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41.
The growth parameters affecting the deposition of self-assembled InAs quantum dots (QDs) on GaAs substrate by low-pressure metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) are reported. The low-density InAs QDs (- 5 × 10^8cm^-2) are achieved using high growth temperature and low InAs coverage. Photoluminescence (PL) measurements show the good optical quality of low-density QDs. At room temperature, the ground state peak wavelength of PL spectrum and full-width at half-maximum (FWHM) are 1361 nm and 23 meV (35 nm), respectively, which are obtained as the GaAs capping layer grown using triethylgallium (TEG) and tertiallybutylarsine (TBA). The PL spectra exhibit three emission peaks at 1361, 1280, and 1204 nm, which correspond to the ground state, the first excited state, and the second excited state of the ODs, respectively. 相似文献
42.
43.
研究了基于均值场理论和马尔可夫场的运动目标分割方法.该算法先对帧差图像进行简单的前背景划分,再采用均值场理论(MFT),建立马尔可夫随机场(MRF)模型,构造系统相应的能量函数.然后通过求取最大后验估计(MRF-MAP),即求最小能量函数,得出标记场,提取运动目标.实验结果证明:该算法能够很好地消除噪声,对运动目标分割具有较好的分割效果. 相似文献
44.
45.
容栅数显卡尺同步显示软件设计 总被引:3,自引:0,他引:3
介绍了容栅式数显卡尺同步显示装置的硬件、软件设计.该同步显示装置是把数显卡尺RS232接口输出信号送入以8051单片机为基础的信号处理电路,配以数据接收、数据处理、数据显示等软件,实现测量信号远距离传输,该装置在机床标尺等数显装置中广泛应用. 相似文献
46.
李梅 《徐州师范大学学报(自然科学版)》2002,20(3):23-27
利用正则化方法讨论了一类退化方程组初边值问题的古典解的存在性,构造特征函数,通过上、下解方法得出了解全局存在以及爆破的充分条件. 相似文献
47.
用粉煤灰处理含酚、胺类废水 总被引:5,自引:0,他引:5
对用粉煤灰处理含苯酚、苯胺、联苯胺、甲萘胺、对硝基苯胺废水处理了实验,用配水研究了粉煤灰投加量、振荡时间、水样pH值等因素对除酚、胺类效果的影响,结果表明:在废水pH值为6.0左右,废水含量为10-100mg/L,废水量与粉煤灰用量之比为1/4800(质量比)的条件下,废水的一次去除率最高可达70%以上。这种方法可用于含酚、胺类废水的直接处理,成本低廉,方法简便,能达到以废治废的目的。 相似文献
48.
49.
实验教学仪器发展的新趋势-智能化网络实验台 总被引:3,自引:0,他引:3
实验教学仪器的发展正逐步从非智能化到智能化发展,智能化网络实验台由基本实验电路、计算机软硬件及网络、测试仪器构成。它能满足学生自主学习的要求,将教师从重复性劳动中解放出来,使实验室管理更科学有序,是实验室逐步走向全面开放的重要条件。 相似文献
50.
GaAIAs/GaAs非均匀阱宽多量子阱超辐射发光管材料制备及表征 总被引:1,自引:3,他引:1
超辐射发光二极管(SLD)具有不同于半导体激光器和普通发光二极管的优异性能。为了制备高功率半导体超辐射发光管,并且得到比较大的光谱宽度、大的单程增益和抑制电流饱和,我们研究设计了具有850nm辐射波长的GaAlAs/GaAs非均匀阱宽多量子阱超辐射发光二极管结构,采用分子束外延(MBE)方法进行了材料制备。同时利用X射线双晶衍射,变温(10~300K)光致发光(PL)等方法检测分析了外延薄膜的结构和光电特性。在光致发光谱线中我们得到了发射波长850nm的谱峰,谱峰范围跨跃800~880nm,双晶回摆曲线结果显示了设计的结构得到实现。在注入电流140mA时,器件输出光谱的半峰全宽可以达到26nm,室温下连续输出功率达到6mw。 相似文献