首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   1395篇
  免费   133篇
  国内免费   172篇
化学   258篇
晶体学   13篇
力学   34篇
综合类   13篇
数学   76篇
物理学   210篇
综合类   1096篇
  2024年   8篇
  2023年   35篇
  2022年   48篇
  2021年   34篇
  2020年   24篇
  2019年   49篇
  2018年   57篇
  2017年   41篇
  2016年   48篇
  2015年   37篇
  2014年   92篇
  2013年   99篇
  2012年   73篇
  2011年   76篇
  2010年   91篇
  2009年   107篇
  2008年   97篇
  2007年   80篇
  2006年   80篇
  2005年   78篇
  2004年   55篇
  2003年   32篇
  2002年   50篇
  2001年   33篇
  2000年   44篇
  1999年   32篇
  1998年   20篇
  1997年   32篇
  1996年   14篇
  1995年   20篇
  1994年   14篇
  1993年   10篇
  1992年   9篇
  1991年   7篇
  1990年   10篇
  1989年   7篇
  1988年   4篇
  1987年   7篇
  1986年   5篇
  1985年   6篇
  1984年   7篇
  1983年   2篇
  1982年   5篇
  1981年   2篇
  1980年   4篇
  1979年   2篇
  1965年   2篇
  1958年   1篇
  1957年   2篇
  1955年   2篇
排序方式: 共有1700条查询结果,搜索用时 15 毫秒
51.
镀银导电纤维的制备和性能   总被引:10,自引:0,他引:10  
对短切聚酯纤维进行化学镀银,制备了用于导电高分子材料的导电填料,探讨了氨水浓度、装载量及稳定剂对纤维化学镀银的影响。实验表明,φ=0.10的氨水有利于化学镀银;通过调整装载量,可提高纤维的增重量率和硝酸银的利用率;稳定剂的加入可阻止镀液自分解,但对包覆层的均匀性和致密性有影响。电性能测试表明,镀银纤维的体积电阻率可达3.35×1-0 3Ω.cm,以其作为导电橡胶填料,当含量为w=0.40时,其电阻率为1.54×1-0 1Ω.cm。  相似文献   
52.
ZnO/A1lN/Si(111)薄膜的外延生长和性能研究   总被引:3,自引:2,他引:1  
用常压金属化学气相沉积法(MOCVD)在Si(111)衬底上制备了马赛克结构ZnO单晶薄膜.引入低温AlN缓冲层以阻止衬底氧化、缓解热失配和晶格失配.薄膜双晶X射线衍射2θ/ω联动扫描只出现了Si(111)、ZnO(000l)及AlN(000l)的衍射峰.ZnO/AlN/Si(111)薄膜C方向晶格常量为0.5195 nm,表明在面方向处于张应力状态;其对称(0002)面和斜对称(1012)面的双晶X射线衍ω摇摆曲线半峰全宽分别为460"和1105";干涉显微镜观察其表面有微裂纹,裂纹密度为20 cm-1;3 μm×3μm范围的原子力显微镜均方根粗糙度为1.5 nm激光实时监测曲线表明薄膜为准二维生长,生长速率4.3μm/h.低温10 K光致发光光谱观察到了薄膜的自由激子、束缚激子发射及它们的声子伴线.所有结果表明,采用金属化学气相沉积法并引入AlN为缓冲层能有效提高Si(111)衬底上ZnO薄膜的质量.  相似文献   
53.
李璠  王立  戴江南  蒲勇  方文卿  江风益 《光学学报》2006,26(10):585-1588
采用常压金属有机物化学气相沉积技术(AP-MOCVD),以二乙基锌(DEZn)为Zn源,去离子水(H2O)为氧源,N2作载气,在外延ZnO薄膜的反应气氛中通入少量氢气,在c-Al2O3衬底上生长出了ZnO∶H薄膜。用X射线双晶衍射和光致发光谱对ZnO∶H薄膜的结晶性能和光学性质进行表征。结果表明,ZnO∶H薄膜(002)和(102)面的Ω扫描半峰全宽分别为46.1 mrad和81.4 mrad,表明该薄膜具有良好的结晶性能;室温下,ZnO∶H薄膜具有较强的紫外光发射(380 nm),在低温10 K光致发光谱中观测到位于3.3630 eV处与氢相关的中性施主束缚激子峰(I4)及其位于3.331 eV处的双电子卫星峰(TES)。采用退火的方法,通过观测I4峰的强度变化,研究了氢在ZnO∶H薄膜中的热稳定性。发现随着退火温度的升高,I4峰的强度逐渐减弱,表明在高温下退火,氢会从ZnO薄膜中逸出。  相似文献   
54.
