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提出一种求解任意信号作用下的一阶电路响应的方法,利用三要素法求其阶跃响应和零输入响应,再利用卷积得出结果,方法简洁方便。 相似文献
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The microstructure of the laser-ablated YBa2Cu3O7 (YBCO) thin film deposited on heated (100) SrTiO3 substrate was examined by transmission electron microscope. The par-ticles on the film mainly consist of CuO and few CuYO2. Most of these non-superconducting particles nucleate on or near the surface of the film and protrude about 100-400 nm in height, A large amount of a-axis YBCO grains also exist in the film, which nucleate at the substrate surface and grow perpendicularly above the c-axis YBCO film. The YBCO thin film deposited under low oxygen pressure has very different microstructure compared with YBCO thin film deposited under high oxygen pressure. 相似文献
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本文综述了用于三维光电混合并行处理器阵列系统中的双向可编程多样重构光纤Crossbar互连网络。重点介绍了基于光纤通信的Crossbar互连网络中光纤互连器的设计原理与制作方法,并给出一种具体的电路图,用自制的伪随机码发生器测试了器件的整体性能,而后进行了应用性联机测试。结果表明,该光纤互连器能很好地满足系统中处理器20Mbps传输速率的要求,电路简单,具有通用性和较高的性能价格比。 相似文献
138.
开发了一种用于光纤公用天线电视(CATV)的分布反馈激光二极管组成,组件包括1.3μmInGaAs/InP双沟-平面掩埋双异质结(DC-PBH)分布反馈激光二极管和光隔离器,封装在蝴蝶型管壳内,组件的出纤线性功率为2.5mW,并具有极低的失真。 相似文献
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本文指出在LP-MOCVD生长过程中,采用量子阱有源区和上限制层不同的生长温度以及生长非掺杂过渡层等技术能有效地控制InGaAs/InP量子阱激光器的p-n结结位,给出了采用DEZn和H2S做掺杂源在InP材料中p型和n型杂质溶度和p-n结控制的条件,并研制出有源区阱层InGaAs与InP存在0.5%压缩应变量子阱激光器,这一结构LD实现室温脉冲激射,得到峰值功率为106mW以上,阈值电流密度为2.6kA/cm2. 相似文献