掺氟KTP晶体的缺陷和非线性光学性质

本文报道了对熔盐籽晶法生长的Ｎｄ：ＫＴＰ晶体的ＸＲＤ，ＤＴＡ，同步辐射形貌术的测试结果和晶体的倍频实验。实验表明，不同掺铌量的ＫＮＴＰ结构在实验误差范围内基本相同；晶体的熔点随其中含铌量的增加而提高。     

Nd_(1-x)Re_xP_50_(14)(Re=La,Y)系列晶体生长特性研究

本文详细研究了不同掺杂浓度的Nd_(1-x)RexP_5O_(14)(Re=La,Y)晶体的生长特性。发现影响晶体质量的宏观缺陷为开裂、包藏、镶嵌及寄生添晶和凹陷生长花纹等。研究了宏观缺陷随掺杂量变化的规律,探讨了它们产生的原因。通过生长特性和激光性质的讨论,认为纯五磷酸钕晶体是其中适用于闪光灯泵浦的微型激光器的最佳材料。     

五磷酸镧钕晶体中的腐蚀缺陷

用腐蚀法观察了五磷酸镧钕晶体的腐蚀缺陷。晶体中存在着錐形蚀坑和相应的腐蚀隧道及两种腐蚀沟槽。对这些腐蚀缺陷的形态、特点及分布进行了总结,并探讨了它们的产生与生长条件的关系,讨论了它们的成因及本质。     

KTiOPO_4晶体(100)面脊线处的缺陷及其对激光倍频效应的影响

本文首次报道了在KTP晶体中存在于(100)面生长脊线处的缺陷及其对激光倍频效应的影响,讨论了其形成的可能原因.     

近红外KTP单共振光参量振荡器

本文报道了角度调谐KTP单共振参量振荡器(SRO)的实验结果,并对结果进行了分析讨论.采用调QNd:YAG激光的二次谐波作为泵浦源.受腔镜涂膜带宽的限制,调谐范围为785～1010nm.最大的参量光脉冲能量为2.4mJ.最大的能量转换效率为26.3%.     

KTiOPO_4晶体全部电光系数的测量

用干涉法测量了KriOPO_4晶体的全部电光系数。结果为γ_(13)=7.9,γ_(23)=11.3,γ_(35)=22.7,γ_(51)=10.6,γ_(42)=6.2(×10~(-10)cm/V)。     

BiB3O6晶体最佳生长方向的确定

非线性光学晶体BiB3O6属单斜晶系,晶体的极性生长严重.采用不同方向的籽晶,晶体的形状、尺寸、质量和生长速度有着很大的差异.为了确定晶体的最佳生长方向,热膨胀性能被考虑.通过分析热膨胀椭球,[101]方向被确定为最佳籽晶方向.在适合的高温溶液条件和工艺参数下,沿着该方向,成功生长了尺寸为30mm×30mm×40mm、重120g的BiB3O6晶体.     

助熔剂法晶体生长计算机控制系统研究

根据助熔剂法晶体生长的基本要求,试制了一种基于PC总线的高精度计算机温度控制系统,系统硬件总体结构包括由温度信号采集,远程信号传输,控制命令变频传输,功率信号放大及电流反馈控制等功能模块.控制软件建立在Windows环境下,由Genie 2.0图控组件平台和利用VB 3.0开发的数据管理控制模块两个部分组成.文中讨论了主要的软硬件结构,并介绍了连续高温控温实验的结果.     

KTiOPO4晶体全部电光系数的测量

用干涉法测量了KriOPO₄晶体的全部电光系数。结果为γ₁₃=7.9,γ₂₃=11.3,γ₃₃=22.7,γ₅₁=10.6,γ₄₂=6.2(×10^-10cm/V)。 关键词：