聚吡咯-钛酸钡复合材料的制备和吸波性能

通过化学氧化法在乳液聚合体系中合成了聚吡咯. 然后以脱脂棉作为模板使用溶胶-凝胶法合成了钛酸钡微带. 以合成的两种材料作为基体相按不同的比例制备了聚吡咯-钛酸钡复合材料. 复合材料的结构形貌和性能通过红外、X射线衍射、扫描电镜以及网络分析仪检测. 使用PNA3629D网络分析仪测定复合材料在S和C波段的复数介电常数和微波损耗. 研究了钛酸钡和聚吡咯的质量比对复合材料吸波性能的影响. 提出了聚吡咯-钛酸钡复合材料的吸波机理.     

空调水系统变频运行对各子系统能效的影响分析

对福州市某办公建筑空调水系统变频改造的节能效果及其对空调各子系统能效的影响进行实测和分析.结果表明,变频改造节能效果明显,在空调日均负荷率约为50%的情况下,整个水输送系统节电率达48.8%,变频节能改造使整个空调系统的能耗下降18.2%,空调水系统能效得到显著提高,对冷水机组的运行能效比没有明显影响,但会使空调末端能效降低.     

我国消费、投资、出口与GDP关系的半参数回归模型研究

运用Eviews5．0和MATLAB7．0对GDP、消费、投资及出口数据进行处理,选用Epanechnikov核函数和交错鉴定窗宽选择法对GDP的影响因素建立半参数回归模型,得出的相关结论是：运用半参数回归模型分析GDP的影响因素是非常有效的;最终消费对GDP增长贡献最大;合理的消费、投资比是保证经济稳定增长的前提．     

浸入式中空超滤膜在排泥水回收处理中的实验研究

针对自来水厂沉淀池的排泥水和滤池反冲洗水,采用浸入式中空超滤膜处理,产水可达到现行的国家饮用水水质标准(GB5749-85).研究表明,该工艺可将污泥浓度浓缩到2.5%,20℃时,在日常在线维护清洗情况下,可保证系统运行80 d才进行一次化学清洗,采用次氯酸钠和氢氧化钠清洗可使膜通量恢复97%.实验还得出,温度是影响膜通量的主要因素,且膜通量与温度呈线性正比关系,其线性关系为y=0.3858x 8.6396.     

MSPD-GC-ECD测定血液中甲氧基多溴联苯醚

以MSPD为萃取方法,GC-ECD为检测手段,建立了血液中痕量Me O-PBDEs的分析方法。通过对萃取材料、洗脱液、洗脱液体积和样品预处理的影响研究,确定了最佳分析条件:液氮研磨血液样品,ENVI-18为萃取材料,2 mL乙酸乙酯为洗脱液。在该条件下,应用于血液痕量MeO-PBDEs的测定,相对标准偏差小于10%,显示出良好的重复性;方法的检出限为0. 28～0. 62 ng/g,加标回收率在80. 2～117. 9%。结果表明,所建立的分析方法适合于血液中痕量MeO-PBDEs的检测。     

MOCVD生长中载气H2对N掺杂ZnO性质的影响

采用MOCVD方法在石英衬底上生长ZnO。实验使用二乙基锌(DEZn)为锌源,N2O作为氧和氮源,H2作为载气。采用PL和Raman光谱方法对ZnO样品进行表征,结果表明H2的加入大幅度减少薄膜中碳的掺入,明显改善了薄膜的光学质量。采用N2O离化技术,可以进一步提高其带边峰的强度,抑制带内发光。XRD测量表明,生长的ZnO薄膜具有c轴择优取向。目前生长高质量N掺杂的p型ZnO薄膜是很困难的,而H2作为载气的加入明显改善了ZnO薄膜的光学性质,在生长过程中加入H2将为获得高质量N掺杂的p型ZnO薄膜提供一种途径。     

新型农民信息化需求研究——基于水库移民的信息化需求调研分析

文中通过对信息获取渠道、信息化重要性认识、信息化程度的调研,详细分析了不同年龄段和不同文化水平的水库移民信息化情况,得出了需要进行信息化培养水库移民的学习特点、培养目标和培养内容,并指出了针对水库移民开展信息化培训的重要意义。     

HLB固相萃取小柱同时萃取水样中10种优先控制有机污染物

固相萃取(SPE)技术是有机分析的常用前处理方法,新型亲水/亲油平衡(HLB)基质反向填料小柱是适用于大多数有机污染物前处理的广谱性SPE小柱。利用HLB固相萃取小柱同时对国标要求优先控制的10种有机污染物进行批量富集前处理,再采用高效液相色谱(HPLC)外标检测方法检测了重庆主城区长江沿岸某水厂进出水和管网水中10种有机污染物的浓度。10种有机污染物在该方法中的定量检测限范围为0.100~0.500μg·L~(-1),精密度RSD0.30%(n=7),重复性RSD15%(n=7),加标回收率范围为71.0%~93.6%,满足国标检测要求。同时,HLB固相萃取小柱将10种目标有机物的前处理时间从40h缩短为8h,极大提高了检测效率。     

一类抽象脉冲积分微分方程的解

研究了Banach空间一类脉冲积分微分方程最大解、最小解的存在性及解的存在唯一性．所得结果推广和改进了文[1]的工作．     

Cu/Ni多层膜的电阻与位错

采用电桥及X射线衍射线形分析法研究磁控溅射Cu／Ni多层膜（CLI及Ni单层厚度均为5nm）的室温电阻率及平均位错密度随对层（bilayer）层数的变化规律．结果表明,随层数增加,电阻率及平均位错密度减少;多层膜电阻率大于单层膜电阻率;单层膜电阻率大于同质块状体的电阻率．并对其微观机制进行分析．