GaN基p-i-n和肖特基紫外探测器的响应光谱及暗电流特性

研究了p-i-n型和肖特基型Ga N基紫外探测器的响应光谱和暗电流特性。实验发现,随着p-Ga N层厚度的增加,p-i-n型紫外探测器的响应度下降,并且在短波处下降更加明显。肖特基探测器的响应度明显比pi-n结构高,主要是由于p-Ga N层吸收了大量的入射光所致。肖特基型紫外探测器的暗电流远远大于p-i-n型紫外探测器的暗电流,和模拟结果基本一致,主要是肖特基型探测器是多子器件,而p-i-n型探测器是少子器件。要制备响应度大、暗电流小的高性能Ga N紫外探测器,最好采用p-Ga N层较薄的p-i-n结构。     

金属电势-pH图的研究及应用

阐述了电势-pH图的意义、研究现状及应用,详述了电势-pH图的计算机自动成图,主要包括：图形算法、算法的实现和图形表示;概述了电势-pH图在湿法冶金和防腐研究中的应用,并探讨了电势-pH图今后研究的重点和方向。     

镍席夫碱膜修饰电极对对苯二酚的电催化作用及其测定

本文将合成的双水杨醛缩环己二胺镍配合物(Ni(Ⅱ)-salch)修饰至玻碳电极表面制得了镍席夫碱膜修饰电极.循环伏安实验结果表明,该修饰电极对对苯二酚有显著的电催化作用.以0.5次微分线性扫描法测定对苯二酚,当其浓度在1.5×10-6～6.5×10-4 mol/L范围时,还原峰电流与其浓度呈良好的线性关系,相关系数为0...     

水合双邻羟基苄氨乙酸铜配位结构的EXAFS研究

用参数化经验公式, 从已知晶体结构的无水双邻羟基苄胺铜(II)[Cu(o-OC6H4CH2NH2)2, 1]的EXAFS数据中分离出振幅和相移, 拟合另一已知晶体结构的水合双邻羟基苄胺铜(II){[Cu(o-OC6H4CH2NH2)2.H2O].1/2.H2O, 2}的结构参数并进行检验后, 代入未知结构的水合双邻羟基苄氨乙酸铜(II)[Cu(o-HOC6H4CH2NHCH2CO2)2.H2O, 3]中进行曲线拟合, 得到配位原子、键长和配位数等结构信息. 结合红外光谱, 推断标题化合物中, Cu(II)与两个苄基氮和两个羧基氧形成一个平面四边形的配位结构.铜与羧基氧键长2.00A, Cu-N键长1.99A, 另有一个较远的配位水分子, 铜与水的氧距离2.95A. 配体上的酚基氧没有与Cu(II)配合. 因此, 邻羟基苄氨乙酸(HBG)与Cu(II)配位时表现为二啮形式.     

InGaN/GaN量子阱垒层和阱层厚度对GaN基激光器性能的影响及机理

采用LASTIP软件研究了InGaN/GaN(In组分为15%)量子阱垒层和阱层厚度对GaN基蓝紫光激光器性能的影响及机理. 模拟计算结果表明, 当阱层太薄或太厚时, GaN基激光器的阈值电流增加、输出功率下降, 最优的阱层厚度为4.0 nm左右; 当阱层厚度太薄时, 载流子很容易泄漏, 而当阱层厚度太厚时, 极化效应导致发光效率降低, 研究还发现, 与垒层厚度为7 nm 相比, 垒层厚度为15 nm时激光器的阈值电流更低、输出功率更高, 因此适当地增加垒层厚度能显著抑制载流子泄漏, 从而改善激光器性能.     

组成材料引起钢筋混凝土质量缺陷分析与防治

介绍了由组成材料的质量问题引起的钢筋混凝土结构工程的质量缺陷，系统地分析了产生质量缺陷的原因。指出了施工阶段现场质量监理工程师预防质量缺陷现象发生应采取的预防措施。     

PC复合材料劈裂抗拉强度及影响因素

PC材料近些年在机床行业得到应用。本文针对机床构件特点，研究了粘结料成分PC组分配比、试件尺寸对其劈裂抗拉强度的影响，并提出一些看法。     

均匀设计在树脂混凝土配比优化中的应用

在给定试验条件下，采用均匀设计表U11^*(16^5)及其使用表确定树脂混凝土的试验配合比，可以达到通过尽量少次试验，取得较好试验效果的目的。本选取环氧树脂、固化剂、增韧剂、填料、砂率5个因素作为变量，利用SPSS软件对抗压强度和抗折强度分别进行逐步回归分析，得到回归方程．用Matlab进行优化，求出给定试验条件下强度的最优值．优化后的组合是：环氧树脂：固化剂：增韧剂=8：3：1，填料(粉煤灰)20％，砂率35％．此项研究成果具有推广应用价值，为树脂混凝土配合比设计探索出一条微机辅助试验设计的新方法。     

p-InGaN层厚度对p-i-n结构InGaN太阳电池性能的影响及机理

研究了p-lnGaN层厚度对p-i-n结构InGaN太阳电池性能的影响.模拟计算发现,随着p-InGaN层厚度的增加,InGaN太阳电池效率降低.较差的p-InGaN欧姆接触特性会破坏InGaN太阳电池性能.计算结果还表明,无论欧姆接触特性好坏,随着p-InGaN层厚度的增加,短路电流下降是导致InGaN电池效率降低的主要原因.选择较薄的p-InGaN层有利于提高p-i-n结构InGaN太阳电池的效率.