Fe—Sn—Ce溶液的热力学性质研究

本文研究了1550～1670℃温度范围内Fe-Sn-Ce溶液体系的热力学性质。在溶液中存在微量铈、氧、锡、硫条件下,未发现铈与锡的金属间化合物,而是铈与氧硫建立平衡。求得反应Ce_2O_2S=2[Ce]+2[O]+[S]的平衡常数及Ce_2O_2S的标准生成自由能。铈与锡的一阶、二阶相互作用系数与温度的关系式分别为:lgK=-29420/T+1.58;ΔG°=-563150+30.24T;e_(Sn)~(Ce)=95889/T+48.50T;γ_(Sn)~(Ce)=21132/T-10.44。     

一种数字滤波器系数量化处理的方法

本文提出一种数字滤波器系数量化处理的方法，它可准确模拟有限字长效应对数字系统的影响并给出优化结果，因而对数字系统的设计提供了一种有效手段。     

耳蜗滤波器的设计和DSP实现

耳蜗的主要功能之一相当于一组并联的且频率特性重叠的带通滤波器，该滤波器组的设计用一般数字滤波器设计方法难以奏效，本文提出该滤波器组的设计方法，并在数字信号处理器（ＤＳＰ）上加以实现。     

光学实时指纹识别系统高通滤波特性的研究

提出了活体指纹实时录入时指纹图像的圆形光栅模型，得到了该模型的傅里叶频谱和滤去各级谱所需的滤波器直径的数值结果，并对光学实时指纹识别系统的高通滤波特性进行了实验研究。     

把隔有0的数的置积规律作为乘算教学的一个内容

这个问题没有深奥的原理，粗看起来也并不重要，好象不必提出，也不值得研究。但若注意一下，乘(除)运算中遇到这样的数常常发生差错，或速度常常慢了下来，所以，这样的问题还有探讨的必要。     

Mannich反应胺组分的分子几何优化研究

用AM1和MNDO两种分子轨道计算方法,对可作为Mannich反应胺组分的13个化合物分子的平衡几何(构型)进行了能量梯度全优化计算,所得结果彼此相符,与已有的一些实验数据也很一致。本文对计算方法和计算结果进行了比较和讨论。     

SiGe电荷注入晶体管的直流特性模型

为了能直观地体现SiGe/Si电荷注入晶体管的收集极电流与漏源电压的关系，利用输入端SiGe/Si量子阱中二维空穴气的隧道模型，建立起此类器件的输入输出数学模型，并利用MATLAB软件对所建模型进行了模拟，结果显示在漏源电压约为1.5 V时，漏电流出现较强的负微分电阻效应，与文献报道结果符合. 关键词： SiGe/Si异质结 电荷注入晶体管 二维空穴气 隧道效应     

钢筋混凝土梁冲击响应的3D细观力学模拟

钢筋混凝土结构在冲击载荷作用下响应和破坏的研究受到了广泛的关注.本文通过建立3D细观力学模型,并结合新近研发的混凝土动态计算本构模型,模拟计算冲击载荷作用下钢筋混凝土梁的响应和破坏.3D细观力学模型假定混凝土是由砂浆基体、粗骨料和界面过渡层(Interfacial Transition Zone,简称ITZ层)三相组成的复合材料.混凝土动态计算本构模型考虑了压力相关性、剪切损伤、拉伸损伤、Lode角效应和材料应变率效应等主要因素.结果表明:数值模拟得到的冲击载荷、梁跨中点挠度的时程曲线以及裂纹的分布和扩展模式与实验结果吻合得较好;新提出的混凝土3D细观力学模型和新近研发的混凝土动态计算本构模型可以用来预测钢筋混凝土结构在冲击载荷作用下的响应和破坏.     

GaP/GaPN核壳纳米线阵列修饰的硅光阴极的光电化学制氢反应（英文）

能够大规模同时提升电极的催化效率和稳定性对光电化学分解水系统的开发具有重要意义.硅是一种地球储量丰富且成熟的工业材料,由于其合适的带隙(1.1 eV)和优异的导电性,已被广泛用于光电化学制氢反应.然而,缓慢的表面催化反应和在电解液中的不稳定性限制了其在太阳能制氢中的实际应用.III-IV族半导体材料也具有较高的载流子传输特性且被广泛用于光电器件.其中,GaP的直接带隙和间接带隙分别为2.78和2.26 eV,可与硅组成串联型光电极用于光电化学分解水.然而,GaP的光腐蚀电位位于禁带中,很容易在光电催化过程中发生光腐蚀而导致性能大幅下降.本文报道了一种新型的GaP/GaPN核/壳纳米线修饰的p型硅(p-Si)串联型光阴极,同未修饰的p-Si相比,其光电化学制氢性能更高.这可归因于以下几点:(1)p-Si和GaP纳米线之间形成的p-n结促进了电荷分离;(2)GaPN相对于GaP具有更低的导带边位置,进一步促进了光生电子向电极表面的转移;(3)纳米线结构既缩短了光生载流子的收集距离,又增加了比表面积,从而加快了表面反应动力学.此外,在GaP中引入氮元素还提高了体系的光吸收和稳定性.我们所提出的高效、简便的改进策略可应用于其他的太阳能转换体系.利用简单的化学气相沉积法制备GaP/GaPN核/壳纳米线修饰的p-Si光阴极.首先在p-Si衬底上利用Au纳米颗粒作为催化剂生长GaP纳米线;然后,去除Au催化剂,并在氨气中退火便形成了GaP/GaPN核壳纳米线.高分辨透射电子显微镜,拉曼光谱和X射线光电子谱的表征结果均证实了氨气退火使得GaP纳米线表面形成了GaPN的薄壳层,同时证明了GaP/GaPN核壳纳米线具有可调的核壳结构.在模拟太阳光下作为光阴极用于光解水制氢反应时,GaP/GaPN核壳纳米线修饰的p-Si光阴极的起始电位为~0.14 V,而未修饰的p-Si电极的起始电位大约在?0.77 V.而且,GaP/GaPN核/壳纳米线修饰的p-Si光阴极比未修饰的p-Si光阴极具有更高的光电流密度,在水的还原电位下,其光电流密度为?0.3 mA cm^-2,且饱和光电流密度在?0.76 V时达到了?8.8 mA cm^-2.此外,GaP/GaPN核/壳纳米线修饰的p-Si光阴极的光电化学活性在10 h内没有发生明显下降.由此可见GaP/GaPN核/壳纳米线可以规模化有效地提升Si光电极的催化效率和稳定性.     

平面应变下紧凑拉伸试样的动态断裂韧性的实验研究

材料的动态断裂韧性是衡量材料在动载荷作用下抵杭裂纹扩展能力的重要指标,以往的材料动态断裂韧性测试多采用三点弯曲试样,而针对紧凑拉伸试样的动态断裂韧性研究很少.本文将紧凑拉伸试样(即CT试样)简化成等效弹簧质量模型,得到了CT试样动态应力强度因子的近似表达式.对Hopkinson压杆装置进行了改进,利用改进后的实验装置进...