扩散效应对相干屏蔽光伏孤子对相互作用的影响

为了研究扩散效应对相干屏蔽光伏孤子对相互作用的影响.将两个平行传播相干屏蔽光伏孤子光束作为入射波,采用数值方法求解有扩散效应的波传播方程.结果表明,在扩散效应影响下,两相干屏蔽光伏孤子光束同相相互作用不是原来融合,而是使它们趋于分离,且光束之间存在能量的耦合;异相孤子的相互作用不再是简单的相互排斥,在一定的条件下,两束孤子光束既互相排斥,又同时向同侧偏转.     

Cu:KNSBN晶体光折变参量的温度特性研究

本文研究了Cu:KNSBN晶体光折变材料参量的温度特性.用光折变理论分析了文献6给出的Cu:KNSBN晶体两波耦合增益系数Γ随2θ在不同温度下的变化关系.得出了该晶体有效电荷密度N_eff,有效电光系数和电子-空穴对抗因子乘积Rr_eff随温度的变化关系.     

Ce:KNSBN晶体中光擦除双光束耦合放大系数的温度特性

用耦合波方程和带导模型建立了光擦除双光束耦合的理论.引入了信号光放大系数定义并研究了其温度特性.实验发现,当晶体温度从320K提高到370K时,在波长为632.8nm的光束情况下,Ce:KNSBN晶体中信号光的放大系数提高1.7倍.实验结果和理论分析定性符合.通过改变晶体温度可提高放大系数.     

入射光强比对Ce∶KNSBN晶体两波耦合特性影响的研究

实验测量了 Ce∶KNSBN双光束耦合信号光有效增益 G随入射光强比 m的变化关系 .用中间段光折变理论对此变化关系进行了参量理论分析 .结果表明 ,理论和实验结果定性符合     

加偏压光伏光折变晶体中低振幅屏蔽光伏明孤子的温度特性

在忽略扩散效应的条件下,讨论了加偏压光伏光折变晶体中低振幅屏蔽光伏明孤子的温度特性.当温度一定时,晶体中可形成稳态屏蔽光伏明孤子,当温度改变时,孤子由一稳态变为另一稳态.通过适当调节温度,可以控制孤子的空间形态.     

Ce：KNSBN晶体光折变效应温度特性实验研究

介绍了Ce:KNSBN光折变晶体温度效应（300—400K）的实验研究,分别给出了两波耦合和四波混频相位共轭的测量结果。     

双光子光折变屏蔽孤子的动态演化和自偏转

采用数值模拟方法研究了双光子屏蔽孤子的动态演化和自偏转.结果表明,在忽略扩散和损耗的情况下,屏蔽孤子能在双光子光折变晶体中稳定传播.晶体的扩散效应使光束的中心发生偏转.     

双光子光折变光伏明孤子的演化和自偏转

通过数值模拟的方法,研究了双光子光折变光伏明孤子的动态演化和自偏转特性．结果表明：在忽略扩散和损耗的情况下,光伏明孤子能在双光子光折变晶体中稳定传播．考虑扩散效应之后,明孤子光束中心将发生自偏转．自偏转程度首先随入射光强的增加而增加,当光强达到一定程度后随着入射光强的增加偏转程度反而减小．     

双光子光折变介质中非相干耦合亮-暗屏蔽光伏孤子对

对有外加电场的双光子光伏光折变晶体中两束偏振方向和波长都相同的互不相干光束的耦合进行研究,给出产生亮-暗双光子光折变屏蔽光伏孤子对需满足的条件.以Cu:KNSBN晶体作为研究对象,选取α=117.3,β=83.79,η=1.5×10-4,σ=104,δ=0.005,r=10时,给出双光子光折变晶体中的非相干耦合亮-暗屏蔽光伏孤子对2个孤子分量光强的空间分布,证明有外加电场的双光子光伏光折变晶体中存在非相干耦合亮-暗屏蔽光伏孤子对,指出孤子对是由偏振态和波长都相同的两束互不相干光形成的,当外加电场方向和晶体中光伏电场的方向与晶体光轴方向相同时,双光子光折变晶体中可支持亮孤子峰值光强稍大于暗孤子最大光强的非相干耦合亮-暗孤子对,当外加电场方向和晶体中光伏电场的方向与晶体光轴方向相反时,双光子光折变晶体中可支持亮孤子峰值光强稍小于暗孤子最大光强的非相干耦合亮-暗孤子对.     

双光束耦合两级光放大温度特性的参量理论分析

基于双光束耦合的原理提出了两级相干光放大的方法,给出了最佳泵浦分配比的概念,对其温度特性进行了详细的理论分析,结果表明所提方案是可行的.