控释肥残膜对土壤养分特性的影响

选用硫膜和树脂膜两种肥料膜壳,每种设置3个浓度梯度,研究了控释肥膜壳对土壤理化性质的影响。结果表明,施入膜壳后能增大土壤孔隙度,改善通气状况;施用硫膜和树脂膜引起土壤pH值下降和电导率提高,施用树脂膜壳的各个处理铵态氮和硝态氮含量均有不同程度的降低,降低幅度分别为13.83%～39.0%和3.48%～20.37%;施用硫膜提高了土壤水溶性SO24-和Cl-含量。     

基于STM32F4的图像压缩技术研究

提出了一种利用STM32F4微处理器实现JPEG静态图像压缩编码的方法.根据图像压缩编码的基本流程,重点讨论了图像编码中DCT变换的优化和实现,以及基于STM32F4的图像压缩处理过程.实验结果表明,采用基于DCT快速算法结合余弦系数查表法的压缩算法和STM32F4微处理器的静态图像压缩系统,与传统的基于DCT方法的系统相比,压缩速度提高了4倍,图像压缩比例可达14∶1,而且图像的峰值信噪比高于30,实现了对图像信号的实时、高效率压缩.     

顶空气相色谱-质谱联用法分析粪便中挥发性脂肪酸

建立了一种快速分析粪便中挥发性脂肪酸(Volatile fatty acids,VFAs)的顶空气相色谱-质谱联用法(Headspace gas chromatography-mass spectrometry,HS-GC/MS)。粪便样品用6%H3PO4溶液按1∶2(m/V)混悬后密封于顶空进样瓶中,直接进行HS-GC/MS检测。顶空振荡室加热温度为80℃,振荡加热时间30 min,顶空进样针温度为80℃,不分流进样1 mL;采用DB-FFAP毛细管柱(30 m×0.25 mm×0.25μm),进样口温度为250℃,升温程序(初始温度50℃保持1 min,以10℃/min升至200℃),载气(高纯氦)流速为1.0 mL/min;使用电子轰击(Electron impact,EI)离子源,电子能量为-70 eV,离子源温度为250℃,传输线温度为280℃,电子倍增器电压为0.95 kV,全扫描模式,扫描范围m/z 33~200。结果表明,本方法能够应用于人及大鼠粪便中挥发性脂肪酸的分析,通过NIST标准谱库检索,采用对照品比对以及质谱数据解析的方法,在人的粪便样品中检测到9种挥发性脂肪酸:乙酸、丙酸、异丁酸、丁酸、异戊酸、戊酸、异己酸、己酸、庚酸;在大鼠粪便中检测到8种挥发性脂肪酸:乙酸、丙酸、异丁酸、丁酸、异戊酸、戊酸、己酸、庚酸。通过峰面积归一化法,计算得到乙酸、丙酸、丁酸的相对百分含量约占挥发性脂肪酸总量的85%。本方法简单、灵敏,可用于人和大鼠粪便中挥发性脂肪酸的快速检测。     

(110)取向的调制掺杂GaAs-AIGaAs单异质结的光致荧光谱

测量了含碳量高低不同的(110)取向的调制掺杂GaAs-Al_0.3Ga_0.7As单异质结在4.2K下的光致荧光谱。在含碳量高的样品中,出现了强的沟道二维电子到受主的复合荧光峰;而在含碳量很低的样品的光致荧光中则只出现体GaAs的荧光峰。     

一类具有稀疏效应Volterra模型的稳定性

研究了一类具有稀疏效应的Volterra模型的动力性态.分析发现,系统最多有3个平衡点.用规范形研究表明,在不同的参数范围下,这3个平衡点可以是鞍点、稳定结点、不稳定的结点、鞍结点和弱中心.利用第一Lyapunov系数方法,证明了系统在弱中心附近发生超临界Hopf分支,并在弱中心附近分支出唯一的极限环;利用Poincare-Bendison定理,证明了系统在不稳定平衡点时,总存在极限环.     

