已知离散点曲率的曲线拟合递推方法

该文介绍了一种简单的在已知离散点曲率的情况下进行平面和空间曲线拟合的方法，在相邻的已知离散点之间，用线性插值的规则获得插值点的曲率值，然后提出一种基于微分原理的递推方法，从起始点开始逐点运算推进，将曲线形状拟合出来．     

局域网络病毒入侵方式特点和防范措施

计算机病毒一般先进入到有盘工作站,然后开始在局域网络传播,具有感染速度快、扩散面广、传播形式复杂多样、难以彻底清除、破坏性大、可激发性和潜在性的特点.应采取增加安全意识、小心邮件传播病毒、挑选网络杀毒软件、及其断开网络后定时查杀文件服务器病毒、强制查杀压缩文件病毒和慎用一键还原功能等措施,防范局域网络病毒传播.     

现场潜血痕迹发现记录仪的应用

目的评估应用现场潜血痕迹发现记录仪显现、辨别常见棉/麻/涤布料上的潜血痕迹的显现效果。方法利用现场潜血痕迹发现记录仪分别对常见棉/麻/涤布料表面遗留的潜血痕迹进行辨别和显现评估效果。结果对于常见棉/麻/涤布料上遗留的潜血痕迹在现场潜血痕迹发现记录仪下显现取得良好的显现效果并能辨别血痕。结论应用现场潜血痕迹发现记录仪可以有效显现和辨别常见棉/麻/涤布料上的潜血痕迹,该方法简便易行,仪器便于携带,显现效果好。     

无限重复流速与拥塞控制博弈实例的应用

在讨论了一次博弈模型和流速均衡解析解的基础上,对基于无限重复博弈模型的流速与拥塞控制行为进行了研究.提出了重复和无限重复流速与拥塞控制博弈模型,论证了重复博弈NEP的存在性和最优性,讨论了重复博弈中贴现因子的意义;通过2个无限重复流速控制博弈的实例(2个端系统和N个端系统),介绍了在非合作的流速与拥塞控制中规范(约束)端系统的行为方法,以维护和实现整个流速与拥塞控制系统效用的最优.     

气－热复合敏感元件的理论分析

本文从理论上分析了热敏元件对气敏元件的温度补偿原理，指出了构成低温漂复合元件分立元件需要满足的条件，阐述了实验上的可行性。     

声场流化床颗粒浓度时间序列分析

在内径140mm,高1600mm的声场流化床中,以FCC颗粒为流化介质,采用光导纤维探针测定不同轴／径向位置的颗粒浓度时间序列,通过统计分析、功率谱分析和小波分析揭示外加声场对颗粒浓度的影响。结果表明：声场的引入降低了颗粒最小流化速度,声压越大最小流化速度越小,声波频率在150HZ时最小流化速度最小。颗粒浓度功率谱呈现宽频且有明显主频的低频信号,声压越大主频的峰值越小,颗粒浓度信号的主频峰值随频率先下降后上升。对颗粒浓度信号进行5尺度离散小波变换,声场流化床中颗粒浓度信号高频部分增加,低频部分减小。     

波浪载荷下结构尺度差异对导管架平台结构响应的影响

本文以某一导管架平台为分析计算对象,首先根据Morison方程计算组成导管架平台的各不同构件的波浪载荷,然后将其施加到有限元力学模型上。在此基础上计算分析不同构件尺度的导管架平台在波浪环境载荷作用下各构件关键位置的内力,通过对比不同尺度下导管架平台内力变化的趋势,观察不同平台杆件的尺度变化以及部分杆件由于断裂的原因而导致强度支撑作用的缺失对平台结构强度的影响,以此指导平台结构设计中的受力杆件优化设计计算。本文的计算结果表明：所采用的计算方法可以对平台设计和优化等进行有效的计算,本文所提出的方法可为导管架平台在波浪力作用下构件外载荷分析、在这些载荷作用下平台的动力响应特性评估以及平台杆件的结构优化计算提供技术依据。     

(K,Na)NbO3基无铅压电陶瓷温度稳定性的研究与进展

基于可持续发展的迫切需求,环保型无铅压电陶瓷成为当前压电铁电领域的研究前沿和热点之一.近年来,铌酸钾钠((K,Na)NbO₃,KNN)基无铅压电陶瓷因其迅速提升的压电性能,备受研究者所关注,有望取代部分铅基压电陶瓷.特别是新型相界、纳米畴等调控手段有效提升KNN基陶瓷压电系数至部分铅基水平,使其表现出优异的应用前景,有望应用于加速度传感等器件.然而相比迅速发展的压电性能,KNN陶瓷的压电温度稳定性仍相对进展缓慢,主要归结于其多晶型相界的特征,阻碍其面向实际应用发展.因此,该文结合国内外研究进展,针对KNN基无铅压电陶瓷,重点介绍了其压电系数和电致应变的温度稳定性的研究进展,并对今后该陶瓷温度稳定性的研究提出了一些展望.     

基于湿式空气治理技术的车载空气净化装置的研制

为解决汽车内空气污染问题,创新地引入了湿式空气治理技术,研发了一种基于湿式空气治理技术的车载空气净化装置。综合考虑经济成本、使用习惯、使用寿命并结合传感、智能控制等技术,设计了5种型号的产品,经实验室模拟测试,得出主要性能指标,由数据判断该产品可以应用到汽车内空气污染的治理。该车载空气净化装置很好地克服了现有的汽车空调滤芯及车载空气净化器的弊端,是对现有的汽车内空气污染治理技术的有益补充。     

不同衬底对溅射Pb(Zr_(0.8)Ti_(0.20))O_3薄膜的结构及其性能的影响

利用射频磁控溅射法在低阻Si,Si O2/Si以及Pt/Ti/Si O2/Si等不同衬底上制备了Pb(Zr0.8Ti0.2)O3薄膜.利用XRD,SEM等对薄膜的结构性能进行了分析,结果发现不同衬底对溅射制备的PZT薄膜的结构有很大影响.在Pt/Ti/Si O2/Si衬底上制备的PZT薄膜经600℃退火1h后,薄膜表面光滑、无裂纹,XRD分析显示PZT薄膜呈完全钙钛矿结构,测试PZT薄膜的电学性能,表明PZT薄膜具有良好的介电性能.