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31.
32.
Mg50Ni50非晶合金具有较高的初始放电容量(500mAh/g),有希望成为Ni-MH二次电池的负极合金材料。但较差的循环稳定性限制了它的进一步开发和应用。为此,本研究采用机械合金化方法,基于Mg侧进行元素替代,获得了四元Mg0.9-xTi0.1PdxNi(X=0.04-0.1)储氢合金。XRD和TEM分别从宏观和微观角度证实该系列合金仍为非晶态合金。本研究还发现,随着Pd含量的增加,腐蚀电流降低;合金的抗腐蚀能力提高。当Pd含量达到0.1的时候,Mg0.8Ti0.1Pd0.1Ni合金的耐蚀能力达到最大,其容量保持率也达到最高,经80次循环后放电容量仍然保持在200mAh/g以上。
AB3型La-Mg-Ni储氢合金与Mg基合金类似之处在于:具有较高的初始放电容量但循环容量保持率较低。为此,本研究将AB3型La0.7Mg0.3Ni3.5合金与具有较高循环稳定性的AB2型Ti0.17Zr0.08V0.35Cr0.1Ni0.3合金相复合,获得新型AB3-AB2复相合金。XRD研究表明复合物中La0.7Mg0.3Ni3.5和Ti0.17Zr0.08V0.35Cr0.1Ni0.3仍旧保持原有结构。扫描电镜(SEM)研究发现,复合物颗粒的平均尺寸在50μm左右。由于Ti0.17Zr0.08V0.35Cr0.1Ni0.3相的防护,复合物的耐腐蚀能力及100次循环容量保持率(62.3%)得以显著提高。 相似文献
33.
Flash作为新型非易失性半导体存储器在嵌入式系统的开发中占有重要的地位.介绍了FIash芯片的特点及基于Linux下的Rash件系统,论述了专门为Rash芯片设计的日志型闪存件系统——Jffs2的设计原理及特点;讨论了利用Linux提供的MTD接口将Jffs2移植到FIash芯片上的具体过程,并对其在Linux下的应用给出了具体实例. 相似文献
34.
对大学生开展廉洁教育的重要性和必要性 总被引:3,自引:0,他引:3
对大学生进行廉洁教育是高校思想政治工作的重要组成部分。在新形势下对大学生开展廉洁教育,具有战略意义和现实意义,是构建合谐社会、高校人才培养和学生成长、成才的需要。 相似文献
35.
对硝基苯的制备进行了微型化研究,经过几组常规和微型实验的对比,结果表明微型实验具有省试剂、少污染、安全快速、便于操作等特点,可在化学教学中推广应用。 相似文献
36.
分析了气泡塔结晶器熔融结晶过程中自熔体向晶层界面的热、质传递特征,建立了描述该过程晶层生长的稳态模型。在自熔体向晶层界面对流传热膜系数的计算中,将弹单元分为弹状气泡周围液膜区、尾迹区及液塞段3段,各段的平均对流传热膜系数不同。分别在表观气速0.04和0.08m/s下,用模型对己内酰胺晶层生长进行了计算,计算结果与实验结果基本吻合。 相似文献
37.
采用密度泛函理论(DFT)研究M_2Cl_4(PH_3)_4(M=Cr、Mo、W)分子,在D_(2d)对称约束下进行结构优化和能量解析,三种化合物的M—M键长分别是C—Cr1.737A,Mo—Mo2.157A,W—W2.286A.能量解析表明:E_(Cr—Cr)相似文献
38.
在异己二醇中试试验中,采用均匀设计安排中试试验,验证放大准则,确定放大参数,考查了反应温度、反应压力、催化剂用量等工艺条件的操作稳定性,取得了较好的试验结果,使异己二醇的生产收率可以稳定在90%以上。这证明高压催化加氢合成异己二醇工艺可行,其适宜的工艺条件反应温度为130℃,压力1.5MPa,搅拌转速410r/min,催化剂用量3%。 相似文献
39.
广西洞穴金线鲃一新种--九圩金线鲃 总被引:2,自引:0,他引:2
描记广西河池市九圩镇一地下河中的金线鲃属一新种,以标本采集地命名为九圩金线鲃,新种.Sinocyclcheilus jiuxuensis Li et Lan,sp.nov.新种与分布区相邻的半盲金线鲃S.Halfibindus Li et Lan和高肩金线鲃S.altishouldeus Li et Lan相近,但新种背鳍分枝鳍条为7,鳃耙7~9和甲须纤弱等特征可与半盲金线鲃区别.新种头后平缓上升而不是急剧隆起;侧线鳞47~49,头长为眼间距的3.93~4.43(4.20)倍,可与高肩金线鲃区别。 相似文献
40.
采用传统熔体冷却方法,研究以TiO2为成核剂、以Li2O Al2O3 SiO2为基础组成的玻璃的制备工艺;根据差热分析(DTA)的结果确定玻璃的核化与晶化温度,然后针对基础玻璃组成,采用二步热处理方法获得透明的微晶玻璃;用X射线衍射分析(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对晶化试样的物相和显微结构进行研究;用热膨胀仪测定玻璃在热处理前、后的热膨胀系数;用绝缘电阻测试仪测试该微晶玻璃的电阻率.研究结果表明:微晶玻璃的主晶相为Al2O3·TiO2微晶体,次晶相为ZnSiO3;微晶玻璃与硅片有相近的热膨胀系数,约为32.5×10-7/℃;微晶玻璃晶化后的电阻率较低,为6.8×1010Ω·cm. 相似文献