对两个密度误区的探讨

密度是初中教学重点和难点内容,往往形成认识上的误区.本文分析、讨论对密度误区的认识,通过认知冲突与理论分析来解释物理现象的本质.     

形变监测网的基准设计

在回顾监测网己有各种基准设计方法的基础上，指出并分析了上述方法的缺陷性，同时针对监测网的特点，分别对监测网的空域基准设计及时域基准设计进行了新的探讨，得出了一些有益的结论。     

基于PLC的煤矿配煤装车系统

本系统基于可编程序控制嚣(PLC)本身具有的逻辑和计算功能及抗干扰和抗震性能强的特点，实现煤矿配煤装丰系统的自动化控制。系统软件采用模块化编程。程序用梯形图语言编写。系统性能稳定，运行费用低，运行可靠。     

蒿属三种药用植物营养器官的解剖学研究

本文对大籽蒿、野艾、椒蒿的营养器官进行了组织形态学的观察.分析了药用植物的解剖学特征与药用成份的贮藏、运输和分泌的关系.并总结出这三种植物的茎与叶的显微结构特征可做为鉴别不同种和药材真伪的依据.     

钛-硅系快速热退火固相反应机制的研究

钛膜在10^-7Torr真空中用电子束蒸发沉积在硅单晶片上,以快速热退火方式进行团相反应。转靶X射线衍射分析发现,540—600℃退火后,有两个亚稳相Ti₅Si₄的衍射峰。延长退火时间,第一成核相Ti₅Si₄可持续存在到钛被消耗完,随即转变成稳定相TiSi₂。退火温度高于640℃,形成稳定相TiSi₂。薄层电阻和喇曼散射的测量研究结果表明,与X射线衍射有很好的对应。207和244cm^-1波数处的两个喇曼峰为TiSi₂的特征喇曼峰,而270,297和341cm^-1的三个喇曼峰似乎是由Ti₅Si₄引起。 关键词：     

一道课本例题的研究性学习

课本例题是通过精心编拟的，它具有代表性、典型性和可塑性，故在学习中，我们要善于研究它们，为此，本文以一例说明，供同学们参考．     

也谈一道高考题

2005年全国高考浙江卷理17（文19）题：     

大理下关风能资源利用气侯考察实例

考察研究下关风车广场无气象记录区域的常年盛行风向、不同高度平均风速及几十年一遇的极大风速、风压等建筑工程所需气候订正值。     

Preparation of Cu（In,Ga）Se2 Thin Film Solar Cells by Selenization of Metallic Precursors in an Ar Atmosphere

Cu（In, Ga）Se2 thin films are deposited on Mo-coated glass substrates by Se vapour selenization of sputtered metallic precursors in the atmosphere of Ar gas flow under a pressure of about 10 Pa. The in situ heat treatment of as-grown precursor leads to the formation of a better alloy. During selenization, the growth of CuInSe2 phase preferably proceeds through Se-poor phases as CuSe and InSe at relatively low substrate temperature of 250℃, due to the absence of In2Se3 at intermediate stage at low reactor pressure. Subsequently, the Cu（In,Ga）Se2 phase is produced by the reactive diffusion of CuInSe2 with a Se-poor GaSe phase at high temperature of up to 560℃. The final film exhibits smooth surface and large grain size. The absorber is used to fabricate a glass/Mo/Cu（In, Ga）Se2/CdS/ZnO cell with the total-area efficiency of about 7%. The low open-circuit voltage value of the cell fabricated should result from the nonuniform distribution of In and Ga in the absorber, due to the diffusion-controlled reaction during the phase formation. The films, as well as devices, are characterized.