为引发剂,蒸馏水为溶剂,通过自由基聚合制得PSS-APEG共聚物;再以PSS-APEG为模板和掺杂剂,3,4-二氧乙烯噻吩(EDOT)为单体,过硫酸铵为氧化剂,硫酸铁[Fe2(SO4)3]为催化剂,蒸馏水为溶剂,通过化学氧化法制得PEDOT:PSS-APEG水分散体。通过核磁(1H-NMR)对合成的PSS-APEG共聚物进行表征和分析。采用气相色谱仪(GC)、纳米激光粒度测试仪、紫外光谱仪(UV)、热重分析仪(TGA)、双电测四探针等对PEDOT:PSS-APEG水分散体的性能进行研究。结果表明,在不影响PEDOT:PSS薄膜透明性的条件下,当PSS-APEG与EDOT的质量比大于3时,APEG的引入可使得PEDOT:PSS薄膜的方块电阻明显减小,即导电率得到较大提高。     

基于温和等离子体CVD的非晶硅薄膜的制备与钝化研究

采用容性放电模式(E-mode)的电感耦合等离子体化学气相沉积技术(ICPCVD),以硅烷( SiH4)和氢气(H2)作为气源,通过改变沉积气压来制备氢化非晶硅薄膜(a-Si:H).采用少子寿命测试仪(Sinton WCT-120)研究薄膜在n型单晶硅片表面的钝化效果.并通过傅里叶红外光谱仪(FTIR)和扫描电子显微镜(SEM)进一步表征薄膜的氢含量、微结构因子和表面形貌.结果表明,气压偏低或者偏高都会影响薄膜质量,生成多孔隙的薄膜,从而影响薄膜的钝化性能.最优沉积气压为65 Pa,并进一步优化少子寿命到445 μs,复合速度减小到48 cm/s,隐开路电压接近700 mV.     

热力学与量子力学在21世纪重新相遇

四大力学都有其经典与量子相对应。经典力学对应量子力学,经典电动力学对应量子电动力学,经典统计力学对应量子统计力学,经典场论对应量子场论。唯一的例外就是经典热力学,目前通常的物理专业课程中还没有量子热力学。     

Electrical properties of MOCVD-grown GaN on Si （111） substrates with low-temperature AIN interlayers

The electrical properties of the structure of GaN grown on an Si （111） substrate with low-temperature （LT） A1N interlayers by metal-organic chemical-vapour deposition are investigated. An abnormal P-type conduction is observed in our GaN-on-Si structure by Hall effect measurement, which is mainly due to the A1 atom diffusing into the Si substrate and acting as an acceptor dopant. Meanwhile, a constant n-type conduction channel is observed in LT-A1N, which causes a conduction-type conversion at low temperature （50 K） and may further influence the electrical behavior of this structure.     

考虑接缝传荷的文克勒地基上矩形薄板的级数解

应用双重正弦级数展开的方法,推演得到了文克勒地基上计入两块矩形板间接缝传荷效应的级数解。假设接缝传递剪力与板间挠度差成正比、传递弯矩与板间转角差成正比,进而分析了单轮和单轴荷载作用在纵缝边缘中部时,接缝传荷效应对板边最大挠度和最大应力的影响规律;通过引入接缝传荷效应系数和接缝极限传荷的两个挠度比及两个应力比,建立了计入接缝传荷效应的板边最大挠度和最大应力的一般式,总结了不同板尺寸、荷载面积尺寸和类型及板材料泊松比对四个接缝影响系数和四个接缝极限传荷的挠度比及应力比的影响规律。结果表明:不同荷载面积下,受荷板接缝边缘最大挠度、最大应力均随弯矩或剪力传荷刚度系数的增大而减小,且应力的变化幅度相较挠度要小。影响系数fV^w(ξV)、fM^w(ξM)、fM^σ(ξM)与荷载圆相对半径(a/l)、相对板长(L/l)和相对板宽(B/l)无关,且单轮荷载与双轮荷载规律相同;而影响系数fV^σ(ξV)与荷载圆相对半径(a/l)有关,与相对板长(L/l)和相对板宽(B/l)无关;挠度比λV^w与荷载圆相对半径、板尺寸(L/l,B/l)及泊松比v无关,恒等于0.5,而λM^w、λV^σ、λM^σ均与荷载相对半径(a/l)、板尺寸(L/l,B/l)及泊松比v有关,且影响因素中荷载面积尺寸的影响最为显著。     

微纳米VO2膜层高温相变原位X射线衍射测试方法研究

通过设计、自制加热样品台结合商业X射线衍射仪的小角掠入射衍射模式,开发了微纳米膜层的原位高温相变测试方法,解决了样品表面微纳米膜层材料（厚度 < 10 μm）的高温相变难以原位测量的问题.研究了样品台与膜层表面的温度分布特征,验证了自制加热样品台的控温效果,原位测试了不同温度下二氧化钒（VO₂）膜层的X射线衍射图谱,揭示了VO₂膜层的高温相变行为.     

导爆管爆破网路的模糊可靠性研究

对现行的导爆管起爆网路的可靠性定义进行了分析，认为“完成起爆”是一个模糊随机事件，进而提出用模糊概率定义导爆管起爆网路的可靠性，并给出了确定隶属函数的方法。