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712.
TEMPORAL CHARACTERISTICS OF DECAY OF LIGHT-INDUCED ABSORPTION IN PHOTOREFRACTIVE BaTiO3 CRYSTALS
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We report the observations of the decay processes of light-induced absorption in one undoped and two Ce-doped BaTiO3 crystals. Two decay times were found, they had not a strong dependence on intensity in our experiment. We present a model with two different shallow trap centers to explain the experimental results. The theoretical and experimental resales agree well with each other. The light-induced absorption coefficients and decay times corresponding to the two shallow levels are also given. 相似文献
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5-[(3,5-二溴-2-吡啶)偶氮]-2,4-二氨基甲苯对铜和钴是高灵敏度和高选择性试剂,其单晶系P21/n空间群,晶胞参数α=11.477(5)Å、b=15.642(6)Å、c=8.311(4)Å、β=110.54(4)°,每个晶胞中有4个分子。 相似文献
714.
针对磷虾群算法在处理高维复杂问题时,容易陷入局部最优、收敛速度慢、求解精度低等不足,提出了一种正交对角化的磷虾群算法.该算法根据适应度值排序分组磷虾群,通过正交对角化策略,吸收优质磷虾的经验,引导磷虾群寻优,同时兼顾"平凡"磷虾按常规方法寻优,从而提升了全体磷虾寻优能力,并保持了种群多样性.对标准测试函数的实验表明了该... 相似文献
715.
传统的M QAM抗干扰能力较差,若使用减小M的方法提高抗干扰力,又会降低频带利用率,本文提出一种自适应变速率M QAM系统,根据信道情况自动调整M值,并研究了该系统在无线移动瑞利衰落信道中的性能,其频带利用率大于等于3.2b/s/H z,远远高于一般系统的相应指标。 相似文献
716.
717.
Characterization of low-resistance ohmic contacts to heavily carbon-doped n-type InGaAsBi films treated by rapid thermal annealing
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Carbon-doped In Ga As Bi films on In P:Fe(100)substrates have been grown by gas source molecular beam epitaxy(GSMBE).The electrical properties and non-alloyed Ti/Pt/Au contact resistance of n-type carbon-doped In Ga As Bi films were characterized by Van der Pauw-Hall measurement and transmission line method(TLM)with and without rapid thermal annealing(RTA).It was found that the specific contact resistance decreases gradually with the increase of carrier concentration.The electron concentration exhibits a sharp increase,and the specific contact resistance shows a noticeable reduction after RTA.With RTA,the In Ga As Bi film grown under CBr4 supply pressure of 0.18 Torr exhibited a high electron concentration of 1.6×1021 cm-3 and achieved an ultra-low specific contact resistance of 1×10-8Ω·cm2,revealing that contact resistance depends greatly on the tunneling effect. 相似文献
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720.
凸轮机构是机械中一种常用机构,在自动化和半自化机械中应用非常广泛。随着计算机的普遍使用及其应用技术的发展,为凸轮机构系统的设计奠定了良好的基础。同时计算机辅助设计既提高了凸轮设计的精度,也使得凸轮机构中的基圆、滚子半径、平底倾斜角、中心距等基本尺寸的确定提供了合理的依据,而这也是凸轮机构运动学分析和设计计算中最基本的内容。 相似文献