经济数学教学中能力的培养

经济数学作为财经类高等院校的核心课程，它是财经类院校的基础课，同时又是素质教育的重要组成部分。面对２１世纪，随着计算工具和计算技术的飞速发展，在各个经济领域中，经济教学日益成为解决实际问题的有力工具。数学技术（数值计算与仿真、图象处理、统计分析等）已与理论研究、实验研究三足鼎立，正在现代社会进步中起着巨大的作用。在这种形势下，大学数学教育除了培养学生传统的逻辑推理能力、几何直观能力外，还应培养学生的数学创造能力和科学计算能力。现代社会对经济数学的教学提出了更高的要求，我们应该思考在传授书本知识的…     

表面涂层不锈钢抗菌性能的研究

用溶胶 凝胶法在经过表面氧化处理的不锈钢基板上制备含银的锐钛矿型二氧化钛复合薄膜,对薄膜进行了XRD、SEM、光学显微镜等分析,并对不锈钢的抗菌性和其他性能进行了测定,讨论了样品中结构与性能的关系。     

一种10bit 50MS/s低功耗流水线模数转换器

设计了一个10 bit精度,50 MS/s采样频率的流水线型模数转换器,通过运算放大器共享和省略采样保持实现低功耗.第1级为单比特输出,它能够在将信号摆幅减半的同时保持信噪比不衰减,减半的摆幅使得运放直流增益和带宽要求以及电容匹配要求降低.由于采用运放共享技术,该设计只使用了4个运放,功耗相比传统结构降低1/3.采用0...     

多元酸交联聚乙烯醇膜渗透汽化分离性能研究

用多元酸作交联剂与聚乙烯醇（ＰＶＡ）进行反应制得渗透汽化膜,对水－乙醇进行渗透汽化分离。研究了膜溶胀平衡过程,考察了料液组成对膜渗透汽化性能的影响。     

光子晶体波导对垂直腔面发射激光器光束远场形貌的调控

研究了光子晶体波导对垂直腔面发射激光器(VCSEL)光束远场形貌的调控.采用三层对称平板波导模型分析了影响光子晶体VCSEL(PC-VCSEL)远场发散角的参数.研究表明,PC-VCSEL中光子晶体的填充比(空气孔直径和光子晶体周期的比值)以及空气孔的刻蚀深度控制了光束的发散角,低填充比和浅刻蚀的PC-VCSEL有利于获得低发散角的光束.设计并制作了两种不同结构参数的PC-VCSEL,这两种器件中光子晶体的填充比和空气孔的刻蚀深度不同.实验结果表明,低填充比和浅刻蚀的PC-VCSEL的发散角更低,与理论分析符合得很好.     

立体耦合光子晶体薄板微腔的高Q值特性研究

利用微腔之间的立体耦合,提出了基于无源材料硅的双层光子晶体薄板H1(DLPCS-H1)腔,薄板之间为空气层.使用三维时域有限差分方法和Padé近似方法分析了DLPCS-H1腔的偶极模的场分布和品质因子.通过对中间空气层高度的优化使DLPCS-H1腔的偶极模的品质因子得到了显著的提高,大约为单层光子晶体薄板H1腔的偶极模的品质因子的4倍.此外,还研究了三层光子晶体薄板H1腔,它的偶极模的品质因子约为单层光子晶体薄板H1腔的偶极模的品质因子的7倍.     

马来酸酐接枝类相容剂对PC/ABS共混体系的影响

采用马来酸酐接枝类相容剂对PC/ABS共混体系进行增容改性是提高PC/ABS相容性的有效措施.文章综述了PC/ABS共混体系相容剂的研究近况,主要介绍了马来酸酐接枝类相容剂对PC/ABS共混体系的相容性、微观结构、力学性能等方面的影响,讨论了该类相容剂的增容机理.     

独立型风光柴储微电网的电源容量优化与配置

为准确配置独立型微电网容量,针对独立型风光柴储发电系统,给出一种以供电可靠性为约束,以系统全寿命周期成本净现值为目标函数的分布式发电单元容量优化方法.利用NASA气象网站的风速和日照辐射资料,生成单位容量风光电源的年度出力曲线;根据各分布式电源的寿命和购置运行维护成本,建立了微电网系统寿命周期内各分布式电源的成本净现值计算模型.在实例分析中,针对2种不同的负荷曲线,通过遗传算法求解,验证了该方法的有效性和正确性.     

镀银铜粉导电涂料的研究

研制了镀银铜粉导电涂料,研究了搅拌速度、乙二胺四醋酸二钠盐和硬脂酸甘油酯对镀银铜粉电阻的影响;并对铜粉的含量和漆膜厚度对涂料导电性能的影响进行了探讨.结果说明:该实验研制的镀银铜粉含银量少(含银量约为铜粉重量的1%~6%)、成本低、导电性能稳定,制备方法简单、易操作.     

高容量有机正极材料杯[4]醌在离子液体中的储锂性能

选用理论容量高达446 mAh·g~(-1)的杯[4]醌(calix[4]quinone,C4Q)作为正极材料,研究其储锂性能。由于C4Q在常规有机电解液中的溶解问题会在一定的程度上限制其性能最大化,我们选用Li[TFSI]/[PY13][TFSI]([PY13][TFSI]:1-丙基-1-甲基吡咯烷鎓双三氟甲基磺酰亚胺)离子液体电解液与C4Q进行匹配组装锂离子电池,较大程度地提升了其循环稳定性和倍率性能。在0.1C的电流密度下,循环100圈后的放电比容量为280 mAh·g~(-1),1 000圈后的容量保持率高达72%。当电流密度增加至1C时,放电容量仍有154 mAh·g~(-1)。