解三角形必备的四种意识

结合解三角形问题中易出现的一些解题误区,有针对性地总结并归纳解三角形问题中必备的四种意识：边角互化,函数与方程,厘清图形,坐标等,结合实例加以分析与应用,强化相关意识,指导数学教学与解题研究.     

On the Integration by Parts and Characterization of a Fractional Diffusion Process北大核心CSCD

本文研究分数扩散过程和其分部积分公式的关系.首先利用Bismut方法给出拉回公式,进而得到分数扩散过程的分部积分公式。反过来,证明了分数扩散过程可由其分部积分公式唯一刻画.     

Goos-Hänchen and Imbert-Fedorov shifts in tilted Weyl semimetals

We establish the beam models of Goos-Hänchen (GH) and Imbert-Fedorov (IF) effects in tilted Weyl semimetals (WSMs), and systematically study the influences of Weyl cone tilting and chemical potential on the GH and IF shifts at a certain photon energy 1.96 eV. It is found that the GH and IF shifts in tilted type-I and type-Ⅱ WSMs are both almost symmetric about the Weyl cone tilting. Meanwhile, the GH and IF shifts in type-I WSMs almost do not change with the tilt degree of Weyl cones, while those in type-Ⅱ WSMs are extremely dependent on tilt degree. These trends are mainly due to the nearly symmetric distribution of WSMs conductivities, where the conductivities keep stable in type-I WSMs and gradually decrease with tilt degree in type-Ⅱ WSMs. By adjusting the chemical potential, the boundary between type-I and type-Ⅱ WSMs widens, and the dependence of the beam shifts on the tilt degree can be manipulated. Furthermore, by extending the relevant discussions to a wider frequency band, the peak fluctuation of GH shifts and the decrease of IF shifts occur gradually as the frequency increases, and the performance of beam shifts at photon energy 1.96 eV is equally suitable for other photon frequencies. The above findings provide a new reference for revisiting the beam shifts in tilted WSMs and determining the types of WSMs.     

平台式和斜坡式表面放电辐射源放电特性的比较

 介绍了平台式和斜坡式两种结构的表面放电辐射源,研究了在1.0 μF和1.5 μF储能电容、15~30 kV充电电压等实验条件下两种辐射源的放电特性,并对实验结果进行了比较分析。得到如下结论：对于斜坡式辐射源,增加电极间距可导致放电回路面积增大,因此等效电阻和等效电感也将增加;在相同电压及电容值条件下,斜坡式辐射源的放电电流、平均沉积功率均小于平台式辐射源的相应值,但放电沉积效率略大;电压升高使放电周期、电流达到峰值时间及放电沉积效率呈减小趋势,对于同一种辐射源,使用1.5 μF电容时放电回路参数更加匹配,放电沉积效率得到提高。     

InGaN/GaN多量子阱蓝光LED外延片的变温光致发光谱

利用MOCVD在Al_2O_3(0001)衬底上制备InGaN/GaN MQW结构蓝光LED外延片。以400 mW中心波长405 nm半导体激光器作为激发光源,采用自主搭建的100～330 K低温PL谱测量装置,以及350～610 K高温PL测量装置,测量不同温度下PL谱。通过Gaussian分峰拟合研究了InGaN/GaN MQW主发光峰、声子伴线峰、n-GaN黄带峰峰值能量、相对强度、FWHM在100～610 K范围的温度依赖性。研究结果表明:在100～330 K温度范围内,外延片主发光峰及其声子伴线峰值能量与FWHM温度依赖性,分别呈现S与W形变化;载流子的完全热化分布温度约为150 K,局域载流子从非热化到热化分布的转变温度为170～190 K;350～610 K高温范围内,InGaN/GaN MQW主发光峰峰值能量随温度变化满足Varshni经验公式,可在MOCVD外延生长掺In过程中,通过特意降温在线测PL谱,实时推算掺In量,在线监测外延片生长。以上结果可为外延片的PL发光机理研究、高温在线PL谱测量设备开发、掺In量的实时监测等提供参考。     

向列型液晶中简并四波混频相位共轭的理论研究

研究向列型液晶中由光致分子重取向引起的简并四波混频光学相位共轭现象,着重讨论液晶薄膜厚度d、探测光与一泵浦光之间的夹角θ_ω以及光的入射面和液晶指向矢之间的夹角β对相位共轭光产生效率的影响.     

常压针-板放电等离子体密度演化

分别采用Stark展宽法、图像法诊断等离子体电子密度,研究常压针-板放电等离子体电子密度随放电参数的演化.实验结果表明,降低电源的脉冲频率,减小等离子体的电极间距和采用细径电极,都有助于提高等离子体密度.利用全局模型分析影响电子密度变化的因素可知,随着脉冲频率的下降,等离子体放电体积减小,导致电子密度上升.在电极间距减...     

会计电算化教学中如何激发学生学习积极性

会计电算化是伴随着计算机和网络技术的发展而产生的一门新兴边缘学科,应用性强,是促进会计工作规范化、提高经济效率的重要手段和有效措施,也是中等职业学校财经类专业必修的一门课程.但由于历史的原因,现在的中职学生基础差,学习兴趣不浓,即使他们选择了财经类专业,还是有许多学生抱着"瞎学学,混文凭"的想法.如何才能使学生学好会计电算化课程,我的体会是:必须发挥教师的主导作用,通过培养学生的学习兴趣,才能激发学生学习的积极性,使他们从"被动学"变为"主动学".     

浅谈水泥稳定碎石路面基层组成及施工工艺

结合国辅烟汕线蓬莱至龙口一级公路改建工程K122＋700-K125＋730段水泥稳定碎石基层配合比设计、施工过程．讨论了碎石基层混合料的最佳级配要点及现代化施工工艺。对混合料的配比，以实验室的资料为依据，结合工地的实地情况，选择最佳配比。