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591.
本文在研究IMOS器件结构的基础上, 分析了该器件不同区域的表面电场, 结合雪崩击穿条件, 建立了P-IMOS的阈值电压解析模型. 应用MATLAB对该器件阈值电压模型与源漏电压、栅长和硅层厚度的关系进行了数值分析, 并用二维器件仿真工具ISE进行了验证. 结果表明, 源电压越大, 阈值电压值越小; 栅长所占比例越大, 阈值电压值越小, 硅层厚度越小, 阈值电压值越小. 本文提出的模型与ISE仿真结果一致, 也与文献报道符合. 这种新型高速半导体器件IMOS阈值电压解析模型的建立为该高性能器件及对应电路的设计、仿真和制造提供了重要的参考.  相似文献   
592.
4-甲醛-1-甲基-1-苯基环己硅烷的从头算研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
运用从头计算法,在HF/6-31G水平上,求得4-甲醛-1-甲基-1-苯基环己硅烷的全优化几何构型和电子结构。将从头算结果与经典电子理论以及AM1和PM3半经验计算结果进行了比较和评估。  相似文献   
593.
研究了废碳锌电池和碱性电池中金属锌和金属锰的回收.经过破碎、分选、制作球团等处理,在500'℃条件下可有效回收金属锌,在1500℃条件下可有效回收金属锰.  相似文献   
594.
运用量子化学中HMO和CNDO/2方法,研究苯酚及其硝基衍生物的液相酸性,发现其pk_a和分子中羟基氧上的电荷密度(尤其是π电子密度、π轨道可极化率),以及氧、氢原子间的Wiberg和Mulliken键序之间,存在着良好的线性关系。这有助于从分子的电子微观层次深刻认识本系列炸药及其相关物的酸性递变规律,并可通过简单计算预示一些难以实测分子的离解常数。  相似文献   
595.
企业集团内部运作机制的完善从总体上看,吴江市的乡镇企业集团尚处于初创阶段,虽不乏一些先行者,但大量的企业集团,无论其组建还是其内部机制都有待于规范,现探索于下:(一)建立母子公司体制,理顺集团内部产权关系。按照现代企业制度的要求,集团内部成员的基本关系应该是产权关系。规范乡镇企业集团内部产权关系,就必须按照母子公司结构对现有集团进行产权改组,通过增强产权联结纽带来强化原有的行政纽带或横向合作纽带。因而就要对现  相似文献   
596.
P—W系杂多阴离子柱水滑石的制备及表征   总被引:6,自引:0,他引:6       下载免费PDF全文
本文采用微波法,首次制了第四周期系过滤金属取代三元杂多阴离子(PZW11)柱水滑石。经XRD、DTA、IR、UV-DRS和ESR表征。结果表明插入层间的柱高约为1.0nm,进入水滑石层间的杂多阴离子与其盐的IR振动类型和振动频率很相近,并且在水滑石层间PW12基团不能稳定存在,可能已部分发生降解,而PZW11则能稳定的存在于水滑石层间。UV结果表明,进入水滑石层间的杂多阴离子的桥氧与钨(Ob/Oc  相似文献   
597.
以DELPHI分子力学程序优化了粘土力场。计算研究了高岭石、地开石、珍珠陶土、叶蜡石1Tc和叶蜡石2M等五种粘土的结构、电荷分布和红外光谱等性质,所得结果与实验结果比较相符。  相似文献   
598.
HMX晶体和HMX/F2311 PBXs力学性能的MD模拟研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
肖继军  黄辉  李金山  张航  朱伟  肖鹤鸣 《化学学报》2007,65(17):1746-1750
用分子动力学方法, 在295 K NVT系综和COMPASS力场下, 对环四甲撑四硝胺(HMX)晶体和F2311沿HMX (001), (010)和(100)晶面所构成PBXs模型的力学性能进行模拟研究. 结果表明, 加入F2311降低了HMX的刚性, 增强了它的延展性. 在HMX (100)面上添加F2311对提高体系的延展性较显著. 为考察温度对力学性能的影响及其机理, 在245~445 K范围完成对HMX (100)/F2311 PBX的MD模拟. 力学分析表明, 随温度增加HMX (100)/F2311的延展性呈抛物线变化规律, 归因于F2311分子链的运动及其构象随温度的变化.  相似文献   
599.
IntroductionZeolites ,microporousaluminosilicalites ,anextraor dinarilydiverseandexcitingclassofadvancedinorganicmaterials ,areknownfortheircatalyticandshape specificpropertiesconcernedwiththeirmicroporousstructures .Adsorption ,polarizationandsubsequentdi…  相似文献   
600.
夏其英  肖鹤鸣  居学海  贡雪东 《中国化学》2004,22(11):1245-1249
Introduction The organoaluminum azide compounds have been widely used in many fields. These compounds are used as the azidating agents,1-3 and the energetic materials which are always used in national defence industry and in space technology, especially to generate thin films of AlN in various chemical vapor deposition (CVD) sys-tems.4-6 Aluminum nitride has useful properties for coatings, especially for optical or optoelectronic devices, acoustic wave devices and electronic microcircuits.7 …  相似文献   
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