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941.
Current-induced multilevel magnetization switching in ferrimagnetic spintronic devices is highly pursued for the application in neuromorphic computing. In this work, we demonstrate the switching plasticity in Co/Gd ferrimagnetic multilayers where the binary states magnetization switching induced by spin-orbit toque can be tuned into a multistate one as decreasing the domain nucleation barrier. Therefore, the switching plasticity can be tuned by the perpendicular magnetic anisotropy of the multilayers and the in-plane magnetic field. Moreover, we used the switching plasticity of Co/Gd multilayers for demonstrating spike timing-dependent plasticity and sigmoid-like activation behavior. This work gives useful guidance to design multilevel spintronic devices which could be applied in high-performance neuromorphic computing. 相似文献
942.
Impact of AlxGa1-xN barrier thickness and Al composition on electrical properties of ferroelectric HfZrO/Al2O3/AlGaN/GaN MFSHEMTs 下载免费PDF全文
Ferroelectric (FE) HfZrO/Al$_{2}$O$_{3}$ gate stack AlGaN/GaN metal-FE-semiconductor heterostructure high-electron mobility transistors (MFSHEMTs) with varying Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N barrier thickness and Al composition are investigated and compared by TCAD simulation with non-FE HfO$_{2}$/Al$_{2}$O$_{3}$ gate stack metal-insulator-semiconductor heterostructure high-electron mobility transistors (MISHEMTs). Results show that the decrease of the two-dimensional electron gas (2DEG) density with decreasing AlGaN barrier thickness is more effectively suppressed in MFSHEMTs than that in MISHEMTs due to the enhanced FE polarization switching efficiency. The electrical characteristics of MFSHEMTs, including transconductance, subthreshold swing, and on-state current, effectively improve with decreasing AlGaN thickness in MFSHEMTs. High Al composition in AlGaN barrier layers that are under 3-nm thickness plays a great role in enhancing the 2DEG density and FE polarization in MFSHEMTs, improving the transconductance and the on-state current. The subthreshold swing and threshold voltage can be reduced by decreasing the AlGaN thickness and Al composition in MFSHEMTs, affording favorable conditions for further enhancing the device. 相似文献
943.
944.
黑曲霉孢子和菌丝吸附241Am的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
作者研究了黑曲霉孢子和菌丝吸附^241Am的可行性及各种反应条件对吸附的影响。结果表明:用黑曲霉孢子和菌丝处理^241Am,在起始浓度C0为5.6-111MBq/L的范围内,吸附量W分别为7.2-142.4MBq/g和5.2-106.4MBq/g(均为干重),两者的平均吸附率均高达96%,说明用黑曲霉孢子和菌丝处理^241Am是可行的。吸附反应在1h左右达到平衡,反应温度15-45℃,最适吸附酸度分别为pH1-3和pH2-3,^241Am浓度与吸附量均呈指数关系,符合Freundlich经验公式。在高于^241Am2000多倍的金、银存在下,对黑曲霉孢子和菌丝吸附^241Am无明显影响。黑曲霉孢子和菌丝对^241Am的吸附作用基本一致。 相似文献
945.
西部旅游业发展中的文化渗透 总被引:4,自引:0,他引:4
随着我国旅游业的快速发展以及旅游者的需求方式发生的重大改变 ,西部旅游业应从旅游资源特点和市场条件出发 ,采取与东部不同的发展战略 ,即挖掘旅游资源的独特品质 ,将文化内涵渗入到旅游产品之中 ,形成别具一格的旅游产品定位 ,培育文化品牌 ,走差异化发展之路 相似文献
946.
947.
本文介绍了双调和方程混合元的一种新格式,用双二次多项式逼近流函数,双一次多项式逼近涡函数.在拟一致矩形剖分的条件下,证明了此格式具有与C-R格式中分别用双二次多项式逼近相同的收敛阶. 相似文献
948.
在太阳辐射下的纳米流体中,数值地研究竖向延伸壁面具有可变流条件时的层流运动.使用的纳米流体模型为,在热分层中综合考虑了Brown运动和热泳的影响.应用一个特殊形式的Lie群变换,即缩放群变换,得到相应边值问题的对称群.对平移对称群得到一个精确解,对缩放对称群得到数值解.数值解依赖于Lewis数、Brown运动参数、热分层参数和热泳参数.得到结论:上述参数明显地影响着流场、温度和纳米粒子体积率的分布.显示出纳米流体提高了基流体热传导率和对流的热交换性能,基流体中的纳米粒子还具有改善液体辐射性能的作用,直接提高了太阳能集热器的吸热效率. 相似文献
949.
本文采用相移吸收二元性(PAD)相位恢复算法来实现混合 衬度样品内部不同密度组分的定量成像, 采用数字模拟和实验研究验证该方法的可行性. 模拟结果表明, 对于三种不同材料其重构误差均小于1%, 且误差值随材料折射率的增大而减小. 利用上海光源X射线成像线站开展了实验研究, 结果表明用单距PAD相位恢复算法可获取样品的定量信息. 与模拟结果相比, 实验中的重构精度相对较低, 环状伪影可能是影响精度的主要原因. 模拟和实验研究过程中, 均只采用了一组单距投影数据. 可以认为, 相移吸收二元性算法可用于混合衬度样品的定量信息分析研究. 由于剂量相对较低, 应可适合于软组织和骨骼同时存在时生物医学样品的定量相衬CT研究. 相似文献
950.
采用直流三极溅射装置制备获得了CuInS2薄膜, 其中溅射靶采用一定面积比的[Cu]/[In]混合靶,反应气体采用CS2气体. 本文中主要研究了0.02 Pa分压反应气体条件下不同面积比的[Cu]/[In]混合靶和沉积基板温度对CuInS2薄膜结构和成分的影响, 其中CuInS2薄膜制备所用时间为2 h生长的厚度为1—2 μm. 通过对CuInS2薄膜的EPMA, X射线衍射测试分析表明, 最佳的CuInS2薄膜可在面积比[Cu]/[In]混合靶为1.4:1和可控温度(150, 250和350 ℃)的条件下制备获得, 并且其结构被确认为黄铜矿结构. 通过实验结果计算出CuInS2薄膜层有约为8.9%的C杂质含量. 相似文献