冲裁工艺对无取向电工钢叠片磁性能的影响

为研究冲裁工艺对电动机定子铁芯的磁性能影响,采用不同的冲头和冲裁间隙,对无取向电工钢圆片进行冲裁加工,研究在不同冲裁工艺参数下所冲出的电工钢圆环叠片磁性能优劣.通过纳米压痕测试表征了无取向电工钢冲裁边缘的残余应力分布,研究了无取向电工钢磁性能劣化与残余应力分布的关系.结果表明:对比3种不同冲头加工,平冲头冲裁后无取向电工钢叠片磁性能劣化程度最小,凹冲头次之,斜冲头最严重.当冲裁间隙为板厚的5%～20%时,随着冲裁间隙不断增大,无取向电工钢叠片磁性能劣化程度先减小后增大,存在最佳间隙.无取向电工钢叠片的磁性能劣化程度主要与冲裁边缘的残余应力峰值有关,残余应力峰值越大,无取向电工钢叠片磁性能劣化越严重.本研究可为工业无取向电工钢冲裁加工提供参数优化指导.     

试论如何实现更高质量的职业指导

随着经济社会的高速发展，职业分类呈现专业化、精细化特征，对高等学校的职业指导工作提出了更高和全新的要求。现阶段的职业指导存在劳动力供需不均衡、指导机构僵化、形式单一、内容空洞的问题。要实现高质量的指导，就必须培训职业指导师，利用各类教育资源，因材施教，实现指导的“精、细、化”。     

浅谈所得税会计处理方法

本文从所得税会计处理方法的新旧对比为切入,揭示资产负债表债务法的本质变化。     

古籍文献修复现状浅议——以苏州大学图书馆为例

阐述了苏州大学图书馆馆藏古籍与修复工作室之现状,从尊重传统技艺和提高技能水准、强化科学理念和执行行业规范、实行科学管理和建立修复档案、重视人才培养等方面论述了苏州大学图书馆积极开展古籍修复工作的经验。     

浅析电子商务与国际贸易发展

阐述了电子商务的迅速发展带动了国际贸易主体、贸易手段、营销手段、贸易法律法规、贸易制度创新等等各方面的重大转变。展示了新经济时代下，基于电子商务平台的新型国际贸易即将成为历史趋势。     

绿色合成CdSe及制备CdSe-聚氨酯纳米复合发光材料

通过一步法绿色合成了CdSe-聚氨酯(CdSe-PU)纳米复合发光材料.在N2保护下,将单质硒(Se)溶于蓖麻油,以蓖麻油酸作为氧化镉(CdO)的配体,合成硒化镉(CdSe)纳米晶.将聚丙二醇2000和异佛尔酮二异氰酸酯(IPDI)合成的预聚体,加入含CdSe纳米晶的蓖麻油溶液,通过交联作用得到CdSe-PU纳米复合发光材料.采用紫外-可见分光光度计(UV-Vis)、荧光光谱仪(PL)、傅里叶红外光谱仪(FT-IR)、热重分析仪(TGA)、透射电子显微镜(TEM)对CdSe纳米晶和聚氨酯复合材料的结构和性能进行了表征.结果表明:此方法合成的CdSe纳米晶性能良好,能在聚氨酯纳米复合材料中均匀分散且性能稳定,CdSe-PU纳米复合材料耐热性有所提高.     

HZSM-5分子筛中邻近酸中心上的协同催化作用

总结了HZSM-5分子筛中邻近的酸中心协同催化作用的研究进展, 包括布朗斯特酸(B酸)和路易斯酸 (L酸)的协同催化、 B酸和B酸的协同催化作用. 综述了通过多种表征手段下协同催化作用机理的研究进展, 以及实验与理论计算相结合并相互验证的研究结果, 对邻近酸中心协同作用下反应分子的共同吸附、 活化与转化路径的特点进行了分析与总结, 提出了对邻近酸中心协同催化作用进行深入研究的关键科学问题和可能的解决方案.     

一种X波段宽带快速跳频频率源

针对快速跳频和低杂散的要求,提出一体化频率源设计方法,综合考虑了高速鉴频鉴相、大环路带宽设计和系统级直接数字合成(DDS)频率规划.利用这种设计方法,采用DDS激励快速锁相环(FL-PLL)结构,成功设计并实现了一种宽带快速跳频X波段频率源.实测结果表明,其输出频带为10.5～11.5 GHz;在极端1 GHz频率跳变条件下,正向跳频时间为0.42μs,负向跳频时间为0.30μs;无失真动态范围为—61.3 dBc;相位噪声为—100dBc/Hz@1kHz;最小跳频间隔为12 Hz.     

建筑构件多功能耐火试验炉的设计

为了适应多种建筑构件耐火试验,并提高试验的可靠性,根据GB/T9978—1999标准的要求,设计了水平建筑构件耐火试验炉和垂直建筑构件耐火试验炉各一座.通过合理布置燃烧器,使炉内的温度更均匀,利用自行设计的控制系统对炉内的温度及压力进行自动控制,克服了传统人工操作的各种缺点,同时也减少了污染,节省了空间,节约了燃料及人工成本.最后介绍了试验炉的使用情况,取得了较好的效果.     

三维光子集成芯片的进展与挑战（特邀）

以光子为信息传输媒介的光子集成芯片,具有高带宽、高速率、高灵敏度等优点,在光通信、光互联、光学传感等领域得到了广泛的研究与应用。为了进一步提高光子集成芯片的集成度、扩展光子集成芯片的功能,在原本二维平面的光子集成芯片的基础上,通过晶圆键合、气相沉积、磁控溅射等方法,制备三维集成光子芯片。利用多层堆叠的方式,使光子集成芯片在厚度上进行拓展,在紧凑的尺寸上,实现大规模集成光子芯片的制备。本文介绍了几种三维光子集成芯片的材料平台与制备工艺,包括单晶硅（c-Si）键合、SiN-on-SOI、非晶硅（a-Si）沉积、多晶硅（p-Si）沉积和聚合物三维光子集成芯片制造平台,结合关键器件与在光互连、光通信、激光雷达等领域的应用,介绍了不同工艺平台的发展现状与挑战。