离子注入方法制备半导体一维量子线

使用质子Ｈ￣＋和聚焦Ｇａ￣＋离子束方法，在ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱材料上制备半导体一维量子线。通过低温阴极射线发光谱和光致发光谱，测量了由于Ａｌ从ＡｌＧａＡｓ势垒向ＧａＡｓ量子阱内扩散导致的发光谱峰的兰移，并讨论上述两种离子注入方法各具有的特点及不同的结果。     

中国酒文化系列课程建设及教学探讨

鉴于中国酒和酒文化在我国国民经济及文化中的重要地位,结合在四川大学开展的中国酒文化系列课程建设和教学实践,在教学内容、教学手段、考核方式和师资队伍建设等方面进行了探讨,为酒文化及其他相关课程的教学建设和改革提供了思路.     

InGaAs/GaAs应变量子阱的光谱研究

分别用光致发光谱（PL），光伏谱（PV）及时间分辨谱（TRPL）的方法，测量了应变InGaAs/GaAs单量子阱和多量子阱在不同温度下的光谱，发现单量子阱与多量子阱有不同的光学4性质。多量子阱PL谱发光峰和PV谱激子峰的强度与半高宽都比单量子阱的大，但单量子阱的半高宽随着温度的升高增大很快，这是由激子－声子耦合引起的，通过时间分辨谱研究发现了量子阱子能级之间的跃迁，多量子阱的发光寿命明显比单量子阱的长，我们利用形变势模型对量子阱的能带进行了计算，很好地解释了实验结果。     

聚焦Ga~ 离子束注入方法研制半导体量子线结构

采用聚焦Ga~ 离子束注入方法,在GaAs/Al_(0.3)Ga_(0.7)As多量子阱材料上尝试制备半导体量子线。通过低温光致发光谱,测量了量子线的光电特性,并观察了由于沟道效应导致的深层量子阱的光谱蓝移。     

对基于磁控溅射方法沉积的HfO2薄膜的紫外光学特性及薄膜结构的研究

本文基于磁控溅射方法,功率从160 W增加到240 W,在石英衬底上沉积氧化铪薄膜(HfO₂),并对沉积后的薄膜进行退火处理. 利用X射线衍射谱、X射线光电子能谱、紫外-可见-近红外透射谱和椭圆偏振仪对HfO₂薄膜进行研究,对比了退火前后HfO₂薄膜的光学特性及薄膜结构的变化. 实验结果显示,HfO₂薄膜对波长大于200 nm的入射光具有很低的吸收系数. 优化退火温度和时间,可以将沉积后的HfO₂薄膜从非晶态转化成多晶态. 退火有助于结晶生成和内应力的增加,同时退火可以优化薄膜的化学计量比,提升薄膜的光学密度及折射率. 对功率在220 W左右沉积的薄膜进行退火,获得的HfO₂薄膜具有较高并且稳定的光学折射率(>2)和紫外光透射率,可在紫外波段减反膜系统中得到应用.     

InGaAsN量子阱的光致发光谱研究(英文)

我们测量了低N组分的InGaAsN/InGaAs/GaAs量子阱材料的光致发光(PL)谱,测量温度范围从13K到300K。实验结果显示,InGaAsN的PL谱的主峰值的能量位置随温度的变化呈现出反常的S型温度依赖关系。用Varshni经验公式对实验数据进行拟合之后,发现在低温下InGaAsN量子阱中的载流子是处于局域态的。此外,我们还测量了样品在不同的温度、不同的能量位置的瞬态谱,结果进一步证实了:在低温下,InGaAsN的PL谱谱峰主要是局域态激子的复合发光占据主导地位,而且InGaAsN中的载流子局域态主要是由N等电子缺陷造成的涨落势引起的。