金属/掺杂聚合物/金属结构中载流子的注入与输运

基于紧束缚的Su-Schrieffer-Heeger模型,利用非绝热的动力学方法,研究了金属/聚合物/金属三明治结构中载流子注入与输运的动力学过程,其中,聚合物中含有一个掺杂离子. 电子波函数随时间的演化满足含时Schrdinger方程,晶格运动满足经典的牛顿运动方程. 研究发现,掺杂离子对注入到聚合物中的载流子的作用类似一个控制阀门,阀门的状态与电场的强度和偏压的大小密切相关. 关键词： 载流子输运 波包 非绝热动力学     

F取代对二芳烯分子光开关性能的影响

以苯环连接二芳烯为研究对象,利用第一性原理计算方法和非平衡格林函数理论,研究了其开关机理及F取代对二芳烯分子开关的影响.计算结果表明,小偏压下通过闭环态体系的电流远大于通过开环态体系的电流,说明小偏压下二芳烯体系的开关行为是稳定的,而F取代会显著提高体系的开关性能. 关键词： 二芳烯 分子开关 取代     

集中供热锅炉中SCR脱硝工艺的运用分析

通过论述烟气脱硝 SCR 工艺技术在集中供热锅炉中的运用,对集中供热锅炉的烟气脱硝 SCR 工艺技术进行了优化,提出了尿素热解制氨技术和及其控制策略.     

聚二乙炔(polydiacetylene)的基态及极化子和双极化子激发态

建立了描述基态非简并聚合物聚二乙炔(polydiacetylene)的紧束缚模型. 研究了基态和带电激发态下的电子性质. 发现聚二乙炔基态下具有稳定的二聚化结构, 其能带分为四条子带, 对应于聚二乙炔链的四周期结构. 掺杂电荷时可形成极化子和双极化子非线性元激发, 计算了相应的产生能和束缚能, 发现在不考虑电子-电子Coulomb相互作用的情况下, 双电荷掺杂时产生双极化子比产生两个极化子更加稳定, 在双极化子中晶格畸变对掺杂电荷的定域束缚程度远远大于极化子中.     

金属/掺杂聚合物/金属结构中载流子的注入与输运

基于紧束缚的Su-Schrieffer-Heeger模型，利用非绝热的动力学方法，研究了金属/聚合物/金属三明治结构中载流子注入与输运的动力学过程，其中，聚合物中含有一个掺杂离子. 电子波函数随时间的演化满足含时Schrdinger方程，晶格运动满足经典的牛顿运动方程. 研究发现，掺杂离子对注入到聚合物中的载流子的作用类似一个控制阀门，阀门的状态与电场的强度和偏压的大小密切相关.     

准一维聚噻吩及以噻吩为基的共聚物的光学性质

利用半经验的ZINDO方法研究了聚噻吩及以噻吩为基的共聚物的电子光跃迁性质．以噻吩为基的共聚物具有阱-垒-阱结构特征，阱部分为具有不同共轭长度的聚噻吩，垒部分为具有大能隙的非可见的发光材料．计算发现，改变阱的共轭长度和垒的结构可控制聚合物的发光，跃迁能随链长的增加而减小，表现为光吸收谱红移．     

聚对苯乙炔的基态、极化子与双极化子激发态及其稳定性

提出了描述聚对苯乙炔(PPV)晶格及电子结构的物理模型,并在该模型的基础上给出了PPV的基态及可能的极化子、双极化子激发态,并对影响激发态稳定性的因素进行了研究. 关键词：     

准一维共聚物的电子结构研究

在紧束缚近似下,建立了共聚物 (- PPP_x )—( PA_y)- 的物理模型,研究了组成共聚物的均聚物单体对体系晶格结构、能带结构等的影响,发现共聚物的带隙可通过改变均聚物的配比或均聚物之间的相互作用来加以调制. 关键词： 共聚物 界面耦合 带隙     

基于AUTHORWARE6.5实现试题库的构建

在Authorware6．5中,通过ODBC调用了ACCESS数据库,同时利用Authorware6．5程序文件中的一些图标和SQL命令来实现自动判断新老用户、随机抽题、保存用户做题信息、题库维护等功能的试题库系统．     

Electronic transport properties of phenylacetylene molecular junctions

Electronic transport properties of a kind of phenylacetylene compound— (4-mercaptophenyl)-phenylacetylene are calculated by the first-principles method in the framework of density functional theory and the nonequilibrium Green's function formalism. The molecular junction shows an obvious rectifying behaviour at a bias voltage larger than 1.0 V. The rectification effect is attributed to the asymmetry of the interface contacts. Moreover, at a bias voltage larger than 2.0 V, which is not referred to in a relevant experiment [Fang L, Park J Y, Ma H, Jen A K Y and Salmeron M 2007 Langmuir 23 11522], we find a negative differential resistance phenomenon. The negative differential resistance effect may originate from the change of the delocalization degree of the molecular orbitals induced by the bias.