Growth and Characterization of A1GaN/A1N/GaN HEMT Structures with a Compositionally Step-Graded A1GaN Barrier Layer

A new A1GaN/A1N/GaN high electron mobility transistor （HEMT） structure using a compositionally step-graded A1GaN barrier layer is grown on sapphire by metalorganic chemical vapour deposition （MOCVD）. The structure demonstrates significant enhancement of two-dimensional electron gas （2DEG） mobility and smooth surface morphology compared with the conventional HEMT structure with high A1 composition A1GaN barrier. The high 2DEG mobility of 1806 cm2/Vs at room temperature and low rms surface roughness of 0.220 nm for a scan area of 5μm×5 μm are attributed to the improvement of interracial and crystal quality by employing the stepgraded barrier to accommodate the large lattice mismatch stress. The 2DEG sheet density is independent of the measurement temperature, showing the excellent 2DEG confinement of the step-graded structure. A low average sheet resistance of 314.5Ω/square, with a good resistance uniformity of 0.68%, is also obtained across the 50 mm epilayer wafer. HEMT devices are successfully fabricated using this material structure, which exhibits a maximum extrinsic transconductance of 218 mS/ram and a maximum drain current density of 800 mA/mm.     

Ab Initio Comparative Study of Zincblende and Wurtzite ZnO

By employing the first-principles pseudopotential plane-wave method, the physical properties of zincblende ZnO are investigated in comparison with those of the common wurtzite structure. Zincblende ZnO is predicted to be a direct gap semiconductor. Compared to the wurtzite structure, the zincblende ZnO is characterized by smaller bandgap and pressure coefficient, larger electron effective mass, increasing static dielectric constants and more covalent bonding. Furthermore, the optical properties including dielectric function and energy loss function of zincblende ZnO were obtained and analysed with some features. These aspects reveal promising applications of zincblende ZnO in optoelectronic devices.     

微生物基因芯片鉴定及再生利用

生物芯片是一种重要的生物分子检测方法,在科研和医学应用领域被广泛关注。该文以大肠杆菌和黄单胞菌检测为例研究微生物的基因芯片鉴定方法和生物芯片的再生使用价值,采用一种自主研制的新型微阵列芯片扫描仪对微生物鉴定和生物芯片的重复利用开展理论与实验研究。结果表明基因芯片鉴定微生物是非常可靠的,所设计的生物分子探针与芯片表面修饰分子的结合很牢固,5次重复杂交清洗后依然可以产生良好的荧光信号,从而验证了再生芯片使用的可行性。为了提高生物芯片的重复使用次数,论文还对生物芯片的设计与荧光标记方法进行了分析讨论。     

基于细胞图像肺癌诊断系统的设计与实现

基于细胞图像的肺癌诊断系统主要是利用数字图像处理和模式识别的技术对肺癌细胞的图像处理，并根据提取出的细胞特征对肺癌进行早期的病理诊断．不同于以往的细胞诊断系统，文中提出了新的细胞分割和重叠细胞重构的方法．首先把彩色肺癌细胞图像转化为灰度图像，对其进行平滑、去噪，然后用一种新的基于强化学习的方法寻找合适的灰度阈值，把细胞区域分割出来，形成二值图像，并对图像进行基于形态学的二值滤波，再针对此时分割出的重叠细胞，利用一种改进的deBoor—Cox方法分离与重构，最后进行特征提取，根据提取出来的多种特征对细胞分类，诊断出肺癌细胞．     

复发转移乳腺癌68例临床分析

：目的探讨复发转移乳腺癌的临床特点、最佳治疗方法和治疗效果。方法对68例复发转移乳腺癌病人，采取化疗，结合手术、放射治疗、术后辅助化疗。结果46例伴有内脏转移的多个部位以上复发转移病人，经化疗病灶缩小明显（PR）14例，病情稳定（SO）16例，病情进展（PD）16例，临床获益（CR＋PR＋SD）65％（30/46），1年生存率65％。22例单个复发转移病灶化疗后PR20例，PD2例，临床获益90％（20/22），2年无瘤生存率90％。结论乳腺癌复发转移应以化疗为主，配合手术、放疗、及内分泌治疗，可提高患者生存期，改善生活质量。     

粒径均匀的纳米BaTiO3粉体制备

本文分析了纳米超细粉体制备的化学沉淀法中溶液滴加法混合的缺点:胶粒生成、团聚与陈化等在时间顺序上逐渐发生而严重不同一,成为粉体颗粒分散性好、粒径均匀的障碍.本文将溶液滴加混合改为快速混合,发挥各因素同一性和优势,通过草酸共沉淀法制备成颗粒分散性好、粒径均匀、只有软团聚的纳米BaTiO3粉体,平均粒径达到28 nm.     

特别中转站(二)

收音机里走出了小蓝人星期二,埃玛看到阳台门的玻璃上有一个盘子大小的圆孔,可站起来走近仔细瞧时,却什么也没发现。当她坐回躺椅上时,又看     

广西古建筑管窥

本文首先从总体上对广西古代古建筑进行概略介绍，然后对其中几处典型的古建筑作了考察与研究，介绍了三江程阳桥，崇左归龙斜塔和容县真武阁的建筑风格与特点。根据作者亲自考察的数据和结果，对崇左归龙斜塔和容县真武阁的建筑特点及其力学结构作了分析，文中分布了考察容县真武阁的实录资料。     

积分中值ξ=ξ(x)的渐近性

对一类不满足g(n)≠0的函数g讨论了第一积分中值定理中ξ=ξ(x)在x→+∞时的渐近性质,并对第二积分中值定理的中值ξ=ξ(x)的渐近性进行了探讨,给出一些相关的结果.