ELECTROLUMINESCENCE SPECTRA OF GexSi1-x/Si SINGLE QUANTUM WELL

The electroluminescence of Ge_xSi_1-x/Si single quantum well was measured at temper-atures above room temperature along the growth direction and the direction normal to it. TO and NP peaks were resolved.     

GaAs/AlGaAs超晶格的光致发光

在温度T=77K,测量了GaAs/Al0.3Ga0.7As超晶格的光致发光,发现在波数ν=13156cm-1和ν=12289cm-1处分别存在一个强发光峰和一个弱峰.理论分析表明,强峰是量子阱中基态电子与重空穴复合发光;而弱峰与底层GaAs重掺Si有关.由强发光峰的半高宽可以确定量子阱中的掺杂浓度.理论计算值与实验结果符合得很好.     

(113)面硅衬底上自组织生长的GeSi量子点及其光荧光

用透射电子显微镜观察了Si(113)衬底上由固态源分子束外延生长的自组织量子点的形貌,测量了其原生及退火后低温下的光荧光谱.对所得结果进行了分析. 关键词：     

纳米结构的制备及单电子器件研究

建立了单电子器件的制备工艺和单电子器件的分析、测量系统,研究了有潜在应用价值的纳米结构加工技术,制备了适合光电集成的多种纳米结构,发展了常规光刻法制备单电子器件的多种技术,其中,在生命科学和信息领域有着广泛应用的“纳米电极对”引起了国内外专家的重视,发展以“纳米电极对”为基础的单电子器件及其应用是我们目前的主要研究方向,目前我们正在探索这种单电子器件在生命芯片、微电子系统集成方面的应用。     

Si(111)4×1-In表面上铟原子的粘着系数随温度的突变现象

用AES和RHEED研究铟原子在Si(111)4×1-In结构表面粘着系数与温度的关系。在110℃以下,几乎为零的铟原子的粘着系数是由于4×1-In结构的原子排列使表面呈现价键饱和状态所致;在110—120℃温区内发生的粘着系数的阶跃变化可以用表面熔化所导致的有序-无序的相变模型来解释;高于120℃,粘着系数始终接近于1。 关键词：     

Growth and Characteristics of Epitaxial AlxGa1-xN by MOCVD1

AlxGa1-xN epilayers with a wide Al composition range （0.2 ≤ x ≤0.68） were grown on AlN/sapphire templates by low-pressure metalorganic chemical vapour deposition （LP-MOCVD）. X-ray diffraction results reveal that both the （0002） and （1015） full widths at half-maximum （FWHM） of the AlxGa1-xN epilayer decrease with increasing Al composition due to the smaller lattice mismatch to the AlN template. However, the surface morphology becomes rougher with increasing Al composition due to the weak migration ability of Al atoms. Low temperature photolumineseence （PL） spectra show pronounced near band edge （NBE） emission and the NBE FWHM becomes broader with increasing Al composition mainly caused by alloy disorder. Meanwhile, possible causes of the low energy peaks in the PL spectra are discussed.     

Three-Step Growth Optimization of AlN Epilayers by MOCVD

A three-step growth process is developed for depositing high-quality aluminium-nitride （AlN） epilayers on （001） sapphire by low pressure metalorganic chemical vapour deposition （LP-MOCVD）. We adopt a low temperature （LT） A1N nucleation layer （NL）, and two high temperature （HT） A1N layers with different V/Ⅲ ratios. Our results reveal that the optimal NL temperature is 840-880℃, and there exists a proper growth switching from low to high V/Ⅲ ratio for further reducing threading dislocations （TDs）. The screw-type TD density of the optimized AIN film is just 7.86×10^6 cm^-2, about three orders lower than its edge-type one of 2×10^9 cm^-2 estimated by high-resolution x-ray diffraction （HRXRD） and cross-sectional transmission electron microscopy （TEM）.     

Al_xGa_(1-x)As/GaAs 异质结界面上二维电子气量子霍耳效应的测量

我们利用分子束外延技术生长的 Al_xGa_(1-x)As/GaAs 调制掺杂异质结材料做成霍耳测量样品,在 T=2K 的温度下及 B=4～5T 的磁场中进行了测量,得到 i=2时的量子霍耳电阻 R_H=12906.4±0.1Ω,总误差小于8ppm.     

中国分子束外延技术发展历程

<正>1前言分子束外延(以下简称MBE)是一种化合物半导体多层薄膜的物理淀积技术。其基本原理是在超高真空条件下,将组成薄膜的各元素在各自的分子束炉中加热成定向分子束入射到加热的衬底上进行薄膜生长(图1)。由于每一台分子束炉的炉口装有一个能快速开闭的快门,因而生长时能快速改变所生长材料的成分及掺杂种类。