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101.
嗜盐弧菌是沿海地区引起食物中毒和急性腹浑的主要病原菌。为探明食物中毒、胃肠炎、肠炎等不同临床表现患者粪便中检得的嗜盐弧菌的菌类别,生化群别与临床发病的关系,笔者选用[2]盐胨水、蔗糖,阿拉伯糖,MR,V-P五项试验对183株嗜盐弧菌进行生化分群,现将实验结果报告如下:1材料与方法1.1研究对象被诊断为食物中毒,胃肠炎,肠炎患者粪便中分离得183株嗜盐弧菌供本次实验。1.2嗜盐弧菌的分离和鉴定[1]。1.3嗜盐弧菌的生化分群[2]。2结果2.1嗜盐弧菌的分类,生化分群见表1,综合嗜盐弧菌的生化鉴定与分群,被分为三大类14个生化… 相似文献
102.
在捷联惯性系统中,初始对准是影响系统输出精度的最重要环节,陀螺漂移是引起对准误差的主要原因。本文在对捷联系统误差进行分析的基础上,结合卡尔曼滤波器的滤波特性,提出一种把陀螺随机常值漂移标定与初始对准进行多级组合的卡尔曼滤波方法。 相似文献
103.
针对用于快速传递对准的卡尔曼滤波器阶数高,计算量大,滤波更新率低,鲁棒性差及对准精度不高等问题,提出采用联合强跟踪Kalman滤波器进行快速传递对准。文中设计了联合强跟踪Kalman滤波器的结构和算法,同时利用改进的Elman网络进行信息分配系数的自适应调节,以实现融合信息在各子系统中的自适应分配。仿真结果表明,该滤波器不仅提高了解算速度,而且提高了系统鲁棒性和对准精度。 相似文献
104.
静电梳齿微驱动器因其结构简单、功耗低、灵敏度高、受温度影响小,成为硅微陀螺仪的主要驱动方式。静电梳齿微驱动器通常由活动梳齿和固定梳齿组成。理想情况下,活动梳齿平行地位于两固定梳齿中心位置。但由于加工误差、驱动结构不对称、扰动等因素,使得活动梳齿相对固定梳齿发生偏转。该文应用能量法及虚功原理,建立了梳齿之间的力与力矩平衡方程。得出了非理想情况下,偏离距离和转角的解析表达式,并分析得出了梳齿间的临界电压。经过数值仿真发现,梳齿面内既偏转又转动时的临界电压小于只发生偏转或转动时的临界电压。 相似文献
105.
惯性技术中集成控制减振的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文针对惯性技术对防振减振的高要求,提出采用集成控制减振,并通过数字仿真证实其有效性。分析了几种减振系统,其中以FUZZY/PID串联控制集成减振系统性能最优。 相似文献
106.
小波分析技术在陀螺故障诊断中的应用研究 总被引:4,自引:0,他引:4
小波分析是一种全新的时一频两维分析技术,其对高频突变信号和低频缓变信号的分析有其独特的优点。本文分析了小波分析技术的原理,提出了将其引入机械设备故障诊断中的方法。通过对有故障陀螺振动信号的多尺度分析,研究故障信号小波变换轴心轨迹分量图,建立典型故障特征模型,从而对单故障及多故障问题进行分析与诊断。 相似文献
107.
108.
基于单纯形重心设计法对超高性能海水海砂混凝土(ultra-high performance seawater sea-sand concrete, UHPSSC)进行了配合比设计优化,并研究了短切超高分子量聚乙烯(ultra-high molecular weight polyethylene, UHMWPE)纤维和钢纤维对UHPSSC工作性能和力学性能的影响. 结果表明:在综合考虑UHPSSC的流动度、抗折强度和抗压强度的情况下,胶凝材料组成的最优配比确定为水泥、硅灰、粉煤灰的质量比为0.75∶0.15∶0.10. 随着短切纤维掺量的增加,UHPSSC的流动度逐渐降低,抗折强度、抗压强度和弯曲韧性均逐渐增加. UHMWPE纤维对UHPSSC流动度的影响程度更大,而钢纤维对力学性能的提升效果更明显. 随着UHMWPE纤维体积分数的增加,UHPSSC的弯曲破坏模式逐渐由脆性破坏转变为韧性破坏. 当UHMWPE纤维掺量为1.0%时,二次峰值荷载会高于初裂荷载. 此外,当同时混掺钢纤维和UHMWPE纤维时,UHPSSC的流动度略有下降,抗折强度、抗压强度及弯曲韧性均大幅提高. 本研究成果可为UHPSSC的设计和工程应用提供一定的参考. 相似文献
109.
基于多重分形谱的碳纤维复合材料表面评定方法 总被引:1,自引:0,他引:1
碳纤维复合材料(CFRP)表面的多重分形谱能表征其表面形貌特征.用TalyScan 150表面测量仪测量了CFRP的表面形貌,使用小波变换算法计算了其多重分形谱.结果表明,CFRP 3D表面的形貌与其多重分形谱密切相关,Lipschitz指数的范围可以表征表面的粗糙度,多重分形谱的数值可以表征表面的波峰和波谷的分布.同传统表面粗糙度分形维数表征方法相比,多重分形谱能表征加工表面形貌的局部特征. 相似文献
110.
随着超大规模集成电路设计线宽向深亚微米级(<0.5μm)和亚四分之一微米级(<0.25μm)发展,对半导体硅片及其它硅基材料的质量要求越来越高,研究上述材料中各种杂质的行为,控制缺陷类型及数量,提高晶体完整性,降低表面污染和采用缺陷工程的方法改善材料质量显得尤为重要。文章阐述了深亚微米级和亚四分之一微米级集成电路用大直径硅材料中铁、铜金属和氧、氢、氮非金属杂质元素的行为,点缺陷及其衍生缺陷的本质与控制方法,硅片表面形貌、表面污染与检测方法的研究热点。同时还介绍了外延硅、锗硅及绝缘体上硅(SOI)等硅基材料的特性、制备及工艺技术发展趋势,展望了跨世纪期间硅及硅基材料产业发展的技术经济前景。 相似文献