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本文报导了适应高温蒸发法要求、能自动控制蒸发量的恒温育晶设备;并对硫酸锂单晶生长中原料纯化、晶种的选取和安置、溶液状态、过饱和度的控制、晶体缺陷(主要是炸裂)的发生规律等问题进行了研究;解决了抑制杂晶生长,防止晶体炸裂等问题,找到了培养硫酸锂大单晶的最佳条件,生长出外形完整,光学均匀性好的硫酸锂大单晶,尺寸达50×110×45(mm),重三百多克,测试结果与国外文献报导相符,提供有关单位使用,效果良好。 相似文献
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测量了RbTiOPO_4晶体的压电应变常数,结果为d_(33)=4.0,d_(31)=-0.3,d_(32)=-3.3,d_(15)=12.7,d_(24)=6.4×10~(-12)C/N. 相似文献
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采用Czochralski法生长了透明均匀的Cr:Nd:YCaO(BO3)3晶体,生长的晶体尺寸为φ42.5×50mm,生长参数为提拉速度为0.6mm/h,转速为25r/min.测定了其室温吸收谱.根据Judd-Ofelt理论拟合了Nd3+离子的强度参数Ωλ:Ω2=0.734×10-20,Ω4=6.814×10-20,Ω6=2.476×10-20;并计算了各能级跃迁的自发辐射跃迁几率、辐射寿命、荧光分支比.其中4F3/2能级的寿命τtot=271.64μs,4F3/2→4I9/2的荧光分支比βc=58.01;.并对实验结果进行了讨论. 相似文献
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本文报导籽晶法生长五磷酸镧钕大晶体的过程。测定了生长过程中的出水量——焦磷酸浓度曲线,设计的生长装置能有效地控制溶液中水的蒸发速率,从稀土氧化物与磷酸溶液中生长出外形完整、光学均匀性好的五磷酸镧钕大晶体,其尺寸为36.6×27.2×15.2mm。通过大量实验,获得了用籽晶法生长大晶体的良好条件。在室温下用不同泵浦方式均能使晶体实现激光运转,其结果与文献报导数据相符。 相似文献
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利用北京同步辐射光源,对居里点在室温附近的掺铁钽铌酸钾光折变晶体进行了X射线白光形貌术研究.观察显示,晶体内部除了杂质偏析物和一组沿[010]方向的生长层外,还有一组与之正交的畴组态,后者被发现不满足一般面缺陷的衬度消光规律,仅有异常散射效应揭示其衬度.利用同步辐射波长的可调谐性,揭示了该组畴随波长改变其衍时衬度变化的规律,而且畴的衍射强度被发现违背Friedel定律.依据实验证据,这组畴被确认为180°铁电畴.对畴形成原因和晶体生长特性进行了讨论.
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