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In this Letter, the effects of material/structure parameters of photonic crystal(Ph C) parallel waveguides on the coupling length are investigated. The results show that, increasing the effective relative permittivity of the Ph C leads to a downward shift of the photonic bandgap and a variation of the coupling length. A compact Ph C 1.31/1.55 μm wavelength division multiplexer(WDM)/demultiplexer with simple structure is proposed,where the output power ratios are more than 24 d B. This WDM can multiplex/demultiplex other light waves efficiently. 相似文献
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用深能级瞬态谱(DLTS)技术详细研究了金在p型<111>晶向硅MOS结构Si/SiO2界面区中的行为。结果表明,金与Si/SiO2界面缺陷Hit(0.494)相互作用形成新的缺陷Au-Hit(0.445),和金在硅的禁带中产生一个能量分布很广的连续界面态,利用这些界面态可以合理地解释金使硅MOS结构平带电压向正方向移动的物理机制。结果还表明,在Si/SiO2界面附近的半导体中,金施主中心的剖面分
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文章在对洞中拉地区的遥感影像线性构造特点进行提取和解译的基础上,通过定量统计分析方法对各种有利的线性成矿地质条件进行成矿有利度分析,即通过线性体强度和密度分析、线性体方位-频数分析,以及线-环构造空间相关性分析,从而提高数据地质上的有效性;运用GIS空间分析进行分层提取和叠加综合分析,进行空间数据合成,建立了一种准定量的关系模式,并根据已知矿床分析控矿及赋矿构造,建立该区铅锌多金属矿遥感综合信息找矿模式,用于指导区域找矿。 相似文献
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Poled Silica/DR1 Films with Thermally Stability and Large Electro-Optic Coefficient Applying in External Probe Tip 下载免费PDF全文
Sol-gel-processed silica films doped with Disperse Red 1(DR1) were prepared at 80℃ aging temperature and 120℃ baking temperature with corona poling to obtain stable and large electro-optic (EO) coefficient and film strength. A large EO coefficient of γ33 = 56 pm/V was measured for the film of 05μm thickness at the wavelength of 1300nm, and the value was unvaried at room temperature. Moreover, an external EO probe tip using the film was fabricated for the first time, and a signal voltage level corresponding to the EO signal was calibrated successfully. 相似文献
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空间图像小波压缩的硬件平台设计 总被引:2,自引:0,他引:2
卫星事业的发展,使得获取卫星在太空运行的图像资料成为可能。但是,由于图像数据的海量性、星上能源的有限性、过境时间的局限性,图像数据的下传,成为人们获取空间图像的瓶颈。小波图像编码方式拥有传统编码方式的优点,能够很好地去除图像数据中的统计冗余;同时,小波变换的多分辨率特性很好地符合了人眼的视觉特性,小波图像编码成为图像压缩的趋势。提出了一个基于FPGA为核心的小波压缩硬件平台,在系统构成、器件选用等方面,充分考虑到空间环境的复杂性,可以很好地完成空间图像的小波压缩编码。 相似文献
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用深能级瞬态谱(DLTS)技术系统研究了Si/SiO2界面附近的深能级和界面态。结果表明,在热氧化形成的Si/SiO2界面及其附近经常存在一个浓度很高的深能级,它具有若干有趣的特殊性质,例如它的DLTS峰高度强烈地依赖于温度,以及当栅偏压使费密能级与界面处硅价带顶的距离明显小于深能级与价带顶的距离时,仍然可以观测到一个很强的DLTS峰。另外,用最新方法测量的Si/SiO2界面连续态的空穴俘获截面与温度有关,而与能量位置无明显关系,DLTS测
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