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71.
针对学分制背景下,现行的“专业招生,专业培养”教学管理模式存在的不足,提出了在二级学院试点实施“大类培养”的新模式;并在修订教学计划、整合教学资源、优化师资配置和小班教学等4个方面进行了实践与探索,同时提出了学院今后应努力的方向。  相似文献   
72.
以R-联萘酚、氯氰胺、间苯二胺、1,2二苯基乙二胺、乙二胺为原料合成了3个水溶性手性大环荧光传感器;利用核磁共振(1 H NMR和13 C NMR)、质谱、红外光谱验证了合成产物的结构,利用元素分析仪测定了其组成,并利用X射线衍射分析确定了单晶R-3的晶体结构.结果表明,R-3属于单斜晶系,P2(1)/n空间群,晶胞参数为:a=1.128 6nm,b=1.566 1nm,c=2.293 9nm,β=90°,Z=4,Dc=1.328g.cm-3,F(000)=1 684.  相似文献   
73.
王孝伟  张志丽  刘杰  马小艳  刘俊义 《有机化学》2004,24(10):1271-1273
报道了1,3-二苄基-6-(3,4-环氧丁基)尿嘧啶的合成新方法.以6-甲基尿嘧啶(1)为起始物,经1,3-二苄基-6-甲基尿嘧啶(2)及未见文献报道的1,3-二苄基-6-(3-丁烯基)尿嘧啶(3)和1,3-二苄基-6-(3-羟基-4-溴丁基)尿嘧啶(4),首次高收率合成了1,3-二苄基-6-(3,4-环氧丁基)尿嘧啶(5),并对其化学结构进行了表征.  相似文献   
74.
采用碳酸钠-硼砂(质量比1:1)做熔剂分解钇铝石榴石,并确定了熔剂的最优化条件.以电感耦合等离子体光谱法对样品中掺杂Yb(Ⅲ)离子作了定量检测考察了样品和熔剂中单个基体和混合基体对分析结果的影响.发现单个基体Y对Yb的测定有增强效应.基体A1对Yb的测定有一定的抑制作用;基体对Yb测定的干扰可通过基体匹配进行消除元素的俭出限为2μg/L,标准加入回收率为88%~100%实际样品7次检测的RSD为2.1%。本方法可以较好地满足实际样品分析的需要。  相似文献   
75.
76.
以不同链长溴代烷烃和N-甲基咪唑反应得到1-烷基-3-甲基咪唑溴化盐,用元素分析和核磁共振对化合物进行了表征.室温下用溶剂蒸发法得到了单晶,并用X射线单晶衍射法测定了晶体结构,该晶体属于三斜晶系,空间群为P-1.化合物采用双分子层结构,水分子参与结构的形成,整个化合物由交叉的线性烷基链、咪唑头基、溴离子和水分子组成,溴离子和水分子之间较强的氢键作用在(010)方向上形成了一个无限的O-H···Br氢键链.用偏光显微镜、差示扫描量热(DSC)技术研究了其液晶行为,证明其一水合物为近晶相热致液晶.液晶区域的温度范围较宽说明水分子起到稳定作用.  相似文献   
77.
本文研究了高纯LiInS2多晶原料的合成及性能。LiInS2晶体是一种极具吸引力的晶体,可以应用于红外区域的非线性光学频率变换。一般来说,含锂硫族化合物制备非常困难,因为锂极易被氧化,且腐蚀石英管。而且,硫族元素高的蒸气压会导致石英安瓿爆炸。本文采用两种方法合成了LiInS2多晶原料,对所获LiInS2多晶原料进行了X射线粉末衍射和差示扫描量热分析。  相似文献   
78.
针对藏区某水利工程,为准确地反演其所在区域地应力,建立了拟建坝址区的三维边坡模型,较全面地提出了8种应力施加方案,对提出的各种应力施加方案一一进行验算比较,找到各种方案中可利用的价值,最终较合理地提出了中、下坝址最佳的应力施加模型;对中、下坝址的模型进行的三维地应力反演结果与实测值进行对比,吻合性较好;利用测点所在剖面模型进行了3种应力施加方案下的二维地应力反演,将二维地应力反演结果与三维地应力反演结果进行对比,总体趋势较为一致;对自重和地应力情况进行了测点、不同深度和高度观察点、等值线的横向和纵向的对比,研究结果表明在高陡边坡、高地应力地区考虑地应力在工程实践中的影响具有很大的必要性.论文提出的地应力反演方法相比传统的地应力回归计算方法而言,具有简单适用、方便快捷、可信度高等特点,可为高地应力地区的地应力反演提供一定的参考.  相似文献   
79.
本文利用云纹干涉法,首次实时的对新型电子封装组件BGA在22℃至110℃温度载荷下的热变形进行了研究.研究表明对焊点截面的实时观测结果和试件的实际变形情况是完全吻合的.该结论为以后通过云纹干涉法高温实时观测技术进一步对焊点的热变形进行实时测量和研究铺平了道路.  相似文献   
80.
影响铝合金微弧氧化成膜效率的因素分析   总被引:1,自引:0,他引:1  
为了解决目前微弧氧化技术中存在的高电能消耗及低处理效率问题,采用低能耗微弧氧化工艺在铝表面制备氧化物陶瓷膜层,测量并分析电解液成分和质量密度、工艺条件对成膜效率的影响,研究了影响铝合金微弧氧化成膜效率的因素和作用机理,提出了降低工艺能耗的技术途径.结果表明:通过改变添加剂成分和质量浓度、脉宽、峰值电压和处理时间等工艺参数可以有效提高陶瓷膜层沉积效率.在制备过程中平均电流密度均能控制在1 A/dm2以下,平均单位成膜效率为2.8~3.2 kW.h/(m2.μm),获得膜层厚度为25~30μm.所制备的氧化铝陶瓷层的相结构、厚度、粗糙度和硬度等参数与通常微弧氧化技术制备的陶瓷膜相似.  相似文献   
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