基于光生编码超宽带信号的多用户通信系统

提出并验证了一种基于光学方法产生编码超宽带(UWB)信号的多用户通信系统,在发射端通过光纤直接传输用光学方法生成的UWB信号,在接收端对编码UWB信号进行相关运算,同时完成用户信息和数据信息的判决。系统具有简单扩容、易于接收、远距传输、可调谐性等优点。设计制作的多信道光纤光栅滤波器和色散光纤组合成的鉴频器是系统的核心器件。传输的信号用不同的码片组合来区分各个用户,系统只需调节激光波长来实现用户切换,产生了不同用户的光生编码UWB信号,并恢复出不同用户的信息,实现了多用户通信全过程。     

非饱和土的强度准则及其吸力摩擦角

为揭示非饱和土的强度特征和吸力作用机理,根据水气状态和联通特点对非饱和土进行了重新分类。在此基础上,基于球形颗粒数学上的理想排列方式建立了理想非饱和土模型的强度准则。该强度模型以莫尔—库仑准则为基础,与理想排列方式不同饱和阶段的强度特征匹配良好。考虑土颗粒并不是大小一致的球形,且颗粒的级配具有多样性和复杂性等特点后,建立了以基质吸力为参数的连续可导的强度公式,并进一步给出了与非饱和性相关的吸力摩擦角及其发展规律。研究表明,吸力摩擦角随吸力的增加而增加并逐渐趋近于其渐近线。     

Evaluation of polarization field in InGaN/GaN multiple quantum well structures by using electroluminescence spectra shift

In order to investigate the inherent polarization intensity in InGaN/GaN multiple quantum well(MQW) structures,the electroluminescence(EL) spectra of three samples with different GaN barrier thicknesses of 21.3 nm, 11.4 nm, and 6.5 nm are experimentally studied. All of the EL spectra present a similar blue-shift under the low-level current injection,and then turns to a red-shift tendency when the current increases to a specific value, which is defined as the turning point.The value of this turning point differs from one another for the three InGaN/GaN MQW samples. Sample A, which has the GaN barrier thickness of 21.3 nm, shows the highest current injection level at the turning point as well as the largest value of blue-shift. It indicates that sample A has the maximum intensity of the polarization field. The red-shift of the EL spectra results from the vertical electron leakage in InGaN/GaN MQWs and the corresponding self-heating effect under the high-level current injection. As a result, it is an effective approach to evaluate the polarization field in the InGaN/GaN MQW structures by using the injection current level at the turning point and the blue-shift of the EL spectra profiles.     

Observation of positive and small electron affinity of Si-doped AlN films grown by metalorganic chemical vapor deposition on n-type 6H–SiC

We have investigated the electron affinity of Si-doped AlN films(N_(Si)= 1.0 × 10~(18)–1.0 × 10_(19)cm~(-3)) with thicknesses of 50, 200, and 400 nm, synthesized by metalorganic chemical vapor deposition(MOCVD) under low pressure on the ntype(001)6H–SiC substrates. The positive and small electron affinity of AlN films was observed through the ultraviolet photoelectron spectroscopy(UPS) analysis, where an increase in electron affinity appears with the thickness of AlN films increasing, i.e., 0.36 eV for the 50-nm-thick one, 0.58 eV for the 200-nm-thick one, and 0.97 e V for the 400-nm-thick one.Accompanying the x-ray photoelectron spectroscopy(XPS) analysis on the surface contaminations, it suggests that the difference of electron affinity between our three samples may result from the discrepancy of surface impurity contaminations.     

忆阻器混沌振荡器的分支分析

研究忆阻器混沌振荡器系统的动力性态,通过高维理论和符号运算分析了这类系统的分支性质,并得到在一定的条件下,系统会发生折分支和Hopf分支。通过分析发现系统存在平衡点,并将平衡点平移到原点后,并运用规范形研究分析,在一定的分支参数范围内,系统的平衡点原点附近会发生折分支和Hopf分支,再利用Lyapunov系数方法,具体讨论在一定情况下发生亚临界和超临界Hopf分支。数值模拟也验证了分析结论。 更多还原