东昆仑造山带北缘早志留世黑云母花岗岩成因

昆北地区早古生代花岗岩记录了东昆仑造山带古特提斯造山带的构造演化的重要信息。选择柴达木盆地西南缘昆北早古生代花岗岩进行了详细的年代学、地球化学和锆石Lu-Hf同位素研究。结果表明：花岗岩的LA-ICP-MS锆石U-Pb年龄为430±1.05 Ma,形成时代为早志留纪;岩石具有高硅(SiO₂=70.0～71.9wt%)、高碱(Na₂O+K₂O=7.09～7.58wt%)、A/CNK=1.03～1.11的特征,属于弱过铝质高钾钙碱性Ⅰ型花岗岩;岩石富集Rb、Th、Pb等大离子亲石元素,亏损镍、钛、磷等高场强元素,具有明显的铕负异常(Eu/Eu^*=0.49～0.52);岩石具有富集的锆石Lu-Hf同位素,其ε_Hf(t)=-11.47～-0.36,对应的二次模式年龄为2.1～3.1 Ga,表明其起源于中元古代成熟地壳的黑云母脱水部分熔融。综合区域地质背景以及岩石地球化学特征,认为黑云母花岗岩是由于昆北地体和柴南地体碰撞后阶段,地壳物质在伸展减薄背景下发生脱水部分熔融形成的。     

以聚乙烯基咪唑为配基的内毒素亲和吸附剂的研究

通过乙烯基咪唑(VI)在硅胶粒子表面的自由基接枝聚合制备了一种以聚乙烯基咪唑为配基的新型内毒素亲和吸附剂. 用FTIR检测样品中咪唑基的特征吸收, 用热重分析法(TGA)测定了PVI的接枝率. 实验发现, PVI在吸附剂中的含量对内毒素的吸附率影响很大. 当PVI的接枝率为2.5％左右时, 吸附剂对内毒素的去除率最大. 在离子强度小于1 mol/L和pH=7的中性条件下, PVI吸附剂对内毒素具有最佳的吸附性能. 该吸附剂具有良好的血液相容性. 内毒素在该亲和吸附剂上的吸附等温线符合Freundlich吸附方程, 其吸附动力学为二级反应.     

光子晶体垂直腔面发射激光器的电流分布研究

对氧化限制型外腔式光子晶体垂直腔面发射激光器注入到有源区的电流密度分布进行了分析研究.提出三维电流分布计算模型,研究了光子晶体结构对电流密度分布和器件串联电阻的影响.研究发现,光子晶体孔刻蚀深度越深,电流分布圆对称性越差,引起的串联电阻越大.不同光子晶体图案对电流分布的均匀性和圆对称性也有很大的影响.该模型对于研究、设计氧化限制型外腔式光子晶体垂直腔面发射激光器提供了一个有用的分析方法.     

八皇后问题所有解的模拟DNA算法

建立了求解八皇后问题所有解的数学模型.根据八皇后问题解的性质提出了7个相关的算子:主转置算子、行翻转算子、列翻转算子、倒置算子、顺旋算子、逆旋算子和倒转算子.给出了等价可行解的概念,并以这7个相关算子为工具研究了等价可行解的性质和八皇后问题解空间的性质.由此给出了求解八皇后问题所有解的模拟DNA算法,并用Mathematica软件进行了实现,并得到了所有的可行解,进而验证了算法的正确性和可行性.     

聚酰胺亲和膜色谱用于去除内毒素的研究Ⅱ去除条件最佳化和应用

考察了所制备的带组氨酸配基的尼龙６６亲和膜在不同离子强度、ｐＨ值的盐溶液中及不同温度和流速下对内毒素的去除效果，并对这种亲和介质与内毒素的相互作用机理进行了研究。结果表明：在盐溶液离子强底低于０２ｍｏｌ／Ｌ、ｐＨ值３～８的范围及温度低于５０℃、流速小于５ｍＬ／ｍｉｎ下，可获得最佳去除效果。在选择的最佳条件下能有效去除牛血清白蛋白、氨基酸注射液、人血样等中的内毒素。去除率大部分在９０％以上，并能保留住这些样品溶液中绝大多数有效组分，回收率一般都高于８０％。     

基于部分基变量的LP问题矩阵算法

基于部分基变量提出了LP问题的矩阵算法. 该算法以最优基矩阵的一个充分必要条件为基础,首先将一个初始矩阵转化为右端项和检验数均满足要求的矩阵,再转为检验数满足要求的基矩阵,最后转化为最优基矩阵.该算法具有使用范围广、计算规模小、计算过程简化、计算机易于实现的优势.矩阵算法的核心运算是求逆矩阵的运算,提出了矩阵算法的求逆问题,讨论并给出了求逆快速算法,该算法充分利用了矩阵算法迭代过程中提供的原来的逆矩阵的信息经过简单的变换得到新的逆矩阵,该算法比直接求逆法计算效率更高.     

Single-mode low threshold current multi-hole vertical-cavity surface-emitting lasers

A multi-hole vertical-cavity surface-emitting laser (VCSEL) operating in stable single mode with a low threshold current was produced by introducing multi-leaf scallop holes on the top distributed Bragg-reflector of an oxidation-confined 850 nm VCSEL. The single-mode output power of 2.6 mW, threshold current of 0.6 mA, full width of half maximum lasing spectrum of less than 0.1 nm, side mode suppression ratio of 28.4 dB, and far-field divergence angle of about 10° are obtained. The effects of different hole depths on the optical characteristics are simulated and analysed, including far-field divergence, spectrum and lateral cavity mode. The single-mode performance of this multi-hole device is attributed to the large radiation loss from the inter-hole spacing and the scattering loss at the bottom of the holes, particularly for higher order modes.