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通过测量光电流,直接观察了InGaN/GaN量子阱中载流子的泄漏程度随温度升高的变化关系。当LED温度从300K升高到360K时,在相同的光照强度下,LED的光电流增大,说明在温度上升之后,载流子从量子阱中逃逸的数目更多,即载流子泄漏比例增大。同时,光电流的增大在激发密度较低的时候更为明显,而且光电流随温度的增加幅度与激发光子的能量有关。用量子阱-量子点复合模型能很好地解释所观察到的实验现象。实验结果直接证明,随着温度的升高,InGaN/GaN量子阱中的载流子泄漏将显著增加,而且在低激发密度下这一效应更为明显。温度升高导致的载流子泄漏增多是InGaN多量子阱LED发光效率随温度升高而降低的重要原因。 相似文献
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建立了三种不同结构的硅基单片式复合晶体管(由T1和T2两个晶体管构成)的二维电热模型,研究了高功率微波对不同结构的硅基单片式复合晶体管的损伤效应的影响。获得了不同器件结构下导致复合晶体管损伤的损伤功率阈值和损伤能量阈值分别与脉宽的关系。结果表明,当复合晶体管的总体尺寸不变而T2和T1晶体管的面积比值更大时需要更多的功率和能量来损伤器件。通过分析器件内部电场、电流密度和温度分布的变化,得到了复合晶体管的结构对其微波损伤效应的影响规律。对比发现,三种结构的复合晶体管的损伤点均位于T2管的发射极附近,随着T2和T1晶体管面积比的增大,电场、电流密度和温度在器件内部的分布将变得更加分散。此外,在发射极处增加外接电阻Re,研究表明损伤时间随发射极电阻的增大而增加。因此可以得出结论,适当改变器件结构或增加外接元件可以增强器件的抗微波损伤能力。晶体管的仿真毁伤点与实验结果一致。 相似文献
24.
位于国道202线的黄河水库桥由于承载力不足,梁体产生裂缝。通过粘贴碳纤维的方法加固改造,使其能够继续使用,本文介绍碳纤维布加固的技术特点和施工工艺。 相似文献
25.
用热重分析法研究氢氧化镧的热分解过程 总被引:1,自引:0,他引:1
在研究固相交换反应过程中,我们对氢氧化镧进行了热重分析,发现氢氧化镧的热分解过程是分两步进行的,由其热重曲线计算了氢氧化镧热分解反应的活化能和反应级数。 相似文献
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近年来,一些不法商贩和生产厂家为追求产品的感官性状和延长保鲜时间,在食品中添加国家严令禁止使用的化工原料~([1]),甲醛即是其中一种.甲醛有极强的细胞毒性,影响人体代谢机能,具有致癌性,已被世界卫生组织确定为"三致"毒物,是食品安全研究的热点之一~([2]).目前,甲醛的检测方法主要有分光光度法、色谱法、电化学法、化学滴定法等.气相色谱法操作简便,测定线性范围宽,分离度好,干扰小.但是,由于甲醛分子太小,直接进行GC分析时,出峰太快,因此食品中甲醛的测定一般先将甲醛衍生再用GC/MS进行测定. 相似文献
27.
蓝宝石因为其生产技术成熟、稳定性好、性价比高而被广泛应用于光电领域,成为GaN基光电器件的主要衬底材料.传统的蓝宝石衬底生长GaN薄膜存在许多问题,如由晶格常数不同产生的晶格失配、热应力失配等,且GaN薄膜结晶质量较差、光线提取效率低.介绍了图形化蓝宝石衬底技术在制作GaN基LED器件中的应用,比较了几种图形化衬底对LED的发光性能的影响.在图形化蓝宝石衬底上采用PVD法生长AlN薄膜,可以降低GaN薄膜的螺旋位错和刃位错、提高MOCVD生长效率、显著提高设备利用率.另外,介绍了蓝宝石衬底在SOS领域的应用,列出了SOS工艺对蓝宝石衬底的具体要求.蓝宝石作为一种重要的衬底材料,未来的发展前景会更加广阔. 相似文献
28.
29.
对瞬发γ中子活化分析(PGNAA)技术在水泥检测中的应用,本文提出一种结构装置来对水泥中Cl元素浓度分布进行检测并且通过MCNP程序对其慢化体厚度、屏蔽体厚度、扫描宽度等参数进行了模拟分析。计算结果显示:通过该结构对水泥中Cl元素浓度分布检测是可行的。模拟结果显示当慢化体厚度为5.5 cm,屏蔽体厚度为70 cm,扫描宽度为5 cm时为宜。 相似文献
30.
本文从实验的角度出发,对正弦型剖面的纵槽管进行了研究。找出了局部换热量与纵向坐标的关系。在拟合准则方程时,文中引进了一个新的特征参数L_c。并以此得到无量纲纵坐标z/L_c替代其他学者用实验段管长L来得到无量纲纵坐标z/L。且指出了原方法的不足之处。 相似文献