Bphen作为电极缓冲层对有机薄膜晶体管性能的改善

研究了二苯基邻菲罗啉以及氟化锂作为电极缓冲层对底栅顶接触型有机薄膜晶体管性能的影响,结果表明二苯基邻菲罗啉是一种比氟化锂更好的缓冲层材料。通过对二苯基邻菲罗啉缓冲层厚度的优化,获得了迁移率为0.302 cm2·V-1·s-1、阈值电压为-31.2 V、开关比为6.2×102的器件。器件性能提升的原因是由于二苯基邻菲罗啉缓冲层的引入降低了金电极与并五苯界面的空穴注入势垒与接触电阻。     

宽沟道SI-GaAs衬底上适于光发射机的BH激光器

目前,光发射机中的激光器有采用MOCVD和MBE方法生长的多量子阱激光器,用LPE法生长的BH激光器。我们根据现有的实验条件,为了制作单片集成的光发射机,在沟道SI-GaAs衬底上采用两次液相外延生长BH激光器,实现了表面平面化。在800℃一次外延生长四层。第一层n⁺-GaAs缓冲层,第二层N-GaAlAs下限制层,第三层非掺杂构GaAs有源层,第四层为P-GaAlAs上限制层。采用适当的腐蚀条件刻蚀出有源区最窄的燕尾形隐埋条。在二次外延中,我们仅装一槽GaAlAs源液,在晶片上仅停留一次便生长出两个掩埋层,且层间界面与有源区自对准。上层为N-GaAlAs,载流子浓度为10¹⁶cm^-3,下层为高阻伴随生长层。由于高阻伴随层的存在对电流产生了有有效的侧向限制作用,因此避免了通常的SiO₂膜沉积等一系列工艺,提高了成品率,减化了工艺程序。利用n型掩埋层和隐埋条区P型上限制层之间铝组分及载流子类型、浓度的差异,虽然做一种宽接触电极,但由于隐埋条区上有良好的欧姆接触,而在掩埋层上为非良欧姆接触,所以起到了一定的电流外限制作用。n型电极是从n⁺-GaAs层引出的。 这种沟道SI-GaAs衬底正装GaAlAs/GaAs BH激光器室温连续工作阈值电流为55mA,P-I曲线在100℃仍有良好的线性关系。     

聚合物定向耦合电光开关的模拟和优化

阐述了定向耦合电光开关的基本结构及工作原理,利用耦合模理论和电光调制理论,在1 550 nm波长下,对器件的结构参量进行了优化,并对其传输光谱、开关电压、插入损耗、串扰等特性进行了分析.模拟过程中,考虑了因金属电极和聚合物材料引起的模式损耗.器件的结构参量优化值为：波导芯截面尺寸为1.7×1.7 μm2,波导芯与电极间的限制层厚度为1.5 μm、电极厚度为0.15 μm,波导间的耦合间距为2.0 μm,相应的耦合长度为2 926 μm.模拟结果表明,本文所设计的器件在开关转换电压0和17.4 V下,在1 534到1 565 nm的波长范围内,器件的插入损耗小于0.16 dB,串扰小于－20 dB,耦合区在2 734~3 120 μm范围内,器件的插入损耗小于0.22 dB,串扰小于－20 dB.     

非应变盖层的应变外延层结构中失配位错的分布

利用连续介质模型,计算有非应变盖层的应变外延层结构中单位面积的能量．引入上下界面失配位错数目的比例因子η,利用能量最低原理,求得η的表达式．研究表明,失配位错在上下界面的分布与应变的弛豫程度和盖层的厚度有关．随应变弛豫程度和非应变盖层厚度的增加,失配位错在上界面的数目增多,应变弛豫机制以单结点为主过渡到以双结点为主     

减少聚合物阵列波导光栅损耗的蒸气回溶技术

阵列波导光栅(AWG)器件是波分复用(WDM)系统的一种关键器件,其中,聚合物阵列波导光栅由于其制备工艺、器件集成等方面的优势而受到人们的日益关注。侧壁散射损耗是聚合物阵列波导光栅损耗的一个主要因素,减少阵列波导光栅波导的侧壁损耗对制备低损耗阵列波导光栅具有重要意义。一种蒸气回溶技术被用来有效地减少硅基聚合物阵列波导光栅的散射损耗,该技术的机理是饱和溶剂分子融入并软化波导侧壁,增加其流动性,从而降低波导侧壁粗糙度。用扫描电镜方法验证了用该技术能获得更光滑的波导侧壁。对直波导和阵列波导光栅样品进行回溶处理,测试后得到直波导的侧壁散射损耗减少2.1 dB/cm,阵列波导光栅中心信道和周边信道的插入损耗分别减少5.5 dB和6.7 dB,串扰减少2.5 dB。     

