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Design of Two-Dimensional Photonic Crystal Edge Emitting Laser for Photonic Integrated Circuits 下载免费PDF全文
An edge emitting laser based on two-dimensional photonic crystal slabs is proposed. The device consists of a square lattice microcavity, which is composed of two structures with the same period but different radius of air-holes, and a waveguide. In the cavity, laser resonance in the inner structure benefits from not only the anomalous dispersion characteristic of the first band-edge at the M point in the first Brillouin-zone but also zero photon states in the outer structure. A line defect waveguide is introduced in the outer structure for extracting photons from the inner cavity. Three-dimensional finite-difference time-domain simulations apparently show the in-plane laser output from the waveguide. The microcavity has an effective mode volume of about 3.2(λ/nslab)^3 for oscillation mode and the quality factor of the device including line defect waveguide is estimated to be as high as 1300. 相似文献
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正电性胶态纳米银中加入凝聚剂后的表面增强拉曼光谱 总被引:1,自引:0,他引:1
在柠檬酸还原制备的正电性胶态纳米银中加入凝聚剂HNO3和NaNO3后,用波长为633 nm的激光激发,获得了较强的表面增强拉曼散射光谱(SERS谱),通过讨论及实验明确该SERS谱是来自于还原剂中的柠檬酸根离子,并说明该方法制备的纳米银的吸附层是带正电的银离子,扩散层是带负电的柠檬酸根离子。 相似文献
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A novel power generator has been achieved to convert vibration to electrical energy via the piezoelectric effect. The generator obtained by micro fabrication process mainly consists of silicon based frame and composite cantilever. The prototype tested at resonant vibration generates 1.15μW of effective power to a 20.4-kΩ resistance load. The potential of this work is to offer miniaturization solutions for power generators, and with the proposed method the ambient ubiquitous vibration can be harvested effectively as endless energy source to form an integrated self-powering system. 相似文献
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桑立雯 ;秦志新 ;岑龙斌 ;沈波 ;张国义 ;李书平 ;陈航洋 ;刘达艺 ;康俊勇 ;成彩晶 ;赵鸿燕 ;鲁正雄 ;丁嘉欣 ;赵岚 ;司俊杰 ;孙维国 《中国物理快报》2008,25(1):258-261
We report AlGaN-based back-illuminated solar-blind Schottky-type ultraviolet photodetectors with the cutoff- wavelength from 280nm to 292nm without bias. The devices show low dark current of 2.1× 10^-6A/cm^2 at the reverse bias of 5 V. The specific detectivity D* is estimated to be 3.3 × 10^12cmHz^1/2 W^-1 . To guarantee the performance of the photodetectors, the optimization of AlGaN growth and annealing condition for Schottky contacts were performed. The results show that high-temperature annealing method for Ni/Pt Schottky contacts is effective for the reduction of leakage current. 相似文献