水稻花粉悬浮培养及其在育种上的应用

评估了２０个水稻品种离体花粉悬浮培养产生愈伤组织和再分化植株的能力，并进行了花粉悬浮培养试验，结果表明；品种之间反应差异很大。来源于日本的“黎明”（粳稻）最敏感。“黎明”植株再分化的频率达８４．１％。在愈伤组织的形成和植株再分化过程中，除其它一些因子外，基因型的差异有一定制约作用。通过水稻花粉悬浮培养诱导出的新品系“Ｎ１０”，其特征有：早熟，穗大，株高（９０～１００ｃｍ），产量高和抗稻瘟病等。     

网络打折店铺现状

淘宝或意趣 淘宝和意趣上的卖家，只有真正有价格实力的人和配送速度快的人才能在上面坚持下去，但上面产品的质量确实令人担心，难道真的要像淘宝两字所说的这么多假货中淘出真宝么？那可是要擦亮眼睛了……     

烯烃和非烃对正丁硫醇氧化速度的影响

考察了无碱液脱臭过程中烯烃和非烃对正丁硫醇氧化速度的影响.结果表明,油品中的酚、硫化物和氮化物对无碱液脱臭过程中催化剂活性无影响,而烯烃及胶质是无碱液脱臭过程中催化剂失活的重要原因.     

CoNiZ系列合金的结构和马氏体相变性质

利用X射线衍射研究了CoNiZ(Z=Si,Sb,Sn,Ga等)合金在不同热处理条件下的相组成.当Z元素为Sn,Sb时,材料是完全的B2结构;但Z为Si时,材料变成面心立方的γ相.形成B2还是γ相由电子浓度和原子尺寸效应两种因素共同决定.而CoNiGa的研究结果表明,在合金中除了形成B2结构的同时还容易形成γ相,常表现出两相共存的特性.对材料进行不同方式的热处理可以使合金中两相的含量有所消长,γ相含量的多少对CoNiGa合金的马氏体相变有很大的影响.分析指出,两相共存及其所带来的物性变化是CoNiGa铁磁性形状记忆合金非常有利用价值的物理性质.     

衡量网络可靠性的新模型

本文分析了传统的网络可靠性优化设计方法所存在的问题 ,给出了网络的通信通路数的定义 ,并基于网络的通信通路数给出了更能反映网络运行的实际情况的网络可靠性的定量模型 ,从而解决了传统网络可靠性优化设计方法所存在的问题 .     

兰州地区落叶乔木夏季移栽技术探讨

在兰州地区，城市园林绿化中，按照植物的生存生长习性和移植规律，都是在春季对落叶乔木进行移植，近几年，在实践中尝试在夏季移栽落叶乔木，成活率为85％，另用此办法在盛夏移栽一些花灌木，配合重修剪措施，移栽也是成功的。     

恩施野生葛块根营养成分及微量元素硒的研究

用干燥法测定恩施的野生葛块根中干物质的质量分数，用水提法提取葛根中的粗淀粉并测定其质量分数，采用比色法测定干葛根及葛根粗淀粉中硒的质量分数。结果表明，恩施野生葛块根中干物质的质量分数为33．02％—38．26％，粗淀粉的质量分数为15．15％～18．79％，干物质硒的质量分数为1．69—2．66μg/g，粗淀粉中硒的质量分数为0．130—0．157μg/g，占总硒质量分数的5．64％～8．63％，适合开发各种富硒食品及药品，是一种较理想的保健品原料。     

珠心算手工拟题方法（一）

中国珠算协会于1999年颁发了《中国珠算协会珠算式心算鉴定标准》，其中：普通级分为十个级别，即10～1级，10级最低，1级最高。段位也分十个段位，初段～10段，初段最低，10段最高。     

Reduction of Dislocations in GaN Epilayer Grown on Si （111） Substrates using a GaN Intermedial Layer

GaN intermedial layers grown under different pressures are inserted between GaN epilayers and AIN/Si（111） substrates. In situ optical reflectivity measurements show that a transition from the three-dimensional （3D） mode to the 2I） one occurs during the GaN epilayer growth when a higher growth pressure is used during the preceding GaN intermedial layer growth, and an improvement of the crystalline quality of GaN epilayer will be made. Combining the in situ reflectivity and transmission electron microscopy （TEM） measurements, it is suggested that the lateral growth at the transition of growth mode is favourable for bending of dislocation lines, thus reducing the density of threading dislocations in the epilayer.