可见近红外波段光谱辐射采集系统的设计与应用

针对目前卫星遥感器进行场地定标的光谱观测仪器的应用需求，设计了可见近红外波段(0.4 μm~1.0 μm)的光谱辐射采集电路系统，并结合光谱辐射采集模块进行了应用与数据分析。重点介绍了线阵探测器的选型与驱动需求，并完成了基于STM32微处理器的设计。结合辐射观测需求，在信号处理部分使用仪表放大器运放对探测器的模拟输出信号进行处理，并采用STM32内部的A/D转换器采集。分析数字信号输出的结果，该辐射测量电路系统的的采集数据达到了1 LSB的数据精度(≤0.8 mV)。探测器电路系统应用到光谱辐射采集模块中，进行了户外应用与数据分析，光谱辐照度比对结果的偏差小于5%。光谱辐照度的比对结果证明整个系统可以直接进行产品应用，满足野外辐射测量数据的可靠性获取。     

粉煤灰对硬化水泥浆泛霜的抑制作用

文章通过对硬化水泥浆泛霜的组成、泛霜数量以及孔结构的测试分析,研究了不同掺量的粉煤灰对硬化水泥浆体泛霜的影响。采用X射线衍射方法分析泛霜的组分;采用图像分析法分析了水泥浆的泛霜数量;用氮吸附法对硬化浆体的孔结构进行测试分析。结果表明,粉煤灰可有效抑制但不能消除泛霜;粉煤灰的火山灰效应和微集料效应的共同作用降低了孔溶液碱度、细化了结构孔径,有效地抑制了泛霜。     

板式铸钢节点静力性能试验研究

文章对新杭州火车东站无站台柱风雨棚板式铸钢节点进行了足尺模型试验和数值分析,研究了在4方向支管轴向力作用下的板式铸钢节点的受力性能。利用铸钢节点应力实测值对数值分析结果进行验证,据此判断铸钢节点内部应力分布;比较了中央有、无圆形雨水管2种铸钢节点的承载力差异,并选择屈服准则评估铸钢节点的承载安全性。试验结果表明:数值分析结果可信;中央雨水管对铸钢节点承载力影响较小;利用Von-Mises准则对铸钢进行节点承载安全性评估,铸钢节点有较高的强度储备。     

大跨度组合梁与预应力砼梁地震响应对比研究

选择相同跨度的组合梁与预应力梁工程实例,通过计算机仿真软件模拟分析两者在同一地震波作用下的地震响应时程曲线,对比研究两者的抗震性能。     

氮化硅粉末的冲击波活化研究

 研究了经过两种不同压力15.7 GPa和25.6 GPa的冲击波活化的Si₃N₄粉末的表观和显微特性及其烧结特性。结果表明冲击波活化在烧结过程中有明显的增进密实化进程的作用。     

Ho改性的Mn-Ce/TiO2催化剂低温脱硝性能的评价和表征

作为引起酸雨、光化学烟雾、雾霾等大气污染问题的主要根源,氮氧化物(NOx)的防治已成为亟待解决的问题.选择性催化还原技术作为最成熟有效的脱硝技术,目前已经被广泛应用于各燃煤电厂.低温脱硝催化剂具有优秀的低温活性,使得脱硝装置可以安放在脱硫装置和除尘装置下游,受到了学者广泛的研究.目前低温脱硝催化剂的研究主要是对催化剂进行改性以提高催化剂的性能,已有许多研究报道了Sn、Ni、Co、Zr、Cr、Ni等对催化剂的改性影响.Ho作为一种改性元素被应用于光催化领域,能提高TiO2的光催化能力.但Ho应用于脱硝领域的研究鲜有报道,其氧化物具有酸性位点有助于脱硝反应,因此研究Ho对低温SCR催化剂的改性作用具有重要意义.本文采用浸渍法制备Ho掺杂的Mn-Ce/TiO2催化剂,研究了Ho的掺杂对于Mn-Ce/TiO2催化剂低温脱硝性能的影响,同时还研究了烟气中的SO2和H2O对催化剂活性的影响,并利用XPS、XRD、H2-TPR、NH3-TPD等表征方法从物理性质和化学性质两方面对Ho改性的影响机理进行了研究.研究发现,Ho的掺杂能提高Mn-Ce/TiO2催化剂的脱硝能力,有助于催化剂N2选择性的提高.分析表明,Ho的掺杂有助于催化剂比表面积的提升,且能提高催化剂的酸性,有利于催化剂对NH3的吸附,从而提高催化剂的性能.XPS表征结果表明Ho掺杂后的催化剂具有更高的化学吸附氧浓度和较高的Mn4+/Mn3+比例, 使得脱硝反应更容易进行.改性后催化剂的抗水抗硫实验结果表明,Ho的掺杂能够提高催化剂的抗水抗硫性能.XRD结果表明,抗水抗硫实验后催化剂表面形成了硫酸铵盐,硫酸铵盐的形成会堵塞催化剂表面的活性位,限制脱硝反应的进行,从而影响催化剂的脱硝活性.同时,400°C下进行再生实验后的催化剂活性有所恢复,但是未能达到抗水抗硫实验前的活性,表明在抗水抗硫实验中催化剂表面形成了除硫酸铵盐以外的其他硫酸盐类.结合XPS和XRD表征结果,推断生成的盐类物质为硫酸锰和硫酸铈,从而导致再生后的催化剂的脱硝活性无法恢复到最初的活性水平.由此可以看出,硫酸盐的形成是催化剂在含硫气氛中失活的主要原因.     

Roles of V/III ratio and mixture degree in GaN growth: CFD and MD simulation study

To understand the mechanism of Gallium nitride (GaN) film growth is of great importance for their potential applica- tions. In this paper, we investigate the growth behavior of the GaN film by combining computational fluid dynamics (CFD) and molecular dynamics (MD) simulations. Both of the simulations show that V/III mixture degree can have important impacts on the deposition behavior, and it is found that the more uniform the mixture is, the better the growth is. Besides, by using MD simulations, we illustrate the whole process of the GaN growth. Furthermore, we also find that the V/III ratio can affect the final roughness of the GaN film. When the V/III ratio is high, the surface of final GaN film is smooth. The present study provides insights into GaN growth from the macroscopic and microscopic views, which may provide some suggestions on better experimental GaN preparation.     

我院信息服务的现状及面对入世影响的对策

从印刷型信息资源和网络信息资源两个方面分析了加入WTO后对我院信息服务的影响，并针对这些影响，提出了改进信息服务、收集国外文献站点、加强网络引导、抓住政府上网工程新机遇、引进“知识管理”概念和技术等五点措施。