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901.
902.
以重庆地区下志留统龙马溪组及下侏罗统自流井组页岩为研究对象, 采用X射线衍射(X-ray diffraction, XRD)技术、气体吸附法(N2吸附, CO2吸附)、场发射扫描电镜(field emission-scanning electron microscope, FE-SEM)、X射线光电子能谱(X-ray photoelectron spectrascopy, XPS)和岩石单轴压缩实验等手段从页岩的元素组成、矿物组成、储集空间类型以及岩石力学性质等方面对研究区的页岩储层特征进行了综合研究. 结果表明: 研究区页岩的脆性指数高, 具有较高的弹性模量和较低的泊松比, 有利于人工压裂改造; 页岩中的石英含量超过45%, 黏土矿物含量为24.4%~32.5%; 页岩的矿物成分以绿泥石、伊利石、高岭石为主,还含有长石、方解石、白云石、黄铁矿和块磷铝矿等; 页岩的孔隙类型主要包括粒间孔、粒内孔、有机质孔隙和微裂缝; 微孔隙度在5%左右, 主孔区位于0~20 nm, 以介孔为主; 页岩的孔隙度、BET比表面积、孔体积等与总有机碳(total organic carbon, TOC)含量、黏土含量呈正线性相关, 与脆性矿物含量呈负相关. 相似文献
903.
904.
肖维文 邹晓岚 丁玄同 董家齐 刘泽田 宋绍栋 高亚东 姚良骅 冯北滨 宋显明 陈程远 孙红娟 李永高 杨青巍 严龙文 刘仪 段旭如 潘传红 刘永 《中国物理快报》2009,26(3):159-162
A broadband, O-mode sweeping Doppler reflectometry designed for measuring plasma E×B flow velocity profiles is operated in HL-2A. The main feature of the Doppler reflectometry is its capability to be tuned to any selected frequency in total waveband from 26-40 GHz. This property enables us to probe several plasma layers within a short time interval during a discharge, permitting the characterization of the radial distribution of plasma fluctuations. The system allows us to extract important information about the velocity change layer, namely its spatial localization. In purely Ohmic discharge a change of the E×B flow velocity profiles has been observed in the region for 28 〈 r 〈 30cm if only the line average density exceeds 2.2×10^19 m^-3. The density gradient change is measured in the same region, too. 相似文献
905.
Epanechnikov混合模型和Mamdani-Larsen模糊系统之间的对应关系被建立:任何一个Epanechnikov混合模型都唯一对应着一个Mamdani-Larsen模糊系统,在一定条件下,Epanechnikov混合模型的条件均值和Mamdani-Larsen模糊模型的输出是等价的.一个设计模糊系统的新方法被提出,即利用expectation maximization算法设计模糊系统.将设计的模糊系统应用于时间序列预测,仿真结果表明:利用EM算法设计的模糊系统比其他模糊系统精度更高,抗噪性更强
关键词:
expectation maximization(EM)算法
Mamdani-Larsen模糊系统
Epanechnikov混合模型
混沌时间序列 相似文献
906.
功率VDMOSFET与IGBT的最新结构与性能特点 总被引:1,自引:1,他引:0
综合评述了VDMOSFET(Vertical Double Diffused MOSFET)与IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)的一般器件结构,分析比较了采用垂直沟槽栅极(Trench gate)新结构的功率VDMOSFET与IGBT的结构与性能特点.新结构的VDMOSFET与IGBT能有效地减少原胞尺寸和增加沟道密度,具有大电流,高电压,开关频率高,高可靠性,低损耗的特点.在性能上明显优于目前广泛使用的VDMOSFET和IGBT结构. 相似文献
907.
908.
ZnO薄膜的光抽运紫外激射 总被引:3,自引:3,他引:0
采用等离子体增强MOCVD方法生长出高质量的ZnO薄膜,并观察到了ZnO薄膜的光抽运紫外激射现象。在不同激发强度下进行了光荧光谱测量,发现紫外发光强度随着激发光强度的增加呈直线增强,证明此紫外发光峰来源于带边自由激子辐射复合。激发的激光器为3倍频YAG激光器,脉宽15ps,每秒10个脉冲。抽运光达到样品的光斑直径约为25μm,激射阈值为0.28μJ,利用光纤连接到CCD来探测接收激射光。在385~390nm之间的激射峰,其半峰全宽为0.03nm。所观察到的激射没有固定的方向,也就是说是往各个方向发射的。对于ZnO薄膜,由于我们并没有制作通常激光器的谐振腔,激射是通过晶粒强烈的散射导致的自形成谐振腔所产生的。 相似文献
909.
MOCVD法生长ZnO薄膜的结构及光学特性 总被引:7,自引:2,他引:5
采用MOCVD方法在c Al2 O3衬底上生长出了具有单一c轴取向的ZnO薄膜 ,采用X射线衍射 (XRD)、Raman散射、X射线光电子能谱 (XPS)及光致发光 (PL)谱等方法对ZnO薄膜的结构及光学特性进行分析测试。XRD分析只观察到ZnO薄膜 (0 0 0 2 )衍射峰 ,其FWHM数值为 0 1 84°。Raman散射谱中 ,4 35 32cm- 1 处喇曼峰为ZnO的E2 (high)振动模 ,A1 (LO)振动模位于 5 75 32cm- 1 处。XPS分析表明 :ZnO薄膜表面易吸附游离态氧 ,刻蚀后ZnO薄膜O1s光电子能谱峰位于 5 30 2eV ,更接近Zn—O键中O1s电子结合能 (5 30 4eV)。PL谱中 ,在3 2 8eV处观察到了自由激子发射峰 ,而深能级跃迁峰位于 2 5 5eV ,二者峰强比值为 4 0∶1 ,表明生长的ZnO薄膜具有较高的光学质量 相似文献
910.
进入知识经济时代,知识已经逐渐成为企业越来越重要的资源。作者研究和分析了在企业信息门户上实施新型的知识管理系统的理论基础和技术可行性,借助知识转化的SECI模型和PDCA循环机制,创新性地提出统一知识管理模型的技术解决方法和理论框架,并指出统一知识管理模型是对一般信息和数据的提升和智能化应用,建立起企业的“人与内容及沟通场所”的关联.提升企业用户的体验效能、增强企业内容管理的能力,促使企业员工间的协同工作效率得到提高,决策得以改善,发挥企业知识的最大效能。 相似文献