Ce：KNSBN晶体光折变效应温度特性实验研究

介绍了Ce:KNSBN光折变晶体温度效应（300—400K）的实验研究,分别给出了两波耦合和四波混频相位共轭的测量结果。     

温度对串联光折变晶体回路中高斯光束传播特性的影响

研究了温度对串联光折变晶体回路中高斯光束传播特性的影响.假设一束暗孤子光束和一束高斯光束分别入射到回路的两块晶体上,利用数值计算方法分析了改变暗孤子所在的晶体温度对高斯光束在另外一块晶体中传播特性的影响.结果表明,调节暗孤子的晶体温度能够影响另一块晶体中高斯光束的传播特性,可以决定高斯光束在晶体中是否能够演化为稳定传播的明孤子波.     

双光束耦合两级光放大温度特性的参量理论分析

基于双光束耦合的原理提出了两级相干光放大的方法,给出了最佳泵浦分配比的概念,对其温度特性进行了详细的理论分析,结果表明所提方案是可行的.     

双光子光折变光伏明孤子的演化和自偏转

通过数值模拟的方法,研究了双光子光折变光伏明孤子的动态演化和自偏转特性．结果表明：在忽略扩散和损耗的情况下,光伏明孤子能在双光子光折变晶体中稳定传播．考虑扩散效应之后,明孤子光束中心将发生自偏转．自偏转程度首先随入射光强的增加而增加,当光强达到一定程度后随着入射光强的增加偏转程度反而减小．     

双光子光折变屏蔽孤子的动态演化和自偏转

采用数值模拟方法研究了双光子屏蔽孤子的动态演化和自偏转.结果表明,在忽略扩散和损耗的情况下,屏蔽孤子能在双光子光折变晶体中稳定传播.晶体的扩散效应使光束的中心发生偏转.     

低振幅双光子屏蔽光伏孤子的时间特性

为了得到低振幅双光子屏蔽光伏孤子时间特性的结果,采用数值模拟的方法对低振幅双光子屏蔽光伏孤子的时间特性进行了理论分析,得到了明和暗孤子时间特性的演化方程。结果表明:孤子的宽度随时间的演化单调递减到一个最小值直至稳态孤子的形成,在相同的演化时间内,孤子的半峰全宽随着孤子峰值强度和暗辐射比值的增大而变窄。     

Cu∶KNSBN晶体光折变参量的温度特性研究

本文研究了Cu∶KNSBN晶体光折变材料参量的温度特性.用光折变理论分析了文献6给出的Cu∶KNSBN晶体两波耦合增益系数Γ随2θ在不同温度下的变化关系.得出了该晶体有效电荷密度Neff,有效电光系数和电子-空穴对抗因子乘积Rreff随温度的变化关系.