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201.
202.
用于制备YAG透明陶瓷激光材料超细粉体的合成及其表征研究 总被引:2,自引:0,他引:2
作者以硝酸钇和硫酸铝铵(摩尔比为3:5)为原料,碳酸氢铵为沉淀剂,利用无机体系共沉淀法制备了钇铝石榴石Y3Al5O12(YAG)前驱体。对前驱体进行适当处理并采用高温热解法,制备出了纯相的YAG超细粉体。用XRD分别分析了不同焙烧温度下所得粉体物相、用TG/DTA分析前驱体在加热过程中的重量变化和晶化的温度,用TEM观察所得YAG超细粉体的形貌。结果表明,和其它无机体系相比,可在较低焙烧温度(900℃)下直接得到YAG纯相,而且粉体颗粒细小均匀,呈椭球形,尺寸为30-40nm。 相似文献
203.
在pH为3的醇水混合溶剂中合成了β-丙氨酸、1,10-邻菲咯林、铜的三元配合物,测定了配合物的晶体结构.晶体属单斜晶系,Pī空间群,晶胞参数a=1.0045(2) nm, b=1.2132(2) nm, c=0.71682(14) nm, α= 93.88(3)°, β= 94.31(3)°, γ= 99.81(3)°, V=0.8555(3) nm3, Z=2, Dc=1.669 Mg·m-3, μ=1.326 mm-1, F(000)=442, R=0.0457, Rw=0.1179.配合物中铜离子的配位数为5,分子间通过氢键构成三维网状结构. 相似文献
204.
205.
胺草磷晶体,属三斜晶系,空间群为Ci1-P1,晶胞中含两个分子,晶体学数据为:a=8.636(1),b=10.483(2),c=10.694(2)Å;α=110.92(1)°,β=111.27(1)°,γ=98.97(1)°;V=796.2(3)Å3,Dc=1.33g/cm3,F(000)=336;μ(MoKα)=3.2cm-1。此结构用直接法解出,最后的R因子为:R1=O.055,R2=0.047。胺草磷分子中的磷原子形成四个四面体向的化学键,其中P-S键含有相当高的双键成分,这意味着磷原子的3d轨函参与成键。 相似文献
206.
随着信息技术的高速发展,每条数据所包含的信息越来越丰富,使得数据不可避免地含有异常值,且随着维数的增加,异常值出现的可能性更大。传统的主成分聚类分析对异常值特別敏感,基于MCD估计的主成分聚类方法虽然对异常值具有防御作用,但是在高维数据下MCD估计的偏差过大,其稳健性显著降低,而且当维数大于观测值个数时MCD估计失效。为此本文提出了基于MRCD估计的稳健主成分聚类方法,数值模拟和实证分析表明,基于MRCD估计的主成分聚类分析的效果优于传统的主成分聚类分析和基于MCD估计的主成分聚类分析,尤其是在维数大于样本观测值的情况下,MRCD估计更为有效。 相似文献
207.
用Dirac符号表述的非自由质点系动力学方程 总被引:1,自引:0,他引:1
研究Dirac符号在经典力学中的应用,给出一种用Dirac符号表述的非自由质点系统动力学方程,并举例说明该方程的广泛应用. 相似文献
208.
<正>We theoretically and experimentally study the polarization and phase control of two-photon absorption in an isotropic molecular system.We theoretically show that the two-photon transition probability decreases when the laser polarization changes from linear through elliptical to circular,and the laser polarization does not affect the control efficiency of two-photon transition probability by shaping the spectral phase.These theoretical results are experimentally confirmed in coumarin 480.Furthermore,we propose that the combination of the laser polarization with the spectral phase modulation can further increase the control efficiency of the two-photon absorption. 相似文献
209.
210.
本文通过离子注入向钨体中注入能量为100keV氦离子,并利用X射线衍射(XRD)以及慢正电子束分析(SPBA)手段研究了不同退火温度下氦在钨体中的行为以及相关缺陷的演化.实验结果表明:低温退火并未改变相关缺陷的类型,样品S参数的下降表明低温退火导致了缺陷浓度的降低;当退火温度达到700℃时,样品S-W参数线性分布的变化表明缺陷类型逐渐发生改变;随着退火温度的进一步升高,He相关缺陷的演化程度加剧并向更深处迁移. 相似文献