压密注浆技术在基坑加固工程中的应用

某住宅小区地下室工程施工时,基坑发生变形,危及基坑安全。后采用压密注浆工艺,对原设计基坑进行加固,成功地避免了基坑坍塌事故的发生。     

PZT／Si异质结的电特性研究

采用Ｓｏｌ／Ｇｅｌ工艺制备ＰＺＴ／Ｓｉ结构，从该结构的极化特性、开关特性和Ｉ－Ｖ特性等方面研究了硅衬底上铁电薄膜的自偏压异质结特性．并以这种效应分析了ＦＲＡＭ电容中铁电薄膜的疲劳机制．     

双极型晶体管GP模型参数自动提取系统

在叙述晶体管模型参数提取原理的基础上,着重介绍了自制晶体管ＧＰ模型参数自动提取系统的工作原理．该系统通过计算机控制实现数据自动采集、采用模型参数总体优化提取方法提取晶体管ＧＰ模型参数．运用该系统对ＭＪＥ１３００５晶体管进行参数提取及ＰＳＰＩＣＥ模拟,模拟结果与器件外特性测试结果相符合     

电子镇流器的失效模型研究

阐述了新近研制成功的ＨＵＳＴ－ＹＺ４０ＥＢ型电子镇流器电路设计，用无冗余单机随机服务系统描述了电子镇流器电路网络的工作状态．在此基础上，对电子镇流器的有效度进行了计算及分析，并首次给出了电子镇流器的一般失效模式，探讨了独立式电子镇流器的马尔可夫失效模型     

制备PZT薄膜的Sol—Gel工艺研究

比较了Ｓｏｌ－Ｇｅｌ工艺制备ＰＺＴ薄膜的两种热处理过程成膜情况和对ＰＺＴ／Ｓｉ结构的影响，其中，低温烘烤、快速升温、高温退火的热处理方式有利于钙钛矿相成相。但ＰＺＴ薄膜完成全过程退火后难以进行图形加工。对含有ＳｉＯ２的Ｓｉ衬底上的情况分析表明ＳｉＯ２有改善界面特性的作用。     

Magnetostatic Coupling in Ba0.8Sr0.2TiO3/CoFe2O4 Magnetoelectric Composite Thin Films of 2-2-Type Structure

Ba0.8Sr0.2 TiO3/CoFe2O4 （BST/CFO） magnetoelectric composite thin films of 2-2-type structures are prepared onto Pt/Ti/SiO2/Si substrates by a sol-gel process and spin coating technique. The structure of the prepared thin film is substrate/BST/CFO/. . ./CFO/BST. Three CFO ferromagnetic layers are separated from each other by a thin BST layer. The upper CFO layer is magnetostatically coupled with the lower CFO layer. Subsequent scanning electron microscopy investigations show that the prepared thin films exhibit good morphologies and have a compact structure, and the cross-sectional mierographs clearly display a multilayered nanostructure of multilayered thin films. The composite thin films exhibit good magnetic and ferroelectric properties. The spacing between ferromagnetic layers can be varied by adjusting the thickness of intermediate BST layer. It is found that the strength of magnetostatic coupling has a great impact on magnetoelectric properties of composite thin film; that is, the magnetoelectric voltage coefficient of the composite thin film tends to increase with the decrease of pacing between two neighboring CFO ferromagnetic layers as a result of magnetostatic coupling effect.     

Co—Fe—Cu合金颗粒膜的穆斯堡尔谱研究

对利用熔甩法制备的Ｃｏ１０Ｆｅ５Ｃｕ８５样品在室温至８００℃范围进行了一系列的等时退火,采用室温穆斯堡尔谱测量,研究了制备态和不同温度退火样品的结构和相分布变化,研究表明,随着退火温度的升高,合金的超顺磁相先增加而后又减少,并在４５０℃达到峰值,说明巨磁阻效应与超细微颗粒的含量密切相关。     

铁离子在Tl系1223超导相中的分布研究

对不同掺铁量的T1系1223相样品,测量了室温和77K的穆斯堡尔谱。根据铁可能具有的不同局域环境,按四套四极劈裂双峰进行拟合。发现室温下四套亚谱的同质异能移位均为0.25mm/s左右,表明铁在1223超导相中以高自旋Fe^3 形式存在。其四极劈裂分别为1.40mm/s,1.12mm/s,0.55mm/s和1.90mm/s左右。按照点电荷-有效价键模型,计算了铁处于不同局域位置时的核四极劈裂的大小。对铁所占晶位进行指认。     

MFS和MFOS结构的C－V特性研究

采用ＳＯＬ－ＧＥＬ方法分别在Ｓｉ和含有ＳｉＯ２的衬底上制备出ＰＺＴ铁电薄膜，并获得了ＭＦＳ和ＭＦＯＳ结构．利用ＭＯＳ结构常用的Ｃ－Ｖ特性分析方法，对ＭＦＳ和ＭＦＯＳ结构进行了高频Ｃ－Ｖ特性测试分析，研究了Ｆ／（Ｏ）Ｓ的界面特性，结果表明，金属／ＰＺＴ／ＳｉＯ２／Ｓｉ的ＭＦＯＳ结构具有较低的界面态，可实现极化存储，并可望制成铁电场效应晶体管．     

张应力对准同形相界Pb(Zr,Ti)O3薄膜相变和铁电性能影响

采用射频磁控溅射法在Pt/TiO_x/SiO₂/Si基片上制备了以BaPbO₃(BPO)为缓冲层的Pb(Zr_0.52,Ti_0.48)Nb_0.04O₃ (Nb掺杂PZT, PZTN)薄膜.通过调整BPO层厚度,为该PZTN薄膜引入了不同的张应力.当BPO层厚度分别为68 nm和135 nm时,PZTN薄膜呈现随机取向,采用2θ-s 关键词： PZT 准同形相界 掠射扫描方式 结构精修