基本FFET的试制和性能研究

论述了铁电场效应晶体管（ＦＦＥＴ）的基本工作原理，给出了其设计方案．采用ＳＯＬ－ＧＥＬ法制备了基本的ＭＦＳ－ＦＥＴ和ＭＦＯＳ－ＦＥＴ，对其电性能进行了测试分析．测试结果表明：ＭＦＯＳ结构的ＦＦＥＴ具有极化存储特性．     

Co—Fe—Cu合金颗粒膜的穆斯堡尔谱研究

对利用熔甩法制备的Ｃｏ１０Ｆｅ５Ｃｕ８５样品在室温至８００℃范围进行了一系列的等时退火,采用室温穆斯堡尔谱测量,研究了制备态和不同温度退火样品的结构和相分布变化,研究表明,随着退火温度的升高,合金的超顺磁相先增加而后又减少,并在４５０℃达到峰值,说明巨磁阻效应与超细微颗粒的含量密切相关。     

生物芯片碳微电极的C-MEMS工艺研究

采用C-MEMS(carbon-microeletromechanic system)新型工艺制备碳微电极,将光刻胶经光刻、热解而得到导电碳微电极图形.利用国产BP212光刻胶及进口SU-8光刻胶高温热解分别得到方块电阻为120 Ω/□的平面碳微电极和厚度约为7 μm的柱状三维电极.该工艺与金属微电极制备方法相比,具有工艺简单、成本低、可重复性强,设计灵活的优势,所制备得到的碳微电极具有良好的电学性能,满足使用要求.     

Au/PZT/BIT/p-Si异质结的制备与性能研究

采用脉冲激光沉积(PLD)工艺,制备了以Bi₄Ti₃O₁₂(BIT)为过渡阻挡层的Au/PZT/BIT/p-Si异质结.研究了BIT铁电层对Pb(Zr_0.52Ti_0.48)O₃(PZT)薄膜晶相结构、铁电及介电性能的影响,对Au/PZT/BIT/p-Si异质结的导电机制进行了讨论.氧气氛530℃淀积的PZT为多晶铁电薄膜,与直接淀积在Si基片上相比,加入BIT铁电层后PZT铁 关键词： 铁电薄膜 异质结构 脉冲激光沉积(PLD)     

PS湿敏二极管特性研究

研制了Ｎ型和Ｐ型二种衬底材料构成的ＰＳ湿敏二极管,在不同湿度下,分别测试其Ｉ－Ｖ特性．结果表明,在一定电压下,无论Ｎ型衬底,还是Ｐ型衬底,其ＰＳ二极管的反向电流都随相对湿度的升高而增大,其正向特性却基本保持恒定,即在一定电压下,其正向电流不随湿度发生明显变化．通过与ＰＳ的电容、电阻的湿敏特性进行比较,发现电流的湿敏特性具有较好的稳定性和重复性．并根据这种二极管的结构和电流输运过程,对其湿敏机理及特性进行了分析     

PZT／SiO2／Si界面的XPS分析

采用ＳＯＬ－ＧＥＬ工艺在ＳｉＯ２／Ｓｉ衬底上制备了铁电薄膜，对ＰＺＴ／ＳｉＯ２／Ｓｉ结构进行了ＸＰＳ分析，结果表明，在ＰＺＴ铁电薄膜和硅衬底之间加ＳｉＯ２使Ｆ／Ｓ界面得到了改善。     

微处理器温度补偿晶体振荡器的设计

设计了一种新的微处理器温度补偿晶体振荡器(MCXO)，通过对硬件和软件的精心设计，使其达到设计要求.     

晶体管GP模型参数提取中的一种全局寻优算法

提出了一种新的可应用于晶体管参数提取的全局寻优算法，简化了参数提取过程.在该算法中，首次采用了一种新的方差调整方案，从而提高了收敛速度和精度，对MJE13005晶体管进行参数提取与PSPICE模拟，模拟结果与器件测试结果符合较好.     

核孔膜中α-Fe生长的穆斯堡尔谱研究

以聚合物核孔膜为模板，利用电化学沉积方法成功地制备出α-Fe纳米线阵列组装膜.通过室温穆斯堡尔谱测量研究α-Fe纳米线阵列的结构特性，结果表明样品中存在明显的超顺磁颗粒，显示了孔径对α-Fe生长形态有强烈的影响.     

PZT／SiO_2／Si界面的XPS分析

采用ＳＯＬ－ＧＥＬ工艺在ＳｉＯ２／Ｓｉ衬底上制备了铁电薄膜，对ＰＺＴ／ＳｉＯ２／Ｓｉ结构进行了ＸＰＳ分析，结果表明，在ＰＺＴ铁电薄膜和硅衬底之间加ＳｉＯ２使Ｆ／Ｓ界面得到了改善．