Observation of E×B Flow Velocity Profile Change Using Doppler Reflectometry in HL-2A

A broadband, O-mode sweeping Doppler reflectometry designed for measuring plasma E×B flow velocity profiles is operated in HL-2A. The main feature of the Doppler reflectometry is its capability to be tuned to any selected frequency in total waveband from 26-40 GHz. This property enables us to probe several plasma layers within a short time interval during a discharge, permitting the characterization of the radial distribution of plasma fluctuations. The system allows us to extract important information about the velocity change layer, namely its spatial localization. In purely Ohmic discharge a change of the E×B flow velocity profiles has been observed in the region for 28 〈 r 〈 30cm if only the line average density exceeds 2.2×10^19 m^-3. The density gradient change is measured in the same region, too.     

基于expectation maximization算法的Mamdani-Larsen模糊系统及其在时间序列预测中的应用

Epanechnikov混合模型和Mamdani-Larsen模糊系统之间的对应关系被建立:任何一个Epanechnikov混合模型都唯一对应着一个Mamdani-Larsen模糊系统,在一定条件下,Epanechnikov混合模型的条件均值和Mamdani-Larsen模糊模型的输出是等价的.一个设计模糊系统的新方法被提出,即利用expectation maximization算法设计模糊系统.将设计的模糊系统应用于时间序列预测,仿真结果表明：利用EM算法设计的模糊系统比其他模糊系统精度更高,抗噪性更强 关键词： expectation maximization(EM)算法 Mamdani-Larsen模糊系统 Epanechnikov混合模型 混沌时间序列     

功率VDMOSFET与IGBT的最新结构与性能特点

综合评述了VDMOSFET(Vertical Double Diffused MOSFET)与IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)的一般器件结构,分析比较了采用垂直沟槽栅极(Trench gate)新结构的功率VDMOSFET与IGBT的结构与性能特点.新结构的VDMOSFET与IGBT能有效地减少原胞尺寸和增加沟道密度,具有大电流,高电压,开关频率高,高可靠性,低损耗的特点.在性能上明显优于目前广泛使用的VDMOSFET和IGBT结构.     

青蒿素在银电极上的电化学行为及其定量分析

在乙醇(1+4)+B R缓冲溶液(pH7.2)中,青蒿素在银电极上有一灵敏的还原峰,无氧化峰,峰电位为-0.64V(vs.SCE)。2 5次微分线性扫描伏安(2 5thLSV)峰电流与青蒿素的浓度在8.0×10-6～1.0×10-3mol L范围内成线性关系(r=0.9994),检出限为5.0×10-6mol L,该法已用于人工合成样品分析,优于紫外测定法。     

ZnO薄膜的光抽运紫外激射

采用等离子体增强MOCVD方法生长出高质量的ZnO薄膜,并观察到了ZnO薄膜的光抽运紫外激射现象。在不同激发强度下进行了光荧光谱测量,发现紫外发光强度随着激发光强度的增加呈直线增强,证明此紫外发光峰来源于带边自由激子辐射复合。激发的激光器为3倍频YAG激光器,脉宽15ps,每秒10个脉冲。抽运光达到样品的光斑直径约为25μm,激射阈值为0．28μJ,利用光纤连接到CCD来探测接收激射光。在385～390nm之间的激射峰,其半峰全宽为0．03nm。所观察到的激射没有固定的方向,也就是说是往各个方向发射的。对于ZnO薄膜,由于我们并没有制作通常激光器的谐振腔,激射是通过晶粒强烈的散射导致的自形成谐振腔所产生的。     

MOCVD法生长ZnO薄膜的结构及光学特性

采用MOCVD方法在c Al2 O3衬底上生长出了具有单一c轴取向的ZnO薄膜 ,采用X射线衍射 (XRD)、Raman散射、X射线光电子能谱 (XPS)及光致发光 (PL)谱等方法对ZnO薄膜的结构及光学特性进行分析测试。XRD分析只观察到ZnO薄膜 (0 0 0 2 )衍射峰 ,其FWHM数值为 0 1 84°。Raman散射谱中 ,4 35 32cm- 1 处喇曼峰为ZnO的E2 (high)振动模 ,A1 (LO)振动模位于 5 75 32cm- 1 处。XPS分析表明 :ZnO薄膜表面易吸附游离态氧 ,刻蚀后ZnO薄膜O1s光电子能谱峰位于 5 30 2eV ,更接近Zn—O键中O1s电子结合能 (5 30 4eV)。PL谱中 ,在3 2 8eV处观察到了自由激子发射峰 ,而深能级跃迁峰位于 2 5 5eV ,二者峰强比值为 4 0∶1 ,表明生长的ZnO薄膜具有较高的光学质量     

基于EIP平台的统一知识管理模型研究

进入知识经济时代,知识已经逐渐成为企业越来越重要的资源。作者研究和分析了在企业信息门户上实施新型的知识管理系统的理论基础和技术可行性,借助知识转化的SECI模型和PDCA循环机制,创新性地提出统一知识管理模型的技术解决方法和理论框架,并指出统一知识管理模型是对一般信息和数据的提升和智能化应用,建立起企业的“人与内容及沟通场所”的关联．提升企业用户的体验效能、增强企业内容管理的能力,促使企业员工间的协同工作效率得到提高,决策得以改善,发挥企业知识的最大效能。     

相对永久密封真空康普顿探测器伽马灵敏度研究

针对强流脉冲γ射线探测,研制了厚入射窗结构真空康普顿探测器,并在60Co辐照装置上,准直孔径为40 mm的条件下,对2套样品探测器灵敏度进行了测量,得到了1.25 MeV的γ射线灵敏度,实验值分别为4.65×10-22 C/MeV和4.59×10-22 C/MeV.该实验值与蒙特卡罗程序MCNP的计算值(4.70×10-22 C/MeV)相比,误差范围一致,在0.5～3.0 MeV能量区间,探测灵敏度的能量响应变化小于20%.实验证明:该探测器比薄窗结构真空康普顿探测器的灵敏度提高了60%,克服了薄窗探测器封装加工和静态真空保持的困难;保存使用期可达2年以上,达到了相对永久密封的目的,可应用于粒子注量率为1020 cm-2·s-1以上的强流脉冲γ射线测量.     

基于PLC的间歇式化学反应釜控制系统

针对间歇式化学反应釜滞后大、时变、非线性、反应机理复杂等特性,结合生产实际对PID控制算法进行了智能化处理,设计了由PLC和上位计算机构成的反应釜温度控制系统,取得了比较满意的效果。     

用椭圆偏振光谱法研究取代基对酞菁薄膜光学常数的影响

利用M-2000UI型宽光谱可变入射角椭偏仪研究十六氟铜酞菁(F16CuPc)和铜酞菁(CuPc)薄膜的光学性质. 在248～1 650 nm使用逐点拟合的方法对测得椭偏光谱进行分析, 获得两种薄膜的折射率、消光系数、复介电常数和吸收系数. 讨论了外环氟取代基对酞菁光学性质的影响, 结果表明, 共轭酞菁大环上的外围取代基对薄膜的响应波长和非正常色散影响较大. 分析了两种酞菁的电子结构及吸收谱成因, 并由吸收边外推得到两种材料的光学禁带宽度(Eg).