一种可隐蔽监视的CCD图像监视系统

为适应某些特殊场合需要 ,研究了一种可隐蔽监视的CCD图像监视系统。在对图像监视系统的CCD摄像镜头研究中 ,设计出一种突破传统CCD摄像镜头的视场角局限、不需要旋转云台、结构短小轻便的小型针孔广角CCD摄像镜头 ,它更有利于隐蔽监控 ,还扩大了监视的视场范围。本系统还设计有微机图像处理自动报警功能。     

ANTA的结构、性质及其互变异构的理论研究

对3-硝基-5-氨基-1,2,4-三唑(ANTA)的三种异构体,1H-ANTA(Ⅰ),2－ANTA(Ⅱ)和4H-ANTA(Ⅲ)在,bainitio-HF/3-21G和DFT-B3LYP/3-21G势能面计算的基础上,进行6-311G^**几何参数全优化,MP2总能量和SCRF溶剂(四氢呋喃)效应计算。以振动分析和统计热力学为基础,作标题物热力学性质以及Ⅰ和Ⅱ之间的互变异构反应计算,求得分子几何,电子结构和300～1000K范围的焓、熵和热容以及Ⅰ和Ⅱ互变异构平衡常数和速率常数。发现在三种异构体中在通常温度下以Ⅱ在气相下最稳定,Ⅰ在溶液中最稳定。低温下难以发生异构化反应,温度可提高Ⅰ与Ⅱ之间的互变速率,在800K时两种异构体在气相中等量共存;大于800K时Ⅰ更为稳定。     

反应(Cl+HBr→HCl+Br和Cl+HBr→BrCl+H)机理和速率的密度泛函理论研究

用密度泛函理论(DFT)B3LYP方法,在6-311G**基组下,计算研究了反应Cl+HBr→HCl+Br和Cl+HBr→BrCl+H的机理,求得的各过渡态均通过振动分析加以确认.运用求得的反应活化能,以及不同温度下过渡态和反应络合物的配分函数,借助绝对反应速率理论求得50～1500K的反应速率常数.     

可切换频段的太赫兹编码超表面

依据Pancharatnam-Berry(PB)相位原理提出了一种可切换频段的太赫兹编码超表面,其顶层是金属-二氧化钒（VO2）复合结构层,中间是聚酰亚胺介质层,底部为纯金属反射层。编码超表面单元按不同的编码序列排列构成的编码超表面,可以产生多种太赫兹波束形式,并且随着VO2的相变,可以在不改变原波束形式的情况下实现从单频段到双频段的切换功能。通过设计不同的编码序列,令编码超表面分别产生了涡旋波和散射波,对于垂直入射的右旋圆极化波（左旋圆极化波类似）：当VO2处于绝缘态时,在频段1.17～1.37 THz处可以产生与编码序列所对应的波束形式;当VO2相变为金属态时,在0.87～0.92 THz和1.4～1.6 THz两个不同频段处分别获得与VO2处于绝缘态时相同的波束形式,进一步拓宽波束产生的频段。所提出的编码超表面利用了VO2的相变特性增加了太赫兹工作的频段,为实现频段可切换的太赫兹编码超表面提供了思路,在太赫兹波束调控中的调频方面有一定参考意义。     

模型与特征混合补偿法及其在耳语说话人识别中的应用

为了提高信道差异下短时耳语说话人的识别率,提出了一种在模型域和特征域进行混合补偿的方法。该方法首先在模型训练阶段以联合因子分析法为基础,通过估计训练语音的说话人空间和信道空间,提取出说话人因子,消除信道因子,其次在测试阶段,将测试语音的信道因子映射到特征空间,实施特征补偿,从而在模型和特征两方面去除信道信息,提高识别率。实验结果显示,在三种不同的信道训练环境下,混合补偿法都取得了相似的识别率,且新方法对短时耳语音的测试效果要优于联合因子分析法。      

Analytical base–collector depletion capacitance in vertical SiGe heterojunction bipolar transistors fabricated on CMOS-compatible silicon on insulator

The base--collector depletion capacitance for vertical SiGe npn heterojunction bipolar transistors (HBTs) on silicon on insulator (SOI) is split into vertical and lateral parts. This paper proposes a novel analytical depletion capacitance model of this structure for the first time. A large discrepancy is predicted when the present model is compared with the conventional depletion model, and it is shown that the capacitance decreases with the increase of the reverse collector--base bias--and shows a kink as the reverse collector--base bias reaches the effective vertical punch-through voltage while the voltage differs with the collector doping concentrations, which is consistent with measurement results. The model can be employed for a fast evaluation of the depletion capacitance of an SOI SiGe HBT and has useful applications on the design and simulation of high performance SiGe circuits and devices.     

Substrate bias effects on collector resistance in SiGe heterojunction bipolar transistors on thin film silicon-on-insulator

An analytical expression for the collector resistance of a novel vertical SiGe heterojunction bipolar transistor(HBT) on thin film silicon-on-insulator(SOI) is obtained with the substrate bias effects being considered.The resistance is found to decrease slowly and then quickly and to have kinks with the increase of the substrate-collector bias,which is quite different from that of a conventional bulk HBT.The model is consistent with the simulation result and the reported data and is useful to the frequency characteristic design of 0.13 μm millimeter-wave SiGe SOI BiCMOS devices.     

基于多带解调分析和瞬时频率估计的耳语音话者识别

为了改善耳语音话者识别的稳健性,提出了一种基于调幅-调频(AM-FM)模型的耳语音特征参数,瞬时频率估计(IFE)。根据语音产生的共振峰调制理论,采用多带解调分析(MDA)获得语音的瞬时包络和频率;然后根据包络幅度和频率的加权估计,得到语音的特征IFE来描绘语音的频率结构。将该特征用于耳语话者识别并和传统的Mel倒谱系数(MFCC)进行了比较。实验结果表明,随着测试人数的增加,IFE的识别效果略好于MFCC;在测试信道改变的情况下,与MFCC相比IFE的稳健性得到了有效的提高。      

第ⅢA族金属叠氮多聚体结构和性质的理论研究

在DFT-B3LYP/SDD水平上计算研究了第A族金属叠氮多聚体(Me₂MN₃)_n(n=1～3,M=Ga,Al)的结构和性质.多聚体(Me₂MN₃)₂,3的各优化构型均为环状,通过一子体系叠氮基的α-N和另一子体系的金属Ga或Al相连.二聚体(Me₂MN₃)₂中含M2N2平面四元环结构,三聚体(Me₂MN₃)₃具有结合能相近的扭船式和椅式两种构象,均含M₃N₃六元环结构.与单体相比,多聚体的几何参数变化较大.报道了它们在不同温度下的热力学性质,发现叠氮二甲基镓和铝体系以二聚体形式存在.     

基于修正Mel域掩蔽模型和无语音概率的耳语音增强

提出了一种基于修正Mel域听觉掩蔽模型和无语音概率的耳语音增强方法。该方法根据耳语音的发音特点对Mel频率进行修正,对每一帧耳语音信号进行Mel域频带滤波,同时通过无语音概率(SAP)动态地确定每个频带的听觉掩蔽阈值,对不同的听觉掩蔽阈值自适应地调整谱减系数来进行耳语音增强。对增强后的耳语音进行客观和主观测试,结果表明,该方法与其它谱减法相比,能将残留噪声和背景噪声控制在人耳掩蔽阈值下,取得更小的语音失真,主观听觉也得到了很大的改善。