二元掺杂镧锰氧化物La-Ca-Ba-Mn-O的庞磁电阻特性

用固相反应法制备了二元掺杂的镧锰氧化物La_0.67(Ca_0.6Ba_0.4)_0.33MnO_z(LCBMO)立方多晶体材料,研究了其磁特性和庞磁电阻特性,并与用类似方法制备的一元掺杂的La_0.67Ca_0.33MnO_z(LCMO)及La_0.67Ba_0.33MnO_z(LBMO)的庞磁电阻特性进行了比较.研究表明,LCBMO的居里温度T_C为312K,介于LCMO和LBMO的T_C（分别为280,362K）之间,其金属-半导体转变温度T_p和μ₀H=0.6T下的磁电阻（MR）峰值温度T_m分别为306,298K,接近于其T_C,也介于LCMO和LBMO的T_p和T_m之间.μ₀H=0.6T下,在各自的T_m处,LCMO,LCBMO和LBMO的庞磁电阻值分别达到41%,24.7%和8%,但在室温（300K）处,LCBMO的MR值仍达到20％,远大于LCMO和LBMO的值（分别为2.0％和2.4％）.研究还发现,在温度远低于T_m时,LCMO仍保持一定的磁电阻效应,而LCBMO和LBMO的磁电阻温度降低而增加,这些低温磁电阻特性与材料的结构特征（如晶界和致密度）有关. 关键词：     

各向异性损伤力学中的弹塑性分析

提出了一套分析损伤力学问题的各向异性弹塑性理论公式及其相应的有限元分析,通过对各向同性及各向异性损伤力学的数值算例的分析说明该理论公式的适用性。     

扰动角关联在化学中的应用(续)

扰动角关联技术应用于化学扰动角关联在化学中的应用主要可分为固体化学、溶液化学、热原子化学及辐射损伤。除了同质异能跃迁以外,核探针与其衰变母体的化学性质不同。放射性衰变导致了子体的电子核心变化。衰变后效应包括Z 的变化,随着β-衰变产生的电离作用、运动反冲、抖脱激发和次级电离过程,其中同质异能跃迁和β衰变只产生温和的后效应,而电子俘获的Auger 过程则会产生分子和原子的强烈扰动。     

RbCl和CsCl水溶液结构的X射线散射及经验势结构精修模拟（英文）

采用X射线散射法研究了Rb Cl和Cs Cl水溶液的结构,利用基于经验势的结构精修(EPSR)方法获得了溶液中的水合Cl~-、Rb~+、Cs~+、离子缔合及本体水的对径向分布函数、配位数分布及空间密度分布(3D结构)等结构信息。在水溶液中,Cl~-具有相对稳定的6水合结构,其水合距离为0.321 nm,外加阳离子对其水合作用的影响不明显。7.3±1.4个水分子与Rb~+水合,其特征水合距离为0.297 nm,8.4±1.6个水分子与Cs~+水合其水合距离为0.312 nm。Cs~+不具有第二水合层,而Rb~+表现出了更强的水合能力,具有较明显的第二水合层。Cl~-、Rb~+及Cs~+常被认为是"结构破坏"型离子。从微观角度来看这种所谓的"结构破坏"主要体现在破坏了本体水分子的第二水合层保持四面体构型的趋势。Rb Cl和Cs Cl水溶液中部分存在着Rb-Cl和Cs-Cl直接接触离子对,在1.0 mol·dm~(-3)的溶液中Rb–Cl及Cs–Cl的特征距离分别为0.324和0.336nm,溶剂分割离子对的距离则都在0.6 nm左右。相对于Cs~+,Rb~+与Cl~-离子之间表现出了更强的缔合能力。     

利用单传声器分解和测量管道内的高次模式声波

利用数字声源信号可完全重复的特点,提出了通过单传声器对管道高次模式声波进行分解和测量的方法.阐述了此模式分解方法的基本原理,建立了相应的测试系统.通过试验测量,与传统的驻波管法相比较,验证了此方法的有效性.给出了一个典型的试验应用,对于口径为600mm的方形管道,在频率为500,1 000,2 000Hz时,对管中存在的高次模式声波进行测量和分解.此方法的特点是仅需要使用单个传声器进行测量,并提高了可分解的高次模式数量.     

基于强度调制/直接探测系统的偏振解复用方法

针对强度调制/直接探测(IM/DD)系统,采用一种改进型光分路器结合数字信号处理(DSP)算法,实现了一种简单有效的偏振解复用方法。仿真结果表明,在2×40Gb/s的偏振复用强度调制/直接探测(PDM-IM/DD)系统中,该方法能够较好地分离两路偏振复用信号,并且算法收敛迅速,与传统IM/DD系统相比,误码率为10-4时对应的功率灵敏度仅为-2.3dBm。     

当前民办高等教育发展的困境及解决路径

民办高等教育在发展过程中面临诸多困境,如产权不明、定位特色不清、大学适龄人数减少等主客观多方面困境,为实现民办高等教育的可持续发展,需要进一步完善落实相关法律法规,加强政府投入,构建学校新体系,紧抓学校招生情况,落实民办与公办教育师生平等的待遇。     

一种新型SOI结构——SiGe-OI材料研究进展

SOI(silicononinsulator ,绝缘层上的硅 )技术和SiGe(silicongermanium ,锗硅 )技术都是微电子领域的前沿技术 .SiGe-OI(SiGe -on -insulator ,绝缘层上的锗硅 )新型材料是最近几年来才出现的一种新型SOI材料 ,它同时具备了SOI技术和SiGe技术的优势 ,因而成为当前微电子研究领域的最前沿课题之一 .文章结合中国科学院上海微系统与信息技术研究所的工作 ,综述了SiGe-OI材料研究情况和应用前景 ,详细介绍了其主要的制备方法 ,最后报道了作者在SiGe -OI材料研究上的一些实验结果 .