8－羟基喹啉稀土螯合物有机薄膜电致发光研究

８－羟基喹啉稀土螯合物有机薄膜电致发光研究彭俊彪，孙润光（中国科学院长春物理研究所，长春１３００２１）马於光，刘式墉（吉林大学电子科学系，长春１３００２３）自１９８９年Ｃ．Ｗ．Ｔａｎｇ的高性能有机电致发光（Ｅｌｅｃｔｒｏ－ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ，即...     

可交联的PMMA型和PS型高热稳定性二阶非线性光学材料的合成与表征

采用封管反应的方法,以较高产率(80%以上)合成了一系列含环氧基团的可交联PMMA型和PS型极化聚合物材料,该材料具有很好的成膜性.用DSC和T_gA等方法研究了聚合物固化前后的热性能,结果表明,由于聚合物在极化后期经热固化使引入的环氧基团开环交联,聚合物的玻璃化转变温度(T_g)较固化前明显提高30～50K.同时,固化后的聚合物具有较高的热分解温度(T_d>543K).对聚合物的二阶非线性光学性质的测试结果表明,在室温下放置100h后,聚合物的电光系数r₃₃值均保持在初始值的75%以上.这是由于环氧基团的开环使固化后的聚合物本身产生一定程度的交联,导致取向后的发色团被聚合物的交联网禁锢而不易弛豫,从而使这类PMMA型和PS型二阶非线性聚合物材料的热稳定性能得以提高.     

Improvement of Efficiency and Brightness of Red Organic Light－Emitting Devices Using Double－Quantum－Well Configuration

We present red double-quantum-well organic light-emitting devices (DQW-OLEDs), in which N,N-bis-(1-naphthyl)-N,N’-diphenyl-1,1‘-biphenyo-4,4‘-diamine (NPB) is used as potential barriers and hole transport layer, 4-(dicyanomethylene)-2-t-butyl-6-(1,1,7, 7-thtramethyljulolidyl-9-enyl)-4H-pyran (DCJTB) doped tris (8-hydroxyquinoline) aluminum (Alq3 ) as potential wells and emitter, undoped Alq3 as electron transport layer, respectively. The turn-on voltage is about 4 V. The maximum brightness and electroluminescent (EL) efficiency of the DQW device can reach 5916cd m^-2 at 16 V and 2.85cd A^-1 at 7 V, respectively. In addition, the EL efficiency of the DQW deviceis relatively independent of the drive voltage in the range from 5 V to 16 V.     

Effect of Phosphorescent Sensitizer on White Organic Light-Emitting Devices

We have fabricated high-etficiency white organic light-emitting devices by using the phosphorescent material factris (2-phenylpyridine) iridium [Ir(ppy3)] as a sensitizer. Ir(ppy)3 and the fluorescent dye 4-(dicyanomethylene)-2-t-butyl-6-(1,1,7,7-tetramethyljulolidyl-9-enyl) (DCJTB) are co-doped into 4,4‘‘-N,N’-dicarbazole-biphenyl (CBP) host. N,N’-diphenyl-N,N’-bis(1-naphthyl )-(1,1‘‘-biphenyl )-4, 4‘‘-diamine ( NP B ) acts as a blue light-emitting as well as hole-transporting layer. The chromaticity of white emission can be tuned by adjusting the concentration of Ir(ppy)3 and DCJTB. The maximum etficiency and luminance of the device with 3-wt.% Ir(ppy)3 and 2-wt.?JTB are 7.5cd A^-1 and 12020cd m^-2, respectively, which produces fairly pure white emission with the commission international De L ‘‘Eclairage coordinates of (0.33, 0.32) at 10 V.     

叔丁基联苯基苯基噁二唑作空穴限制层的掺杂聚合物蓝光发光二极管

叔丁基联苯基苯基噁二唑作空穴限制层的掺杂聚合物蓝光发光二极管马於光,吴军,薛善华,黄劲松,田文晶,刘式墉,沈家骢,刘晓冬（吉林大学分子光谱与分子结构开放实验室,集成光电子学国家重点实验室,长春,１３００２３）（白求恩医科大学基础部）关键词聚合物,发光...