退火对Ti离子注入LiNbO3光波导的影响

以高质量的LiNbO3晶体为衬底,采用离子注入技术制备出低损耗的LiNbO3光波导。测试了其背散射谱,并对相应的结果做了分析,为解决光波导的横向扩散问题提供了一条可行途径。     

MOCVD法生长SAWF用ZnO/Diamond/Si多层结构

使用等离子体辅助MOCVD系统在金刚石,硅衬底上成功地制备了氧化锌多层薄膜材料,通过两步生长法对薄膜质量进行了优化。XRD测试显示优化后的样品具有c轴的择优取向生长,PL谱测试表明样品经优化后不仅深能级发射峰消失,同时紫外发射峰增强。对优化后的样品的表面测试显示出较低的表面粗糙度。比较氧化锌多层薄膜结构的声表面波频散曲线,ZnO薄膜声表面滤波器受膜厚和衬底材料的影响较大。当ZnO薄膜较薄时,在它上面的传播速度将与衬底上的传播速度接近,与其他衬底上生长的薄膜相比,以金刚石这种快声速材料为衬底的ZnO多层薄膜结构,声表面波滤波器的中心频率将提高1倍左右。     

表面预处理对氧化锌薄膜质量的影响

用MOCVD方法在c面蓝宝石衬底上生长ZnO薄膜。生长前衬底表面进行预处理,观察不同表面预处理对ZnO薄膜质量的影响。测量氧化锌的XRD谱,观察表面预处理后对氧化锌薄膜结晶质量的影响。室温下用325nm的He-cd激光器作为激发源测量ZnO薄膜的紫外发光谱,观察表面处理后对ZnO薄膜发光特性的影响。用HL5500 Hall System分别对ZnO薄膜的电学特性进行了测试。得到了ZnO薄膜的电阻率和霍尔迁移率,并得到氧气气氛处理后电阻率变小,霍尔迁移率变大;氮气气氛射频处理后电阻率变大,霍尔迁移率变小的结果。     

ZnS/ZnSe周期性迭层介质中光的反射特性分析

基于光在多层介质中的传输理论,对ZnS/ZnSe周期迭层介质结构中光的反射特性作了分析和计算,由得到的Bragg反射率与光波长的关系曲线,发现当ZnS/ZnSe的折射率改变时,其Bragg反射率曲线将发生平移,平移的方向与Δn为“正”或“负”有关.据此,提出了利用ZnS/ZnSe的光学非线性特性,可能研制出光控“开关”或“光逻辑门”,用于光计算和光互连.     

微孔的变进给量振动钻削试验

采用变进给量振动钻削的新方法，用高速钢麻花钻对１８Ｃｒ２Ｎｉ４ＷＡ低碳合金结构钢进行了Φ０．３ｍｍ的钻孔试验。试验结果表明，变进给振动钻孔显著提高了钻削微孔的整体加工水平。     

ZnO薄膜的掺杂特性

通过MOCVD方法生长的ZnO薄膜一般为富锌生长,呈n型电导,要想得到高阻或低阻p-ZnO薄膜需要对其进行掺杂施主或受主杂质.主要研究在生长过程中通过NH₃对ZnO薄膜进行氮掺杂的情况,利用优化生长条件,即生长温度为610℃,Ar气(携带DEZn)流量为4sccm,O₂流量为120sccm,N₂流量为600sccm,得到在NH₃流量为80sccm时生长样品的结晶质量最高,在掺杂薄膜中NH₃流量高于或低于80sccm时,样品的表面形貌都将变差,只有在80sccm时表面粗糙度最低晶粒最小,表明该流量下获得的样品表面较光滑致密.所以80sccmNH₃流量为在R面蓝宝石上生长<110>取向ZnO薄膜的最佳掺杂流量.Hall测量结果表明,NH₃流量为50sccm的样品电导呈弱p型,电阻率为102Ω·cm,空穴载流子浓度为+1.69×10¹⁶cm^-3,迁移率为3.6cm²·V^-1·s^-1;当NH₃流量增加时样品的电导呈n型,电阻率最高达10⁸Ω·cm,我们认为与进入ZnO薄膜的H的量有关,并对其变化机理进行了详细的分析.     

等离子MOCVD系统生长ZnO薄膜掺N2和掺NH3特性比较

利用MOCVD方法生长了高质量的ZnO薄膜材料,分别通过N2和NH3对c面和R面蓝宝石衬底上生长的ZnO薄膜材料进行了掺杂行为研究.掺N2时,X射线衍射半峰全宽仅为0.148°,室温光荧光发光峰位于3.29eV,半峰全宽～100meV,电阻率由0.65 Ω·cm增大到5×l04Ω·cm.掺NH3时,X射线衍射峰半峰全宽0.50°,样品为弱p型,电阻率为102Ω·cm,载流子浓度为1.69×1016 cm-3.同时我们还观察到弱p型材料很容易退化成n型高阻材料.     

Preparation and Characterization of Transparent Conductive Nb-Doped ZnO Films by Radio-Frequency Sputtering

Niobium-doped ZnO （NZO） transparent conductive films are deposited on glass substrates by rt sputtering at 300℃. Effects of sputtering power on the structural, morphologie, electrical, and optical properties of NZO films are investigated by x-ray diffraction （XRD）, field emission scanning electron microscopy （FESEM）, Hall measurement, and optical transmission spectroscopy. The obtained films are polycrystalline with a hexagonal wurtzite structure and preferentially oriented in the （002） crystallographic direction. The minimum resistivity of 4.0×10^-4Ω·cm is obtained from the film grown at the sputtering power of 170W. The average optical transmittance of the films is over 90%.     

掺半导体玻璃波导特性研究

利用离子交换技术制成了单模和多模掺CdSxSe_1-x半导体玻璃波导。通过对波导参数的测量得出这种波导的折射率剖面满足费米函数分布。同时,对这种K⁺—Na⁺离子交换技术得到的单模波导在0.5145μm波长下输入—输出功率的测量,观测到它的功率限制作用。并得到在Ar⁺激光0.5145μm波长下吸收系敲是4cm^-1。在这篇文章中,我们对波导的光功率限制起源于热效应进行了分析和讨论。     

变速切削中颤振频率的变化特征

对变速切削过程中颤振频率的变化特征进行了理论和实验分析，结果表明，随着切削速度的连续变化，颤振频率具有跟随和跳跃特性。对颤振的预报与控制具有指导意义。