笔迹对个体吸引力影响的实证研究

1引言笔迹是人的活动产品,是人的视觉-动作-大脑协调、情绪、注意、思维、乃至个性和能力等的投射。笔迹的特征由个体的生理、心理以及社会因素整合作用而成,它将个体隐藏在潜意识中的欲望、动机等不自觉的泄露出来,每个人的笔迹都具有个体特色。从某种意义上说,个性的发展、形成和巩固的过程与其笔迹达到稳固的动力定型是同步的。因此通过对书写者笔迹的分析,可以了解其性格、能力、心理和行为方式的特征。笔迹心理学作为应用心理学的分支,在西方已有百余年的历史。Satow和Rector曾让格式塔笔迹学家对成功首席执行官和控制组进行笔迹分析,…     

一维势阱中被噪声驱动的粒子的逃逸问题

通过计算机数值模拟直接解朗之万方程，得到一维势阱中被高斯白噪声驱动的粒子的逃逸率，并与理论结果进行了对照。     

两化融合是新型工业化的必然之路

对普通百姓而言,两化融合是个很抽象的概念。我们知道信息技术很重要,但是如何跟生产、生活结合起来,到底能为我们带来什么,却是很多人的共同困惑。国家信息化专家咨询委员会委员高新民在接受本刊记者采访时表示:两化融合并不遥远,它已经悄悄潜入我们的生产和生活中,并逐渐发挥作用,为传统制造业改造提升指明方向,引领企业摆脱困境、重塑竞争力,为人们生活带来越来越多的便利体验。     

从网络问政到“指尖”问政

互联网的飞速发展,将世界“织”进了同一张网,不仅极大地改变了我们开展工作、从事交易、享受娱乐、寻找信息的方法,也不断考验着政府的执政方式。通过互联网了解民情、汇聚民智、服务于民、受民监督,是现代政府与时俱进的跨越。从国家领导人与网民在线聊天,到各省官员通过各种形式在网上与百姓沟通,越来越多的中国官员通过网络问政于民,网民间政、议政蔚成风气。     

零价纳米铁对水中Cr(VI)的吸附动力学研究

 为开发新型环境材料,改进治理技术以控制或修复污染水体中Cr(Ⅵ),采用NaBH₄还原Fe³⁺制备纳米级零价铁(NZVI).X射线衍射(XRD)及扫描电镜(SEM)测试表明,制备的纳米铁颗粒纯度高、粒径小、粒度均匀.以Cr(VI)为研究对象,批试验考查了溶液初始浓度、NZVI投加量、温度等条件对去除效果的影响,研究了NZVI对Cr(VI)的吸附动力学.结果表明,室温、pH值为6-7时,NZVI加入量为0.15g/L,水体中Cr(VI)浓度为30.0mg/L时,Cr(VI)最大吸附量为198.02mg/g,Cr(VI)在NZVI上的吸附符合准二级动力学方程.实验结果显示,纳米零价铁能快速去除水体中Cr(VI);溶液初始浓度、NZVI投加量等是影响Cr(VI)脱除的主要因素,Cr(VI)去除率随反应温度和NZVI投加量升高而升高,随初始浓度升高而降低.实验表明,该纳米铁在废水除铬领域具有较好的应用前景.     

多层结构双自旋过滤隧道结中的电子输运特性

在转移矩阵方法及Mireles和Kirczenow的量子相干输运理论的基础上,研究了正常金属层/磁性半导体层/非磁绝缘层/磁性半导体层/正常金属层型双自旋过滤隧道结中Rashba自旋轨道耦合效应和自旋过滤效应对自旋相关输运的影响.讨论了隧穿磁电阻（TMR）、隧穿电导与各材料层厚度、Rashba自旋轨道耦合强度以及两磁性半导体中磁矩的相对夹角θ之间的关系.研究表明：含磁性半导体层的双自旋过滤隧道结由于磁性半导体层的自旋过滤效应和Rashba自旋轨道耦合作用可获得极大的TMR值.另外TMR和隧穿电导随着Rashba自旋轨道耦合强度的变化而振荡,振荡周期随Rashba自旋轨道耦合强度的增大逐渐减小. 关键词： 双自旋过滤隧道结 Rashba自旋轨道耦合 隧穿磁电阻 隧穿电导     

NM/FI/NI/FI/NM新型双自旋过滤隧道结的隧穿电导和隧穿磁电阻

在NM/FI/FI/NM型双自旋过滤隧道结(此处NM为非磁金属层，FI为铁磁绝缘体或半导体层)的基础上，我们提出一种NM/FI/NI/FI/NM新型双自旋过滤隧道结(此处NI表示非磁绝缘体或半导体层). 插入NI层的目的是为了避免原双自旋过滤隧道结中相邻FI层界面处磁的耦合作用所导致的对隧穿磁电阻的不利影响. 在自由电子近似的基础上，利用转移矩阵方法，对NM/FI/NI/FI/NM新型双自旋过滤隧道结的隧穿电导、隧穿磁电阻与FI层及NI层厚度的变化关系以及随偏压的变化关系进行了理论研究.计算结果表明，在NM/FI/NI/FI/NM新型双自旋过滤隧道结中仍可以得到很大的TMR值. 关键词： 双自旋过滤隧道结 隧穿磁电阻 非磁绝缘(半导)体间隔层     

微晶硅锗太阳电池本征层纵向结构的优化

采用射频等离子体增强化学气相沉积技术, 研究了辉光功率对微晶硅锗材料结构特性和光电特性的影响, 提出使用功率梯度的方法制备微晶硅锗薄膜太阳电池本征层. 优化后的微晶硅锗本征层不仅保持了晶化率纵向分布的均匀性, 而且形成了沿生长方向由宽到窄的渐变带隙分布, 使电池的填充因子和短路电流密度都得到了提高. 采用此方法制备的非晶硅/微晶硅锗双结叠层电池转换效率达到了9.54%.