GaP薄膜的射频磁控溅射沉积及其计算机模拟

以GaP为靶材采用射频磁控溅射法制备GaP红外光学薄膜，通过保持Ar Ⅰ 750nm发射光谱线强度不变获得了不同工艺参数，并对沉积过程进行了计算机模拟.功率较小、气压较大时，Ga和P的溅射率、输运效率及沉积到衬底时的能量均较小，Ga的溅射率及输运效率均大于P的，使薄膜沉积速率较低、薄膜中Ga的含量大于P的，GaP薄膜产生较大吸收.功率较大、气压较小时，Ga和P的溅射率、输运效率及沉积到衬底时的能量均增大，Ga的溅射率大于P的、但其输运效率小于P的，使GaP薄膜的沉积速率增大、薄膜中Ga与P的含量接近化学计量比，GaP薄膜的吸收降低，因此有利于制备厚度较大的GaP薄膜. 关键词： GaP 薄膜 射频磁控溅射 计算机模拟     

核酸G-四链体的识别、复合物结构与细胞内探测的研究进展

富含鸟嘌呤的DNA或RNA序列可以折叠成非典型G-四链体二级结构. G-四链体结构丰富多样,在生物体内动态存在,参与了转录、复制、基因组稳定性和表观遗传调控等关键的基因组功能,与癌症生物学密切相关. G-四链体的结构与功能机制研究促进了以G-四链体为靶点的肿瘤治疗干预.本文综合评述了核酸G-四链体的特异性识别、细胞内探测及生物学功能的调控,总结了识别靶向G-四链体的小分子及复合物结构的研究进展,讨论了以G-四链体为靶点的靶向干预及疾病治疗的可能性,最后展望了G-四链体未来研究所面临的挑战与机遇.     

碳纳米管-聚3,4-乙撑二氧噻吩修饰电极

为克服传统电极电信号传导性能弱、生物相容性差的缺点,采用碳纳米管-导电聚合物对电极进行修饰,使其具有理想的粗糙表面和较大的活性界面面积。以化学自组装法在金电极表面修饰单壁碳纳米管,然后在表面采用电化学聚合法进一步修饰导电聚合物聚3,4-乙撑二氧噻吩。拉曼光谱及电镜分析表明自组装的碳纳米管与导电聚合物在金电极表面形成了良好的复合修饰层。电极修饰后氧化还原峰位差从裸金电极的70 mV减小为65 mV,同时循环伏安曲线的包覆面积明显增大,电极表面电子通量提高。     

羟基磷酸铜的快速绿色合成

通过研究羟基磷酸铜的合成条件, 提出了一种快速绿色的新合成方法, 在不使用有机胺和减少磷酸使用量的条件下, 降低水热晶化的温度, 缩短了合成所需要的时间. 同时对所制得样品的苯酚羟化催化活性进行了表征.     

两个2-取代-4,6-二吡啶基-1,3,5-三嗪桥联的双核钌配合物的晶体结构、光谱和电化学性质

合成并表征了2个基于2-取代-4,6-二吡啶基-1,3,5-三嗪的双核钌配合物,[Ru₂（OBPT）（bpy）₄]（PF₆）₃·3H₂O·0.5CH₃CH₂OH（1）和[Ru₂（HABPT）（bpy）₄]（PF₆）₄·0.5H₂O（2）,其中bpy=2,2''-联吡啶,HOBPT=2-羟基-4,6-（2-吡啶基）-1,3,5-三嗪,HABPT=2-氨基-4,6-（2-吡啶基）-1,3,5-三嗪。分析了2个配合物的单晶结构,其中,1是单斜晶系C2/c空间群,属于外消旋-（ΔΔ）型;2属于正交晶系Pca2₁空间群,属于内消旋-（ΔΛ）型。单晶结构表明1中的配体HOBPT是脱质子的,而2中的HABPT没有脱质子。2个配合物的电化学和光谱性质呈现明显的不同,所有数据均表明配合物中2个金属中心间存在电子耦合。     

三峡库区地势起伏度研究

以三峡库区30 m分辨率的ASTER GDEM数据为基础,在GIS系统的支持下,采用邻域分析方法提取地势起伏度,运用均值变点分析法对其进行了最佳统计单元的计算.研究结果表明,三峡库区地势起伏度最佳分析窗口为44×44网格(1.74 km2).同时,完成了三峡库区地势起伏度分级图的绘制.     

GeC薄膜的射频磁控反应溅射制备及性质

用射频磁控反应溅射法在ZnS衬底上制备了GeC薄膜,研究了工艺参数对Ge靶溅射及GeC薄膜红外透射性能的影响.衬底温度较低时GeC薄膜中含有H,形成了CH₂,CH₃,Ge-CH₃等,使薄膜产生红外吸收;随衬底温度升高,薄膜红外吸收明显减小.靶基距、射频功率、Ar:CH₄气体流量比、总气压对靶面中毒及溅射影响较大,但对GeC薄膜红外吸收影响较小.靶面中毒严重时,所制备无氢GeC薄膜附着性能差,随靶中毒减弱薄膜附着性能变好.优化工艺后,在ZnS衬底上制备了附着性能良好的无氢GeC薄膜,其折射率约为1.78,薄膜中C的含量比Ge的大,二者主要形成了C—Ge键.所制备的GeC/GaP红外增透保护膜系对ZnS衬底有良好的增透效果. 关键词： GeC薄膜 红外透射光谱 射频磁控溅射 XPS     

Influence of Radio-Frequecy Power on Structural and Electrical Properties of Sputtered Hafnium Dioxide Thin Films

Hafnium dioxide （HfO2） thin films are prepared by rf magnetron sputtering. The influences of rf power on the structure, chemical states and electrical properties of the thin films were investigated through x-ray diffraction, x-ray photoelectron spectroscopy, capacitance-voltage and leakage current density-voltage measurement and UV-VIS spectrophotometry. The results show that the HfO2 thin films have a mixed structure of amorphous and polycrystalline phases. With increasing rf power, the crystallinity is enhanced and the crystallite size of the thin films is increased. The oxidation of Hf atoms is improved with increasing rf power for the HfO2 thin films. The flat band shift, oxide charge density and leakage current density of the thin films all decrease as the rf power increases from 50 to 110 W, and then increase as the rf power is increased to 140 W. The band gap energy is smaller for the thin film deposited at 110 W.