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41.
设计了一种棋盘格子复式晶格的二维光子晶体:在二维正方形格子中,把截面为正方形的柱子旋转45°,同时在每个原胞中心引入一个圆形截面的柱子构成的光子晶体结构. 用平面波展开计算棋盘格子复式晶格的完全光子带隙,结果表明:棋盘格子复式晶格的完全光子带隙的Δω/ω比值几乎是普通棋盘格子的5倍,完全光子带隙的个数也增加. 与其他复式结构相比较,发现其最佳的Δω/ω比值是一类粗锐复合结构光子晶体的2.1倍.
关键词:
二维光子晶体
复式晶格
完全光子带隙 相似文献
42.
靶体响应力函数的确定方法及其在侵彻力学中的应用 总被引:3,自引:0,他引:3
首先,介绍了力函数的确定方法包括经验法、理论分析法和数值模拟法.其中经验法中给出了Forrestal半经验公式和改进的Wen半经验公式;理论分析法中详细介绍了空穴膨胀理论及其研究进展;数值模拟方法中模拟了半无限大材料中的球形和柱形空穴膨胀模型,并将模拟得到的结果与理论解进行了比较,发现二者吻合得很好.最后,给出了靶体响应力函数在侵彻力学中的应用. 相似文献
43.
硝酸甲酯分子间相互作用的DFT和ab initio比较 总被引:5,自引:0,他引:5
用密度泛函理论(DFT)和从头算(ab initio)方法,分别在B3LYP/6 31G和HF/6 31G水平上求得硝酸甲酯三种二聚体的全优化几何构型和电子结构,并用6 311G和6 311++G基组进行总能量计算.对HF/6 31G计算结果进行MP4SDTQ电子相关校正.在各基组下均进行基组叠加误差(BSSE)和零点能(ZPE)校正求得结合能.对6 31G优化构型作振动分析并基于统计热力学求得200~600 K温度下单体和二聚体的热力学性质.详细比较两种方法的相应计算结果,发现DFT求得的分子间距离较短,分子内键长较长,所得结合能均小于相应ab initio计算值. 相似文献
44.
45.
介绍了颗粒间扩散及颗粒内的主体扩散、努森扩散和表面扩散的基本原理,描述了Maxwell-Stefan方程在既有主体扩散又有努森扩散的过程、表面扩散过程以及三种扩散形式都有的过程中的多孔结构内传质方面的应用. 相似文献
46.
用光学相关识别方法测量单模光纤的折射率分布和色散 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍了一种测量单模光纤剖面折射率分布和色散的新方法--光学相关识别方法。应用计算全息制作高斯-拉盖尔模的匹配滤波器,根据光学相关识别原理测出单模光纤场分布的展开系数,由此推得剖面折射率分布和色散,给出了实际测量结果。 相似文献
47.
腐殖酸有机—无机复混肥(以下简称腐殖酸复混肥)是腐殖酸与复混肥的结合,为确定腐殖酸对肥料具有的缓释效果,笔者采用土柱淋溶法探讨了腐殖酸对复混肥中磷的释放效果的影响。1 材料与方法1.1 材料沙土—取自河北科技师范学院昌黎校区,主要成分为二氧化硅,含氮、磷、钾痕量。体积分数为0.98的硫酸AR;体积分数为0.30的过氧化氢;磷标准溶液,0.994g/L;酚酞指示剂;氨水1+1溶液;硫酸3+97溶液;钒钼酸铵试剂(自配);腐殖酸复混肥NPK(11.76-12.42-14.65);普通复混肥NPK(16-12-12);腐殖酸全磷含量为0.56%;淋溶装置为自制;电子分析天平(上海天平厂… 相似文献
48.
结合应变硅金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)结构,通过求解二维泊松方程,得到了应变Si沟道的电势分布,并据此建立了短沟道应变硅NMOSFET的阈值电压模型.依据计算结果,详细分析了弛豫Si1-βGeβ中锗组分β、沟道长度、漏电压、衬底掺杂浓度以及沟道掺杂浓度对阈值电压的影响,从而得到漏致势垒降低效应对小尺寸应变硅器件阈值电压的影响,对应变硅器件以及电路的设计具有重要的参考价值.
关键词:
应变硅金属氧化物半导体场效应管
漏致势垒降低
二维泊松方程
阈值电压模型 相似文献
49.
运用半经验分子轨道理论PM3方法计算丁基硝酸酯乙基硝胺与高分子粘结剂:聚乙二醇(PEG),端羟基聚丁二烯,缩水甘油叠氮基聚醚,3-叠氮甲基-3-甲基环氧丁烷聚合物和3,3-双(叠氮甲基)环氧丁烷聚合物的混合模型体系(高分子链节数n=1, 2, 3, 4),求得稳定几何构型.由色散能校正电子相关近似地求得其相互作用能ΔE.除PEG外,当n值增大时,混合体系的相互作用能趋于减小.混合体系中,2个子体系原子之间的最短距离为0.250~0.320 nm. 相似文献
50.