9-羟基芴(9-OHF)是一种常见的多环芳烃类环境有机污染物.本文提出了一种基于交替惩罚三线性分解(APTLD)和交替惩罚四线性分解(APQLD)的多维校正与三维荧光技术相结合的新策略,用于快速定量和动力学分析土壤样中9-OHF.选取因子数(F)为5和6,采用基于APTLD的三维校正方法分析拓展的三维数阵,所得土壤样中9-OHF平均回收率分别为(117.6±5.6)%和(111.1±5.1)%,半衰期分别为126.0和111.8 min,但T检验表明其预测值存在显著性差异.接着,采用基于APQLD的四维校正方法解析四维数阵.选取F=5和6,所得土壤样中9-OHF平均回收率分别为(107.8±10.6)%和(104.5±10.3)%,半衰期分别为121.6和105.0 min, T检验表明其预测结果准确可靠.此外, APQLD还给出了较好的选择性和更低的检测下限.结果表明基于APQLD的四维校正方法具有“高阶优势”,通过对四维数阵的唯一性分解,可提供准确可靠的结果,为研究复杂体系分析物的动力学过程提供了一种很有潜力的分析手段.  相似文献   
55.
桔皮苷与牛血清白蛋白相互作用的研究   总被引:13,自引:3,他引:10  
运用荧光光谱、紫外光谱法研究了桔皮苷与牛血清白蛋白(BSA)的相互作用。桔皮苷分子与BSA作用导致BSA内源荧光猝灭,猝灭机理主要为静态猝灭,并存在非辐射能量转移。测定了不同温度下该反应的结合常数、结合位点数及结合热力学参数。结果表明:桔皮苷与BSA之间主要为氢键或范德华作用力,作用过程是一个熵增加、自由能降低的自发分子间作用过程;测得了供体与受体间结合距离r和能量转移效率E;并用同步荧光技术考察了桔皮苷对BSA构象的影响。  相似文献   
56.
有机/无机杂化复合木材的制备与性能   总被引:3,自引:1,他引:2  
将硅溶胶/聚丙烯酸酯,有机/无机杂化液浸注于I-69杨木材中,制成有机/无机杂化木材。FT-IR红外光谱、扫描电子显微镜分析了复合木材的微观结构和组成,结果表明,经有机/无机杂化改性后的复合木材,既保持了木材本来的性质,又具有机/无机复合物的某些特性,其力学强度和尺寸稳定性较素材显著提高。  相似文献   
57.
随着我国列车行驶速度的不断提高,列车的行车安全逐渐得到了人们的重视,海量列车轮对监测数据为分析列车运行状态提供了条件.为了提高列车轮对故障诊断效率和准确性,文章提出一种基于大数据分析的列车轮对故障诊断方法,针对传统列车轮对故障诊断方法在处理大规模监测数据集时存在处理时间长,故障结果不准确等问题.首先设计一个监测数据融合...  相似文献   
58.
气相色谱-微池电子捕获检测器分析茶叶中杀螟丹的残留   总被引:2,自引:0,他引:2  
吴刚  虞慧芳  鲍晓霞  陈浩  叶庆富 《色谱》2007,25(2):288-289
介绍了一种快速、灵敏、可靠的适用于茶叶样品中杀螟丹残留量的气相色谱分析方法。茶叶样品经过0.05 mol/L盐酸溶液提取,液-液分配净化,在碱性条件下用正己烷萃取提取液中的杀螟丹,用毛细管气相色谱法-微池电子捕获检测器(μ-ECD)测定杀螟丹的残留量。结果表明:样品的添加回收率为70.2%~92.0%,相对标准偏差小于10%,方法的检测低限为0.01 mg/kg,符合农药残留分析的要求。  相似文献   
59.
1.绪言高分子工业的发展,需要探索原料合成的新方法,以滿足获得高分子单体的需要。在解决以上間題方面,新的电化学方法近年来得到了发展,已二胺是合成尼龙纤维的重要原料。目前合成己二胺的最好方法是将已二酸在400℃时与氨的催化反应其他較重要的方法有:1,4-二氯丁烷与腈化鈉作用得己二腈而后  相似文献   
60.
制备了α-MnO_2纳米管作为硫的宿主材料,将硫填充到α-MnO_2管的中空部分,并通过原位聚合法在α-MnO_2外层包覆一层薄层聚(3,4-乙烯二氧噻吩)(PEDOT)进一步束缚硫。这样一种双重固硫的阴极材料S@α-MnO_2-PEDOT在锂硫电池中体现出了高的性能。在电流密度1 675 mA·g~(-1)(1C)下循环200圈,容量为774.4 mAh·g~(-1),且在电流密度为3 350 mA·g~(-1)(2C)下容量达854.1 mAh·g~(-1),体现出良好的循环稳定性和倍率性能。这些显著的性能得益于阴极材料新颖的结构。在这种结构中,α-MnO_2纳米管不仅能对硫起到物理限制作用,而且增强了硫宿主材料和多硫化物间的化学相互作用。同时,PEDOT的引入增强了含硫纳米复合材料的导电性,并进一步减少了由于体积变化和多硫化锂的过度溶解引起的硫的损失。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号